Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grodecki, R." wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
Autorzy:
Słysz, W.
Guziewicz, M.
Borysiewicz, M.
Domagała, J.
Pasternak, I.
Hejduk, K.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Węgrzecki, M.
Grabiec, P.
Grodecki, R.
Węgrzecka, I.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
Autorzy:
Grodecki, K.
Bożek, R.
Borysiuk, J.
Strupinski, W.
Wysmolek, A.
Stępniewski, R.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.48.Gh
78.30.Fs
Opis:
The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies