Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Karbovnyk, I." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Combustion Formation of Novel Nanomaterials: Synthesis and Cathodoluminescence of Silicon Carbide Nanowires
Autorzy:
Savchyn, V.
Karbovnyk, I.
Popov, A.
Huczko, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807601.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.Hk
78.67.Bf
81.07.Bc
Opis:
This paper presents the combustion synthesis and characterization of one-dimensional silicon carbide nanostructures (nanowires of 3C-SiC polytype with zincblend structure) by means of cathodoluminescence technique. Cathodoluminescence spectra of nano-SiC samples and, as a reference, of a commercially available SiC micropowder are compared. It is shown that the emission band at 1.97 eV which is slightly evidenced in the spectrum of the commercial SiC under 10 keV electron beam irradiation becomes the prevailing band in CL of the purified silicon carbide nanowires.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-142-S-145
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High temperature stability of electrical and optical properties of bulk GaN:Mg grown by HNPS method in different crystallographic directions
Autorzy:
Sadovyi, B.
Amilusik, M.
Staszczak, G.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Konczewicz, L.
Tsybulskyi, V.
Panasyuk, M.
Rudyk, V.
Karbovnyk, I.
Kapustianyk, V.
Litwin-Staszewska, E.
Piotrzkowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1159722.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
Single crystals of Mg-doped GaN grown by high nitrogen pressure solution method in different crystallographic directions ([0001], [101̅1], and [101̅1̅]) were investigated in order to determine thermal stability of their electrical and optical properties. Obtained dependences of resistivity, the Hall coefficient and energy shift of Mg-related photoluminescence peak on annealing temperature allow to suggest that incorporation of Mg in GaN is significantly influenced by the direction of the crystallization front.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-126-A-128
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies