Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Optoelectronics" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 43
Tytuł:
Optoelektroniczny długościomierz cyfrowy o podwyższonej rozdzielczości
Optoelectronics digital length measuring gauge with improved resolution
Autorzy:
Wronkowski, L.
Karczmarczyk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157866.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Opis:
W pierwszej części artykułu omówiono ogólne zasady optoelektronicznych układów pomiarowych, w których wykorzystuje się zjawisko mory oraz metody zwiększania ich rozdzielczości pomiarowej. W drugiej części przedstawiono najnowsza konstrukcję optoelektronicznego długościomierza cyfrowego opracowanego i wykonanego w Instytucie metrologii i Systemów Pomiarowych.
In the first part of the paper general principles of opto-electronic moire measurement systems are described. Moreover methods of obtaining their resolution increase are discussed there. In the second part the newest construction of opto-electronic lenth-meter, designed in Institute of Metrology and Measurement Systems is presented.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2001, R. 47, nr 5, 5; 4-8
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Blue Optoelectronics in III-V Nitrides on Silicon
Autorzy:
Krost, A.
Dadgar, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035573.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.Eq
62.20.Mk
81.15.Gh
81.40.Np
Opis:
Three simple and promising methods to grow high-quality, device-relevant gallium nitride heterostructures on silicon are presented: strain-compensation, patterning, and the insertion of low-temperature AlN interlayers. With all methods device-quality GaN can be grown. While patterning is especially interesting for light emitters, low-temperature AlN interlayers can be used universally not only for transistor structures, which require good insulation of the active layers to the Si substrate, but also for vertically contacted LEDs when doped with Si. Low-temperature AlN interlayers do not only reduce tensile stress but also improve GaN properties and strongly reduce the threading dislocation density from 10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$ to 10$\text{}^{9}$ cm$\text{}^{-2}$ for 2 low-temperature AlN layers. Additionally, the layer quality can be enhanced by using in situ Si$\text{}_{x}$N$\text{}_{y}$ masks. Best crack-free layers with dislocation densities around 10$\text{}^{9}$ cm$\text{}^{-2}$ show X-ray rocking-curve widths around 400 arcsec and narrow photoluminescence. So far, best LEDs on Si(111) have an optical output power of 0.42 mW at 20 mA and 498 nm which is enough for simple signal applications.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 555-566
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optoelektroniczna metoda analizy przemieszczeń obiektów
Optoelectronics method for devices` sets analysis
Autorzy:
Szpytko, J.
Tekielak, M.
Kohut, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153425.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
metoda optoelektroniczna
analiza przemieszczeń obiektów
optoelectronics method
devices sets analysis
Opis:
Przedmiotem artykułu jest metoda i narzędzie do analizy przemieszczeń wybranych charakterystycznych punktów urządzenia z wykorzystaniem optoelektroniki. Scharakteryzowano tor pomiarowy przedmiotu badań oraz technikę analizy obrazu. Omówiono opracowane narzędzie specjalistyczne do przetwarzania i analizy obrazu wykonane w środowisku MatLab Simulink oraz Interfejs graficzny użytkownika. Przedstawiono przykład zastosowania. Opracowana metoda analizy przemieszczeń urządzenia z wykorzystaniem kamery typu CCD oraz specjalistyczne narzędzia do analizy obrazu mogą znaleźć zastosowanie w monitoringu maszyn i urządzeń. Zaletą prezentowanej metody jest możliwość realizacji obserwacji w układach typu on-line oraz zdalnie i bezstykowo.
The paper is focusing on method and tool analysis dysplacements of selected points of the technical device with use of optoelectronics technique. The measurement track and image analysis technique have been characterized. Also the developed dedicated tool for image converting and analysing done in Matlab Simulink environment with user graphical interfejs were presented on selected implementation. Developed method for analysing selected sets of the device with use a CCD type camera with support of dedicated tool for image analysing may be applied in monitoring of any machines and engineering constructions. The advantage of presented approach is possibility to device monitoring in online types systems, in distance and noncontact.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2003, R. 49, nr 11, 11; 5-7
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
From High Electron Mobility GaN/AlGaN Heterostructures to Blue-Violet InGaN Laser Diodes. Perspectives of MBE for Nitride Optoelectronics
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043710.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd
Opis:
The recent progress in growth of nitride based semiconductor structures made by plasma assisted MBE is presented. This technology is ammonia free and nitrogen for growth is activated in RF plasma source from nitrogen molecules. The new growth mechanism - adlayer enhanced lateral diffusion of adatoms on semiconductor surface is studied in plasma assisted MBE. This mechanism enables us to achieve high quality step-flow epitaxy at temperatures 600-750ºC, much lower than expected from classical estimates based on the melting point of GaN. We show that growth at low temperatures in metal rich (gallium or indium) regime, together with use of low dislocation bulk GaN substrates, results in high quality of (In, Al, Ga)N layers and sharp interfaces. We demonstrate record high mobility of two-dimensional electron gas at GaN/AlGaN interface (with mobility exceeding 100 000 cm$\text{}^{2}$/(V s) at 4.2 K and 2500 cm$\text{}^{2}$/(V s) at 300 K) and report on first blue-violet InGaN multiquantum well laser diodes, operating in 407-422 nm wavelengths range. In this paper, we discuss also properties of strain compensated InAlN/InGaN multiquantum wells grown by plasma assisted MBE which are very attractive for telecommunication applications at 1.5μm wavelengths like electro-optical modulators or all-optical switches.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 635-651
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transmisja sygnałów analogowych z wykorzystaniem separatorów optoelektronicznych
Transmission of analogue signals with the use of optoelectronic separators
Autorzy:
Otomański, P.
Wiczyński, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152099.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
optoelektronika
separator
transoptor
nieliniowość
optoelectronics
optocoupler
nonlinearity
Opis:
W artykule omówiono podstawowe struktury separatorów sygnałów analogowych z transoptorami optoelektronicznymi ze zwróceniem szczególnej uwagi na cechy istotne dla zapewnienia liniowości charakterystyki przetwarzania. Zamieszczono ocenę liniowości charakterystyki przetwarzania wybranego optoelektronicznego separatora sygnałów prądowych. Dla doświadczalnie wyznaczonych statycznych charakterystyk przetwarzania Io=f(Ii) porównano błędy nieliniowości i aproksymacji. Na podstawie porównania wartości tych błędów sformułowano wnioski określające optymalne wykorzystanie zdolnosci transmisyjnych separatora.
In the paper, basic structures of optocouplers with special focus on their attributes important for linear processing are presented. The static characteristics Io=f(Ii) of a selected optocoupler was experimentally evaluated, and the linearity of this characteristic was examined. Using the linear regression method, an analytical equation combining the output signalIo with the input value Ii was modelled. Applying the least square method, the values of regression equation parameters were determined.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2005, R. 51, nr 9, 9; 26-29
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics
Autorzy:
Monroy, E.
Guillot, F.
Leconte, S.
Bellet-Amalric, E.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Baumann, E.
Giorgetta, F.
Hofstetter, D.
Dang, Le Si
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046980.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.Fg
78.67.De
85.60.Gz
85.35.Be
81.15.Hi
81.07.St
Opis:
Thanks to their large conduction band offset (~1.8 eV for the GaN/AlN system) and subpicosecond intersubband scattering rates, III-nitride heterostructures in the form of quantum wells or quantum dots are excellent candidates for high-speed unipolar devices operating at optical-fiber telecommunication wavelengths, and relying on the quantum confinement of electrons. In this work, we present the plasma-assisted molecular-beam epitaxial growth of quantum well infrared photodetector structures. The growth of Si-doped GaN/AlN multiple quantum well structures is optimized by controlling substrate temperature, metal excess and growth interruptions. Structural characterization confirms a reduction of the interface roughness to the monolayer scale. P-polarized intersubband absorption peaks covering the 1.33-1.91μm wavelength range are measured on samples with quantum well thickness varying from 1 to 2.5 nm. Complete intersubband photodetectors have been grown on conductive AlGaN claddings, the Al mole fraction of the cladding matching the average Al content of the active region. Photovoltage measurements reveal a narrow (~90 meV) detection peak at 1.39μm at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 295-301
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary energii promieniowania skrajnego nadfioletu
Energy measurement of extreme ultraviolet radiation
Autorzy:
Mikołajczyk, J.
Bielecki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/327398.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
Tematy:
optoelektronika
detekcja sygnałów optycznych
pomiar energii
promieniowanie EUV
nanolitografia
optoelectronics
detection of optical signals
energy measurement
EUV radiation
nanolithography
Opis:
W pracy omówiono system detekcji promieniowania skrajnego nadfioletu. Umożliwia on pomiar energii impulsów promieniowania w zakresie długości fal (13,5 š 0,5) nm. Przeprowadzone analizy i badania miały na celu określenie możliwości odniesienia wyników uzyskanych w tym zakresie długości fal do pasma (13,5 š 0,13) nm. W pracy zaprezentowano wyniki pomiaru widma promieniowania emitowanego ze źródła laserowo-plazmowego z ksenonową tarczą gazową dla różnych warunków wytwarzania plazmy. Na podstawie rezultatów otrzymanych za pomocą wzorcowego przyrządu E-Mon wyznaczono wartość tzw. skalibrowanej czułości widmowej systemu, która umożliwia odniesienie wyników pomiarów do pasma (13,5 š 0,13) nm.
The paper presents the IOE detection system for energy measurement of EUV radiation. The system measures energy of radiation pulses within the wavelength range of (13,5 š 0,5) nm. The described analyses and experiments determine possibilities of reference of results obtained from the system to the spectral range of (13,5 š 0,13) nm. The changes of radiation spectrum emitted from a laser-plasma source with xenon gas-puff target are presented. The results obtained from the standard E-Mon meter make it possible to determine a calibrated sensitivity of the IOE detection system within the wavelength range of (13,5 š 0,13) nm.
Źródło:
Diagnostyka; 2006, 3(39); 155-160
1641-6414
2449-5220
Pojawia się w:
Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mikrosystemy i Sensory
Microsystems and Sensors
Autorzy:
Maksymowicz, L.
Nowak, S.
Leja, E.
Pisarkiewicz, T.
Stapiński, T.
Zakrzewska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154228.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
optoelectronics
semiconducting gas sensors
modified multicrystalline silicon structures as a light detector thin film technology
vacuum equipment
magnetic tunnel junctions
magnetic random access memory MRAM
radio frequency identification (RFID)
mine underground environment
ceramic microsystem
microfluidics
LTCC
photoimageable thick-films
Opis:
Prezentowana praca zawiera wybrane zagadnienia naukowe związane z rozwijaną od lat tematyką w Katedrze Elektroniki dotyczącą mikrosystemów i sensorów. Autorzy odnieśli się do szczegółowych zagadnień takich jak: półprzewodnikowe sensory gazu, zmodyfikowane struktury multikrystalicznego krzemu jako detektor światła, cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania. Opisano również opracowywane technologie i konstrukcje urządzeń próżniowych do wytwarzania cienkich warstw i układów wielowarstwowych. Zaprezentowano przykładowe zastosowania techniki sensorowej i radiowej identyfikacji obiektów RFID w sektorze energetycznym. Przedstawiono zastosowanie dwóch zaawansowanych technologii ceramicznych - współwypalanych folii ceramicznych LTCC oraz warstw grubych fotoformowalnych do wytworzenia elementów składowych mikrosystemu ceramicznego dla chromatografii - mikrokanału oraz płomieniowego detektora jonizacyjnego.
The work deals with scientific problems connected with microsystems and sensor technology developed in Department of Electronics. The authors present their achievements such as semiconductor gas sensors, microcrystalline silicon light detectors, thin film magnetic tunnel junctions and their applications. Some vacuum systems for films and multilayers depositions were also designed and constructed by our scientific staff. The sensor and radio frequency identification (RFID) applications were also described. Two advanced ceramic technologies (photoimageable thick films and LTCC) has been successfully combined to obtain microfluidic structures - the microchannel and the flame ionisation detector which are intended to use in a simple, portable ceramic microsystem for chromatography.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 3, 3; 63-69
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Porous Silicon Avalanche LEDs and their Applications in Optoelectronics and Information Displays
Autorzy:
Jaguiro, P.
Katsuba, P.
Lazarouk, S.
Smirnov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047875.pdf
Data publikacji:
2007-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Mb
78.60.Fi
85.60.Jb
85.60.Pg
Opis:
The use of silicon based light emitting diodes may completely solve the problem of low compatibility of optoelectronics elements and silicon chip. At present time the most suitable kinds of Si-LEDs are monocrystal and porous silicon avalanche LEDs. They have advantages such as long operation lifetime (>10000 hours), continuous spectrum, which allows to filter RGB colors, operation voltages (<12 V), extremely sharp voltage-current characteristic, nanosecond response time, and high high operation current densities (up to 8000 A/cm$\text{}^{2}$ in pulse mode). Rather low energy efficiency (<1%) is not so significant for near to eyes (NTE) microdisplays. These advantages open a way to design a high performance and cost effective passive addressed microdisplays.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 5; 1031-1036
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wykorzystanie w biopomiarach transmisyjnego wariantu światło-tkanki
Using the transmission variant of light-tissue interaction in biomeasurements
Autorzy:
Cysewska-Sobusiak, A.
Wiczyński, G.
Krawiecki, Z.
Odon, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152344.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
biopomiar
optoelektronika
transiluminacja
biomeasurements
optoelectronics
transillumination
Opis:
W referacie omówiono wybrane zagadnienia dotyczące metrologicznych aspektów wykorzystywania optycznych właściwości tkanek w biopomiarach bazujących na transmisyjnym wariancie zachodzących interakcji. Przedstawiono przykłady współczesnych zastosowań technik transiluminacyjnych w nieinwazyjnej inżynierii biomedycznej.
In the paper some selected questions concerned metrological aspects of using tissue physics and optics in biomeasurements based on the transmission variant of occurring interactions are considered. Examples of modern applications of transillumination techniques in noninvasive biomedical engineering are presented.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 390-393
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowe kryteria oceny zagrożeń zdrowia wynikających z niezamierzonej ekspozycji na promieniowanie laserowe
New criteria of eye and skin hazards evaluation arising from accidental exposure to laser radiation
Autorzy:
Wolska, A.
Głogowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209365.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
optoelektronika
MDE
zagrożenie termiczne
zagrożenie fotochemiczne
kryteria oceny zagrożenia promieniowaniem laserowym
optoelectronics
MPE
thermal damage
photochemical damage
criteria occupational risk assessment
Opis:
W artykule przedstawiono podstawowe zagrożenia dla oka i skóry wynikające z ekspozycji na promieniowanie laserowe oraz wybrane dane statystyczne dotyczące wypadków związanych z obsługą urządzeń laserowych. Omówiono nowe kryteria oceny zagrożenia promieniowaniem laserowym dla zdrowia, zawarte w Dyrektywie 2006/25/WE, której wymagania muszą być wdrożone do prawa polskiego do 27 kwietnia 2010 r. Scharakteryzowano zasady wyznaczania wartości Maksymalnych Dopuszczalnych Ekspozycji (MDE) w zależności od: długości fali promieniowania, trybu pracy urządzenia (ciągły, impulsowy), czasu ekspozycji oraz wytłumaczono znaczenia wprowadzonych współczynników korekcyjnych oraz punktów czasowych przy wyznaczaniu MDE. W sposób graficzny przedstawiono przebiegi zmienności MDE w funkcji czasu ekspozycji, długości fali oraz kąta widzenia źródła promieniowania dla poszczególnych podzakresów promieniowania optycznego (UV, VIS, IR). Przedstawiono również podobieństwa i różnice między kryteriami obowiązującymi w chwili obecnej w Polsce zawartymi w Rozporządzeniu MPiPS w sprawie najwyższych dopuszczalnych stężeń i natężeń czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy oraz kryteriami zawartymi w Dyrektywie 2006/25/WE.
Laser devices have found recently wide range of applications like: industry, medicine, science, telecommunication, environment and military. Probability of exposition to laser radiation that can be hazardous is very small, especially when personnel using laser devices wear protective clothes, especially protective eyewear. Hazards arising from exposition to laser radiation are related separately to eye and skin. Hazards may be caused by direct beam, as well as reflected and scattered beam (depending on laser class). Laser radiation in the whole optical range (180 nm - 1 mm) causes thermal effect in exposed tissue (presently lasers devices generate radiation in the range of 180 nm - 40 µm). As thermal effects we can mention: tissue temperature increase, erythema, coagulation, vaporization, carbonization, photoablation and electromechanics phenomenon. Occurrence of those effects depends on laser radiation power density, wave - length, type of exposed tissue (eye and skin) and exposition time. The highest level of radiation that does not cause any damage to exposed tissue is called Maximal Permissible Exposure (MPE). In Poland, values of MPE to laser radiation are included in Regulation of Ministry of Labour and Social Policy on maximal permissible concentrations and intensities of hazardous factors in Labour environment. In Europe, values of MPE to laser radiation are included in annex no. II to Directive 2006/25/EU. The article presents eye and skin hazards related to the exposition to laser radiation and statistical data on accidents while operating laser devices. New criteria of eye and skin hazards evaluation arising from laser radiation, included in Directive 2006/25/EU have been presented. Those criteria have to be implemented into Polish law until 27 April 2010. Rules for defining values of the Maximal Permissible Exposure (MPE) in dependence of: laser radiation wavelength, device work regime (CW or pulsed), exposure time have been presented. Values of correction factors and time points necessary for MPE defining have been explained. Article includes charts showing variations of MPE values as a function of exposure time, radiation wavelength and angular subtense of a source for different ranges of optical radiation (UV, VIS, IR). The article presents comparison of laser's radiation hazard evaluation criteria contained in regulation of Ministry of Labour and Social Policy (on maximal permissible concentrations and intensities of hazardous factors in Labour environment) and EU Directive.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 351-367
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optoelectronics systems for sniper detection
Optoelektroniczne systemy wykrywania strzelca wyborowego
Autorzy:
Kastek, M.
Dulski, R.
Trzaskawka, P.
Zygmunt, M.
Wojtanowski, J.
Kaszczuk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/236092.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
systemy detekcyjne
systemy optoelektryczne
systems detection
optoelectronics systems
Opis:
The paper presents modern sensor systems for sniper detection. Among such systems there are active and passive opto-electronic devices. Its primary advantage is the possibility to early recognize the threat, before the sniper is able to take the shot. Presented passive systems employ thermal cameras and advanced image processing algorithms to distinguish the sniper and muzzle blast signatures. Active systems, in turn, rely on the detection of laser radiation, retro reflected from pointed optics (optical sights and observation scopes). The paper presents basic technical and tactical characteristics of sniper detection devices, both standalone and included in multi-sensor detection systems.
W artykule przedstawiono współczesne systemy detekcyjne przeznaczone do wykrywania snajpera. Wśród systemów tego typu, wprowadzanych na uzbrojenie wielu armii istotną rolę pełnia pasywne i aktywne systemy optoelektroniczne. Ich zaletą jest możliwość wczesnej detekcji zagrożenia, zwłaszcza przed oddaniem strzału przez snajpera. Przedstawione systemy pasywne wykorzystują kamery termowizyjne i zaawansowane metody analizy obrazu w celu wykrycia sygnatur snajpera i strzału z broni palnej. Systemy aktywne wykorzystują z kolei promieniowanie laserowe w celu wykrycia optycznych przyrządów celowniczych i obserwacyjnych. W artykule przedstawiono charakterystyki techniczne i taktyczne szeregu urządzeń optoelektronicznych przeznaczonych do wykrywania snajpera, pracujących jako samodzielne urządzenia bądź jako elementy składowe \\ieloczujnikowych systemów detekcyjnych.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2009, R. 38, z. 109; 23-30
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza metrologiczna wybranych układów fotodetekcyjnych stosowanych w pomiarach przemieszczeń techniką zliczania prążków interferencyjnych
Metrological analysis of selected photodetection systems used for displacement measurements by means of the counting fringe technique
Autorzy:
Zamiela, G.
Dobosz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155478.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
pomiary interferometryczne
optoelektroniczny przetwornik przemieszczeń
błędy kąta fazowego
technika zliczania prążków
interferometric measurements
optoelectronics displacement transducer
phase error
counting fringe technique
Opis:
W artykule przedstawiono analizę porównawczą wybranych wieloelementowych układów odbiorczych pola interferencyjnego o skończonym okresie prążków. Dokonano oceny poszczególnych rozwiązań pod kątem uzyskiwanego stosunku składowej zmiennej do składowej stałej sygnału oraz podatności układu na błędy interpolacji związane z niedopasowaniem okresu pola interferencyjnego do okresu wynikającego z wielosegmentowej struktury detektora. Przeprowadzono analizy teoretyczne oraz weryfikację doświadczalną skuteczności zaproponowanych rozwiązań.
An error of setting and adjustment of an interference angle of a reference and measurement beam during measurements is one of significant sources of measurement errors in interferometric displacement measurements by means of the counting fringe technique. The main reasons for these errors are: imperfections of the interferometer optical components and the reflector angle instability during its movement. They are random errors and cannot be easily compensated. Reduction of these errors is possible by means of a multi element photodetection system with reduced interference angle change susceptibility. That kind of system can be used in the interferometers as well as in the optoelectronics displacement transducers which principle of operation is a periodic field detection by a linear array of the photodetector elements. The comparison analysis of the selected periodic field photodetection systems is presented. The contrast and interpolation errors of particular solutions are evaluated. The theoretical analysis and experimental verification of the proposed solution effectiveness were performed.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 82-83
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of optical fiber technology in Poland
Autorzy:
Wójcik, W.
Romaniuk, R. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227013.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
optical fiber technology
manufacturing/fabrication of optical fibers
photonics
optoelectronics
photonic optical fibers
microstructured optical fibres
polymer optical fibers
optical polymers
silica glass
optical fiber glass
Opis:
Optical fiber technology is an important branch of science and technology, but also economy. Together with related disciplines it creates wider areas like optoelectronics and photonics. Optical fiber technology is developed in this country rather dynamically, proportionally to the available funds designed locally for research and applications. Recently this development was enhanced with considerable funds from European Operational Funds Innovative Economy POIG and Human Capital POKL. The paper summarizes the development of optical fiber technology in Poland from academic perspective during the period of last 2-3 years. Probably the digest is not very not full. An emphasis is put on development of optical fiber manufacturing methods. This development was illustrated by a few examples of optical fiber applications.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 1; 99-104
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 43

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies