Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Straub, H." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
SŁOWO kapelana.
Autorzy:
Słabek, Feliks.
Sodzawiczny Z.
Sosonko, Adam.
Stefaniak Z.
Stępień, Ryszard.
Stokłosa, Bolesław.
Straub, Krzysztof.
Suchecki, Jerzy.
Surma, Zenon.
Surowiec, Andrzej.
Szareyko H.
Szklanko, Jan.
Powiązania:
Polska Zbrojna 1996, 1 ->
Data publikacji:
1996
Tematy:
Duszpasterstwo wojsko Polska
Opis:
[14]:; Podzielmy się radością; Feliks Słabek; nr 69; s. 2.
[15]:; Trzeba wracać...; Z. Sodzawiczny; nr 73; s. 2.
[16]:; Kiedyś wróci Pan; Adam Sosonko; nr 78; s. 2.
[17]:; Zróbmy Mu miejsce...; Z. Stefaniak; nr 83; s. 2.
[18]:; "Ja jestem drogą, prawdą i życiem"; Ryszard Stępień; nr 86; s. 2.
[19]:; Z odnowionym obliczem...; Bolesław Stokłosa; nr 90; s. 2.
[20]:; Czy potrafimy się modlić?; Krzysztof Straub; nr 95; s. 2.
[21]:; Jednym językiem; Jerzy Suchecki; nr 100; s. 2.
[22]:; Jak zrozumieć najtrudniejszą prawdę wiary; nr 105; s. 2.
[23]:; Zasiadł przy jednym stole; Zenon Surma; nr 109; s. 2.
[24]:; Posłanie; Andrzej Surowiec; nr 116; s. 2.
[25]:; Nie bójcie się!; H. Szareyko; nr 119; s. 2.
[26]:; Przyjąć krzyż - zaakceptować cierpienie; Jan Szklanko; nr 124; s. 2.
Il.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Strain Relaxation Induced Red Shift of Photoluminescence of CdZnSe/ZnSe Quantum Wires
Autorzy:
Straub, H.
Brunthaler, G.
Faschinger, W.
Bauer, G.
Vieu, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952705.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
Opis:
Wire patterns (80-1000 nm) of molecular beam epitaxy grown Cd$\text{}_{0.2}$Zn$\text{}_{0.8}$Se/ZnSe quantum well were fabricated by a CH$\text{}_{4}$/H$\text{}_{2}$ reactive ion etching technique. Photoluminescence emission shows with decreasing lateral size a broadening of line shape and a spectral red shift. Calculations for the change of the band gap due to strain relaxation show that this shift of the photoluminescence emission for narrow Cd$\text{}_{0.2}$Zn$\text{}_{0.8}$Se/ZnSe structures (lattice mismatch of 1.34%) can be explained by a partial elastic strain relaxation of the biaxially compressively strained Cd$\text{}_{0.2}$Zn$\text{}_{0.8}$Se quantum well after the patterning process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1085-1089
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies