Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "W.D. Myers" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    “Slavery with a smile” - the media controversy about children’s literature on the topic of slavery and the rhetoric of the publishing industry
    „Niewolnictwo z uśmiechem” – kontrowersje medialne wokół literatury dziecięcej o tematyce niewolnictwa a retoryka przemysłu wydawniczego
    Autorzy:
    Klęczaj-Siara, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/954410.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Uniwersytet Warszawski. Katedra Italianistyki. Polskie Towarzystwo Retoryczne
    Tematy:
    #SlaveryWithASmile
    W.D. Myers
    Ch. Myers
    A Birthday Cake for George Washington
    slavery
    children’s literature
    media rhetoric
    niewolnictwo
    literatura dziecięca
    retoryka mediów
    Opis:
    Discussions about the appropriateness of American children’s books on ethnic and racial issues have recently become headlines in American daily newspapers. Journalists and opinion writers are questioning the themes and the perspectives of the authors. While some believe there must be limitations on what is published for young readers, others claim any kind of censorship is a violation of the freedom of speech. The paper will provide examples of media debates concerning recently published books for children. Among others it will discuss the controversy about Ramin Ganeshram’s picture book A Birthday Cake for George Washington published in 2016 and no longer distributed because of its “sanitized” vision of slavery.
    Dyskusje dotyczące poprawności amerykańskich książek dla dzieci o tematyce etnicznej i rasowej w ostatnim czasie znalazły się w centrum zainteresowań mediów publicznych. Dziennikarze i opiniotwórcy kwestionują tematykę książek oraz perspektywy autorów. Podczas gdy niektórzy uważają, że publikacje dla dzieci powinny być ograniczone pewnymi ramami, inni każdy rodzaj cenzury traktują jako naruszenie wolności słowa. Niniejszy artykuł analizuje debaty medialne dotyczące ostatnio opublikowanych książek dla dzieci na temat niewolnictwa. Między innymi omawia kontrowersyjne wycofanie ze sprzedaży książki ilustrowanej autorstwa Ramin Ganeshram pt. A Birthday Cake for George Washington z powodu promowania pozytywnego obrazu niewolnictwa.
    Źródło:
    Res Rhetorica; 2018, 5, 2; 54-63
    2392-3113
    Pojawia się w:
    Res Rhetorica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
    Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
    Autorzy:
    Kaminski, P.
    Kozubal, M.
    Caldwell, J. D.
    Kew, K. K.
    Van Mil, B. L.
    Myers-Ward, R. L.
    Eddy, C. R. jr.
    Gaskill, D. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192318.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    4H-SiC
    DLTS
    pułapka elektronowa
    defekt punktowy
    electron trap
    point defects
    Opis:
    Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to study defect centers in the epitaxial layers of nitrogen-doped n-type 4H-SiC before and after the irradiation with a dose of 1.0x1017 cm-2 of 300-keV electrons. It is shown that the minority carrier lifetime in the as-grown epilayers is predominantly affected by the Z1/2 center concentration. The capture cross-section of the Z1/2 center for holes is found to be ˜ 6.0x10-14 cm2. We have tentatively attributed the center to the divacancy VCVSi formed by the nearest neighbor silicon and carbon vacancies located in different (h or k) lattice sites. The substantial increase in the Z1/2 center concentration induced by the low-energy electron irradiation is likely to be dependent on both the residual concentration of silicon vacancies and nitrogen concentration in the as-grown material. Four irradiation-induced deep electron traps with the activation energies of 0.71, 0.78, 1.04 and 1.33 eV have been revealed. The 0.71-eV trap, observed only in the epilayer with a higher nitrogen concentration of 4.0x1015 cm3, is provisionally identified with the complex defect involving a dicarbon interstitial and a nitrogen atom. The 0.78-eV and 1.04-eV traps are assigned to the carbon vacancy levels for VC (2-/-) and VC (-/0), respectively. The 1.33-eV trap is proposed to be related to the dicarbon interstitial.
    Niestacjonarną spektroskopię pojemnościową (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w domieszkowanych azotem warstwach epitaksjalnych 4H-SiC typu n przed oraz po napromieniowaniu dawką elektronów o energii 300 keV, równą 1,0x1017 cm3. Pokazano, że czas życia mniejszościowych nośników ładunku w warstwach nienapromieniowanych jest zależny głównie od koncentracji centrów Z1/2. Stwierdzono, że przekrój czynny na wychwyt dziur przez te centra wynosi ˜ 6x1014 cm2. W oparciu o dyskusję wyników badań przedstawionych w literaturze zaproponowano konfigurację atomową centrów Z1/2. Stwierdzono, że centra te są prawdopodobnie związane z lukami podwójnymi VCVSi, utworzonymi przez znajdujące się w najbliższym sąsiedztwie luki węglowe (VC) i luki krzemowe (VSi) zlokalizowane odpowiednio w węzłach h i k lub k i h sieci krystalicznej 4H-SiC. Otrzymane wyniki wskazują, że przyrost koncentracji centrów Z1/2 wywołany napromieniowaniem elektronami o niskiej energii zależny jest zarówno od koncentracji luk krzemowych, jak i od koncentracji azotu w materiale wyjściowym. Wykryto cztery pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji 0,71 eV, 0,78 eV, 1,04 eV i 1,33 eV powstałe w wyniku napromieniowania. Pułapki o energii aktywacji 0,71 eV, które wykryto tylko w warstwie epitaksjalnej o większej koncentracji azotu równej 4x1015 cm-3, są prawdopodobnie związane z kompleksami złożonymi z atomów azotu i dwóch międzywęzłowych atomów węgla. Pułapki o energii aktywacji 0,78 eV i 1,04 eV przypisano lukom węglowym znajdującym się odpowiednio w dwóch różnych stanach ładunkowych VC(2-/-) i VC(-/0). Pułapki o energii aktywacji 1,33 są prawdopodobnie związane z aglomeratami złożonymi z dwóch międzywęzłowych atomów węgla.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 3-4, 3-4; 26-34
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies