Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Semenov, A. N." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Optical Absorption in Periodic InN:In Structures
    Autorzy:
    Plotnikov, D. S.
    Shubina, T. V.
    Jmerik, V. N.
    Semenov, A. N.
    Ivanov, S. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047375.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.-w
    71.45.Gm
    Opis:
    Optical absorption measurements were exploited to study periodic InN:In structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy with the thickness of the metallic inclusions varied from 2 to 48 monolayers. We demonstrate that the observed higher-energy shift of an effective absorption edge may be due to In depletion of the InN matrix via the coalescence of In into large clusters, accompanied by the respective higher-energy shift of the Mie resonance. The relevant uncertainty in the optical gap of InN is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 191-196
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    InSb Quantum Dots in an InAsSb Matrix Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Semenov, A. N.
    Solov'ev, V. A.
    Meltser, B. Ya.
    Lyublinskaya, O. G.
    Terent'ev, Ya. V.
    Sitnikova, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044535.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    81.07.Ta
    81.15.Hi
    81.16.Dn
    Opis:
    We report on molecular beam epitaxy of InSb insertions in InAs and InAsSb matrices, emitting at wavelengths beyond 4μm. Different growth techniques for deposition of InSb quantum dots in the 1-2 monolayer range of the InSb nominal thickness, namely conventional molecular beam epitaxy and migration enhanced epitaxy, as well as different matrices (InAs and InAsSb) have been employed for increasing the emission wavelength of the InSb/InAs nanostructures. The formation of InSb quantum dots has been studied in situ using reflection high energy electron diffraction and ex situ by using transmission electron microscopy. The peculiarities of In(Ga)AsSb alloys growth and compositional control are also discussed. Bright photoluminescence up to 4.5μm has been observed at 80 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 859-865
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Потенциал влаги в условиях фазового перехода почвенного раствора в дерново-подзолистой почве
    The moisture potential in conditions of phase transition of soil solution in sod-podzolic soil
    Autorzy:
    Muromcev, N. A.
    Anisimov, A. B.
    Mazhayskiy, Yu. A.
    Semenov, N. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2065506.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska
    Tematy:
    atmospheric precipitation
    total evaporation
    moisture potential
    soil temperature
    moisture exchange
    aeration zone
    lowest moisture capacity
    diffusion of moisture
    Opis:
    Установлено новое явление резкого скачкообразного повышения потенциала влаги при переходе положительных значений температуры почв через ноль в область отрицательных величин. Процесс протекает в условиях фазового перехода почвенного раствора при стабильном состоянии всех других параметров среды, за исключением температуры почвы. Понижение потенциала влаги (при постоянной влажности) в условиях повышения температуры объясняется возрастанием подвижности и активности ионов влаги. Понижение температуры обусловливает возрастание потенциала в связи с понижением активности и подвижности ионов воды. Данное явление аналогично снижению содержания влаги в почве. Суточные изменения температуры почвы и потенциала почвенной влаги незначительны и лежат в пределах 0,1÷1,9°С и 2÷3 кПа соответственно.
    A new phenomenon of a sharp jump - like increase of the moisture potential is established in the transition of positive soil temperature values through zero to the region of negative values. The process proceeds under conditions of a phase transition of the soil solution with the stable state of all other soil parameters. The decrease of the moisture potential (at constant humidity) under conditions of temperature increase is explained by the increase in mobility and activity of moisture ions. The decrease in temperature causes an increase in the potential due to a decrease in the activity and mobility of water ions. This phenomenon is similar to reducing the moisture content in soil. Daily changes in soil temperature and soil moisture potential are insignificant and is in the range 0.1÷1.9°C and 2÷3 kPa respectively.
    Źródło:
    Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym; 2018, 7, 1; 57--66
    2299-8535
    2544-963X
    Pojawia się w:
    Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies