Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hoffman, C. A." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Far-Infrared Magneto-Optical Studies of HgTe-CdTe Superlattices in the Semimetallic Regime
Autorzy:
Wojtowicz, T.
Dobrowolska, M.
Furdyna, J.K.
Meyer, J. R.
Bartoli, F. J.
Hoffman, C. A.
Ram-Mohan, L. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888086.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.Fa
78.30.Fs
Opis:
We review recent magneto-optical investigations performed on HgTe-CdTe semimetallic superlattices. Far infrared magnetotransmission data obtained as a function of temperature, photon energy, and sense of circular polarization are compared with the predictions of a comprehensive new theory which fully incorporates the complexities of type-III superlattice band structure. It is found that the theory accounts for nearly all of the many unusual features which have been observed experimentally. These include the occurrence of two cyclotron resonances due to holes; the coexistence of electron and hole cyclotron resonances in the low temperature limit; the observation of three distinct CRA minima; a step-like change in the temperature dependence of the electron cyclotron mass; and a dramatic increase of the CRI absorption peak intensity with increasing magnetic field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 245-254
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Review of G. Hoffman/A. Hornung (eds.), Emotion in Postmodernism. American Studies – A Monograph Series, vol. 74. Universitätsverlag C. Winter, Heidelberg, 1997.
Autorzy:
Frelik, Paweł
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/605502.pdf
Data publikacji:
1997
Wydawca:
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej. Wydawnictwo Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej
Źródło:
Lublin Studies in Modern Languages and Literature; 1997, 21; 301-302
0137-4699
Pojawia się w:
Lublin Studies in Modern Languages and Literature
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On Banach spaces containing $c_{0}$. A supplement to the paper by J.Hoffman-Jørgensen "Sums of independent Banach space valued random variables"
Autorzy:
Kwapień, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1385950.pdf
Data publikacji:
1974
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
Źródło:
Studia Mathematica; 1974-1975, 52, 2; 187-188
0039-3223
Pojawia się w:
Studia Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Autorzy:
Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS
Opis:
This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies