Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ochalski, T. J." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Resonant Cavity Enhanced Photonic Devices
Autorzy:
Bugajski, M.
Muszalski, J.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Mroziewicz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030303.pdf
Data publikacji:
2002-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.66.Fd
78.55.-m
78.67.De
78.45.+h
78.47.+p
Opis:
In the present paper we review our recent works on technology, basic physics, and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As/GaAs planar microcavities with distributed Bragg reflectors. In general, observed trends are in agreement with theoretical predictions. We also demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes and optically pumped vertical cavity light emitting diodes developed recently at the Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 1; 105-118
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoreflectance Studies of InGaAs/GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser Structures
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992051.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We report on photoreflectance investigations of strained-layer In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs/Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As single quantum well laser structures grown by molecular beam epitaxy. All the observed photoreflectance spectral features were assigned to the e-hh transitions with Δn=0. The transition energies were determined and compared to their values calculated within the envelope function approximation. Assuming that one third of the total strain in the central In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As layer is relaxed by biaxial deformation of surrounding thin GaAs layers, it is possible to explain reasonably the results of our photoreflectance experiment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 463-467
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract
Autorzy:
Szerling, A.
Kosiel, K.
Płuska, M.
Ochalski, T. J.
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378453.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A3 B5 materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared with the information taken from literature concerning sources of the defects and causes of their appearance.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 6; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Epitaxial Layer Thickness on Built-in Electric Field in Region of AlGaAs/SI-GaAs Interface: A Photoreflectance Study
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Vlasukova, L. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968408.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We present a study of detailed line shapes of photoreflectance spectra for Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$ As/SI-GaAs epitaxial layers grown by MBE. All measurements were performed at 80 K under UHV conditions with a special care for the samples surface quality. A set of the photoreflectance spectra was collected for photon energies close to the GaAs and Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As band gaps (E$\text{}_{0}$). The photoreflectance spectra originated in the vicinity of the Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/SI-GaAs interface were analyzed using the complex Airy function model of Franz-Keldysh oscillations. To examine the effect of the epitaxial layer thickness on parameters characterizing the interface, a step-by-step chemical etching was applied for stripping the top layers. The built-in electric field intensity, field inhomogeneity and phenomenological broadening parameter for interface regions were determined as a function of the epilayer thickness.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 935-939
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies