Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "anisotropic evolution" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Constitutive parameters and their evolution
Autorzy:
Pedersen, P.
Tortorelli, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/206815.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
Tematy:
anisotropic evolution
damage
energy
stiffness
Opis:
The three-dimensional problem of anisotropic evolution is formulated and solved using the tools from optimal design. Basic assumptions are the principle of maximum energy dissipation and a function that relates the damage, as measured by the rate of a constitutive matrix norm, to an effective stress measure. The presentation relies on alternative description for the 21 constitutive parameters and only restrics the constitutive matrix to be semipositive definite.
Źródło:
Control and Cybernetics; 1998, 27, 2; 295-310
0324-8569
Pojawia się w:
Control and Cybernetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Three-Dimensional Simulations of the Anisotropic Etching Profile Evolution for Producing Nanoscale Devices
Autorzy:
Radjenović, B.
Radmilović-Radjenović, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505422.pdf
Data publikacji:
2011-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.65.Cf
Opis:
Refined control of etched profiles is one of the most important tasks of micro (nano) electro mechanical systems manufacturing process. In spite of its wide use, the simulation of etching for micro (nano) electro mechanical systems applications has been so far a partial success only, although a great number of commercial and academic research tools dedicated to this problem are developed. In this paper we describe an application of the sparse field method for solving level set equations in 3D anisotropic wet etching of silicon with potassium hydroxide (KOH). Angular dependence of the silicon etching rate is determined on the basis of the silicon crystal symmetry properties. Some examples illustrating developed methodology are given.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 3; 447-450
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Damage evolution in the anisotropic range variable model of nanopillar array
Autorzy:
Derda, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/122870.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
Tematy:
nanopillars
fibre bundle model
damage mechanics
anisotropy
mechanika zniszczenia
anizotropia
Opis:
We study mechanical-damage avalanches occurring in axially loaded nanopillars located in the nodes of the supporting square lattice. Nanopillars are treated as fibres in the framework of the stochastic Fibre Bundle Model and they are characterised by random strength thresholds. Once an element crashes, its load is transferred to the other intact elements according to a given load transfer rule. In this work we use a modified range variable model including an anisotropic-stress-transfer function. Avalanches of broken nanopillars, critical loads and clusters of damaged nanopillars are analysed by varying both the anisotropy and effective range coefficients.
Źródło:
Journal of Applied Mathematics and Computational Mechanics; 2014, 13, 3; 37-46
2299-9965
Pojawia się w:
Journal of Applied Mathematics and Computational Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies