- Tytuł:
- Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
- Autorzy:
-
Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/308627.pdf
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas - Opis:
- A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
- Źródło:
-
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 93-95
1509-4553
1899-8852 - Pojawia się w:
- Journal of Telecommunications and Information Technology
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł