Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Porowski, S." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 28
Tytuł:
Zastosowanie wysokiego cisnienia w atmosferze helu do obnizenia zanieczyszczenia mikrobiologicznego przypraw ziolowych
High pressure processing of spices in atmosphere of helium for decrease of microbiological contamination
Autorzy:
Windyga, B
Fonberg-Broczek, M.
Sciezynska, H.
Skapska, S.
Gorecka, K.
Grochowska, A.
Morawski, A.
Szczepek, J.
Karlowski, K.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/877017.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Narodowy Instytut Zdrowia Publicznego. Państwowy Zakład Higieny
Tematy:
przyprawy ziolowe
zanieczyszczenia zywnosci
zanieczyszczenia mikrobiologiczne
dekontaminacja mikrobiologiczna
wysokie cisnienia
zastosowanie
herbal spice
food contaminant
microbiological contaminant
microbiological decontamination
high pressure
application
Opis:
Celem pracy było zbadanie możliwości zastosowania technologii wysokociśnieniowej (HPP) oraz podwyższonej temperatury w atmosferze gazu szlachetnego - helu - do redukcji zanieczyszczenia mikrobiologicznego w przyprawach ziołowych: owocach kolendry i nasionach kminku. Badane produkty poddawano działaniu ciśnienia 800 MPa i 1 000 MPa przez 30 minut w zakresie temperatur od 60 do 121°C. Stwierdzono redukcję mikroflory tlenowej o 2 cykle logarytmiczne, przy całkowitej inaktywacji bakterii z grupy coli oraz drożdży i pleśni. Zaobserwowano, że skuteczność procesu w atmosferze helu zależy od wilgotności środowiska i zabieg pozwala na redukcję zanieczyszczenia mikrobiologicznego przynajmniej przy 20% zawartości wody. Zastosowanie procesu HPP w atmosferze helu może być wykorzystanie do poprawy jakości mikrobiologicznej przypraw ziołowych.
The aim of the study was to investigate the microbiological decontamination of coriander and caraway when HPP technology was applied in elevated temperature in helium atmosphere. The HPP and heat treatment was conducted for 30 minutes at 800 and 1 000 MPa and temperature range was 60 - 121°C. Contamination with aerobic mesophilic bacteria was decreased by about 2 logarithmic cycles. Total elimination of coliform and yeast and moulds was observed. The efficacy of HPP treatment under helium atmosphere depended on the content of the water in tested samples. It can be concluded that high pressure treatment under atmosphere of helium, combination of proper high pressure and time improved the microbiological quality of spices.
Źródło:
Roczniki Państwowego Zakładu Higieny; 2008, 59, 4; 437-443
0035-7715
Pojawia się w:
Roczniki Państwowego Zakładu Higieny
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Electron Transition in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Fiorek, A.
Baranowski, J. M.
Wysmołek, A.
Pakuła, K.
Wojdak, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968067.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
It is shown that the luminescence mapping is a powerful method to help identify optical transitions. Two-electron transition was identified in the homoepitaxial GaN layer by this technique. It was found that the donor and acceptor bound exciton emissions are spatially displaced and show intensity maxima at different places of the epitaxial layer. It was also found that the 3.45 eV line, suspected as "two-electron transition", follows exactly the donor bound exciton spatial distribution. Donor bound exciton recombines leaving the neutral donor in the excited 2s state. Thus, 1s-2s excitation being equal to 22 meV corresponds to 29 meV hydrogenic donor binding energy. This is the first identification of the two-electron transition in GaN.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 742-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Jun, J.
Pałosz, B.
Porowski, S.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Barski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.72.Vv
Opis:
Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
Autorzy:
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Krukowski, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.-h
78.66.Fd
73.61.Ey
82.60.Lf
78.55.Cr
Opis:
Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Propozycje poprawy zarządzania bezpieczeństwem w cyklu transportowym przewozów drogowych towarów niebezpiecznych
Proposals for improvement of safety management in the cycle of road transport of dangerous goods
Autorzy:
Michalik, J. S.
Gajek, A.
Janik, P.
Zając, S.
Koniuch, A.
Obolewicz, A.
Porowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/180892.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
transport drogowy
transport chemikaliów
transport towarów niebezpiecznych
road transport
liquid fuels
dangerous goods transport
Opis:
Uwzględniając główną przyczynę zdarzeń awaryjnych w przewozie drogowym towarów niebezpiecznych - niezachowanie zasad bezpieczeństwa ruchu - określono rodzaje środków i działań umożliwiających poprawę bezpieczeństwa ich transportu. Wykonane analizy wykazały, że system szkolenia osób związanych z przewozem towarów niebezpiecznych, system organizacyjny jednostek ratownictwa PSP oraz procedury reagowania i zwalczania skutków awarii transportowych są zorganizowane w Polsce na wysokim poziomie i funkcjonują prawidłowo. W tej sytuacji zmniejszenie ryzyka wypadku drogowego o cechach poważnej awarii można osiągnąć w wyniku wyboru najbardziej właściwej trasy przewozowej. Została zaproponowana metoda wyboru najkorzystniejszej z punktu widzenia poziomu ryzyka przebiegu trasy przewozu towarów niebezpiecznych, oparta na ocenie pasa terenu 1,5 km od osi drogi pod względem demograficznym oraz występowania obiektów użyteczności publicznej i elementów środowiska o szczególnej wrażliwości, a także na ocenie szeregu parametrów techniczno-konstrukcyjnych trasy, dotyczących podstawowych cech ruchu drogowego.
This article defines the types of measures and actions for improving safety of road transport of dangerous goods taking into account the main cause of accidents with the attributes of major accidents in road transport of dangerous goods, i. e., disregard for traffic rules. Analyses showed that the system of training persons involved in transport of dangerous goods, the organizational system of the State Fire Service rescue units, and the procedures for responding and mitigating the effects of transport accidents in Poland are good and that they function properly. In this situation, selecting the most appropriate transport routes can reduce the risk of an accident with the attributes of a major accident. This article proposes a method of selecting the least risky transport route for dangerous goods by evaluating a strip of land 15 km from the axis of the road in terms of demographics, public Utilities, particularly sensitive environment as well as by evaluating a number of technical and construction parameters of routes related to the basie features of road traffic.
Źródło:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2011, 5; 24-27
0137-7043
Pojawia się w:
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Pumped Laser Action on Nitride Based Separate Confinement Heterostructures Grown along the (11¯20) Crystallographic Direction
Autorzy:
Teisseyre, H.
Szymański, M.
Khachapuridze, A.
Skierbiszewski, C.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Łucznik, B.
Kamler, G.
Kryśko, M.
Suski, T.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047728.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
78.45.+h
78.66.Fd
Opis:
The intention of this work is to discuss and report on our research on nonpolar laser structures grown on bulk GaN crystal substrates along the (11¯20) nonpolar direction. The main advantages of such nonpolar structures are related to the elimination of the built-in electric fields present in commonly used systems grown along the polar (0001) axis of nitride crystals. We demonstrated the optically pumped laser action on separate confinement heterostructures. Laser action is clearly shown by spontaneous emission saturation, abrupt line narrowing, and strong transversal electric polarization of output light. The lasing threshold was reached at an excitation power density of 260 kW/cm$\text{}^{2}$ for a 700μm long cavity (at room temperature).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 467-472
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Magnetic Anisotropy in Bulk GaMnN:Mg Crystals
Autorzy:
Gosk, J.
Zając, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036861.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
75.30.Gw
75.50.Pp
Opis:
Magnetic properties of bulk wurtzite n-type GaMnN and highly resistive GaMnN:Mg monocrystals were studied for the magnetic field applied parallel and perpendicular to the crystal hexagonal c-axis. Magnetization of both types of samples reveals paramagnetic behavior. However, for n-type GaMnN isotropic magnetization was observed which is in agreement with Mn d$\text{}^{5}$ configuration. On the other hand, GaMnN co-doped with Mg shows large magnetic anisotropy which suggests Mn to be in nonspherical d$\text{}^{4}$ or d$\text{}^{3}$ configuration.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 665-669
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MnAs Overlayer on GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) - Its Growth, Morphology and Electronic Structure
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Kowalik, I. A.
Iwanowski, R. J.
Łusakowska, E.
Sawicki, M.
Sadowski, J.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038151.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
73.20.At
Opis:
MnAs layer has been grown by means of MBE on the GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) surface. Spontaneous formation of MnAs grains with a diameter of 30-60 nm (as observed by atomic force microscopy) occurred for the layer thickness bigger than 7 ML. Ferromagnetic properties of the layer with Curie temperature higher than 330 K were detected by SQUID measurements. Electronic structure of the system was investigated in situ by resonant photoemission spectroscopy for MnAs layer thickness of 1, 2, and 8 ML. Density of the valence band states of MnAs and its changes due to the increase in the layer thickness were revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 645-650
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
Autorzy:
Wołoś, A.
Palczewska, M.
Wilamowski, Z.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Boćkowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036027.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
71.70.Gm
Opis:
We present the results of electron paramagnetic resonance investigations of GaN bulk crystals doped with Mn. The EPR experiment shows the Mn$\text{}^{2+}$ resonance in all the investigated n-type crystals, while in highly resistive samples extra doped with Mg acceptor the Mn$\text{}^{2+}$ resonance decreases. This is a consequence of the location of Mn acceptor level in GaN band gap. The analysis of the spin relaxation times reveals the Korringa scattering as the dominating spin relaxation mechanism in n-type GaN:Mn crystals. The effective exchange constant determined from spin relaxation rate temperature dependence is of the order of 14 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 595-600
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
Autorzy:
Wołoś, A.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Kamińska, M.
Gaj, J. A.
Twardowski, A.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.70.Ej
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence Dynamics of Exciton Replicas in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Korona, K. P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Monemar, B.
Bergman, J. P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968240.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
78.47.+p
78.55.Cr
Opis:
Photoluminescence of excitons and their phonon replicas in homoepitaxial MOCVD-grown gallium nitride (GaN) layers have been studied by picosecond (ps) time-resolved photoluminescence spectroscopy. The time-resolved photoluminescence spectroscopy has shown that the free excitons and their replicas have the fastest dynamics (decay time of about 100 ps). Then, the excitons-bound-to-donors emission rises (with the rise time similar to the free excitons decay time) and decays with t=300 ps. The excitons-bound-to-acceptors has the slowest decay (about 500 ps). It has been found that the ratio of excitons-bound-to-acceptors and excitons-bound-to-donors amplitudes and their decay times are different for 1-LO replicas and then for zero-phonon lines, whereas the ratio of amplitudes and the decay time of the 2-LO replicas are similar to the ones of the zero-phonon lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Electric Field on Recombination Dynamics of Quantum Confined Carriers
Autorzy:
Korona, K. P.
Borysiuk, J.
Skierbiszewski, C.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047384.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.+p
72.20.Jv
78.55.Cr
Opis:
We present time-resolved photoluminescence measurements of GaN/AlGaN low dimensional structures showing very characteristic changes of dynamics related to strong electric field. Strong piezoelectric and spontaneous polarizations built-in in nitride structures lead to the changes in spatial separation of carriers which leads to changes in recombination energies and radiative lifetimes of the carriers. The observed effect can be well described by a simple exponential relation. The observed dependence can be explained by an approximated model of quantum-confined Stark effect based on the Airy functions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 243-247
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 28

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies