Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "N.B. Opracowanie" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Wybór materiałów archiwalnych
Autorzy:
Bujniewicz, Natalia.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Służby Archiwalnej 2007, nr 29, s. 357-[395]
Współwytwórcy:
N.B. Opracowanie
Data publikacji:
2007
Tematy:
Gawlina, Józef F.
Gawlina Józef F. (1892-1964) biografia źródła
Polskie Siły Zbrojne Armia Polska na Wschodzie duszpasterstwo 1942-1943 r. źródła
Duszpasterstwo wojskowe Polska 1939-1945 r. źródła.
Opis:
Fot.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Wybór materiałów archiwalnych
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Służby Archiwalnej 2007, nr 29, s. 357-[395]
Współwytwórcy:
N.B. Opracowanie
Data publikacji:
2007
Tematy:
Gawlina, Józef (1892-1964)
Polskie Siły Zbrojne w ZSRR (1941-1942)
Armia Polska na Wschodzie
Centralne Archiwum Wojskowe zbiory
Duszpasterstwo wojskowe Polska 1939-1945 r.
Wojsko Polskie (1939-1945)
Źródła historyczne
Opis:
Fot.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
Autorzy:
Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192250.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
chemiczne barwienie
thickness of epitaxial layer
chemical decoration
Opis:
Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.
A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 14-17
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies