Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mladenov, V." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Analysis of an anti-parallel memristor circuit
    Analiza przeciwrównoległego obwodu memrystorowego
    Autorzy:
    Mladenov, V.
    Kirilov, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408335.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    memristor
    anti-parallel memristor circuit
    finite differences method
    equivalent resistance
    memrystor
    przeciwrównoległy obwód memrystorowy
    metoda różnic skończonych
    rezystancja równoważna
    Opis:
    The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.
    Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 9-14
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Advanced memristor model with a modified Biolek window and a voltage-dependent variable exponent
    Zaawansowany model memrystora ze modyfikowanym oknem Biolek oraz eksponentą zależną od napięcia
    Autorzy:
    Mladenov, V.
    Kirilov, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408364.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    memristor
    nonlinear ionic dopant drift
    modified Biolek window function
    voltage-dependent exponent
    memrystor
    nieliniowy dryft domieszki jonowej
    zmodyfikowana funkcja okna Biolek
    wykładnik zależny od napięcia
    Opis:
    The main idea of the present research is to propose a new nonlinear ionic drift memristor model suitable for computer simulations of memristor elements for different voltages. For this purpose, a modified Biolek window function with a voltage-dependent exponent is applied. The proposed modified memristor model is based on Biolek model and due to this and to the use of a voltage-dependent positive integer exponent in the modified Biolek window function it has a new improved property - changing the model nonlinearity extent dependent on the integer exponent in accordance with the memristor voltage. Several computer simulations were made for soft-switching and hard-switching modes and also for pseudo-sinusoidal alternating voltage with an exponentially increasing amplitude and the respective basic important time diagrams, state-flux and i-v relationships are established.
    Główną ideą niniejszej pracy jest zaproponowanie nowego modelu nieliniowego dryfu jonowego, odpowiedniego do komputerowych symulacji elementów memrystorowych dla różnych napięć. W tym celu stosowana jest zmodyfikowana funkcja okna Biolek z wykładnikiem zależnym od napięcia. Zaproponowany zmodyfikowany model memrystora oparty jest na modelu Biolek i dzięki temu oraz zastosowaniu zależnego od napięcia dodatniego współczynnika całkowitego w zmodyfikowanej funkcji okna Biolek ma on nową ulepszoną właściwość - zmieniając nieliniową zależność modelu od wykładnika całkowitego zgodnie z napięciem memrystora. Przeprowadzono kilka symulacji komputerowych dla trybów przełączania miękkiego i twardego, a także dla pseudo-sinusoidalnego napięcia przemiennego z wykładniczo rosnącą amplitudą i ustalono odpowiednie podstawowe wykresy czasowe, i zależności stan-strumień oraz prądowo-napięciowe.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 15-20
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies