Wszystkie pola: Ga-Li - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Calorimetric Measurements of Ga-Li System by Direct Reaction Method
Autorzy:: Dębski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/350810.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: gallium-lithium system
Ga-Li
calorimetry
thermochemistry
Opis:: The direct reaction calorimetric method was used for the determination of the formation enthalpy of alloys which concentrations correspond to the: Ga₇Li₂, Ga₉Li₅, GaLi, Ga₄Li₅, Ga₂Li₃, and GaLi₂ intermetallic phases. The obtained experimental values of the formation enthalpy were: –18.1 ±0.8 kJ/mol at., –26.5 ±0.3 kJ/mol at., –34.7 ±0.3 kJ/mol at., –33.5 ±0.5 kJ/mol at., –32.8 ±0.3 kJ/mol at. and –24.6 ±1.4 kJ/mol at., respectively. After the calorimetric measurements, all the samples were checked by way of X-ray diffraction investigations to confirm the structure of the measured alloys. All the measured values of the formation enthalpy of the Ga-Li alloys were compared with literature data and the data calculated with use of the Miedema model.
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2A; 919-926
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Internal Friction of Phase Transformations Observed Around Room Temperature in Ga-In-Sn Eutectic Alloys
Tarcie wewnętrzne przemian fazowych obserwowanych przy temperaturze pokojowej w eutektycznym stopie Ga-In-Sn
Autorzy:: Jin, M.
Li, Q.
Ying, R.
Lu, X.
Jin, X.
Ding, X.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/352781.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: Ga-In-Sn alloy
internal friction
liquid-liquid transition
stop Ga-In-Sn
tarcie wewnętrzne
wstępne krzepnięcie
Opis:: The phase transformation phenomena in eutectic Ga-In-Sn alloys around room temperature are studied by thermal analysis, internal friction, and in-situ XRD methods. The results show that in addition to the solidification transformation, a novel the so-called ‘pre-solidification’ phase transition, demonstrating first-order feature, is observed prior to the crystallization during cooling. The internal friction increases when the ‘pre-solidification’ effect occurs. The shear modulus increases until crystallization. An internal friction peak is attributed to the melting process observed during heating. The mechanism of the ‘pre-solidification’ transformation in Ga-In-Sn eutectic alloy is discussed.
Zjawiska przemian fazowych w eutektycznych stopach Ga-In-Sn, około temperatury pokojowej, badane są metodami analizy termicznej, tarcia wewnętrznego i XRD in-situ. Wyniki pokazują, że w dodatku do przemiany krzepnięcia, nowa przemiana tzw. „wstępne krzepnięcie”, o charakterze przemiany pierwszego rzędu, obserwowana jest przed krystalizacją podczas chłodzenia. Tarcie wewnętrzne zwiększa się, gdy występuje „wstępnie krzepnięcie”. Moduł sprężystości poprzecznej zwiększa się aż do krystalizacji. Wewnętrzny pik tarcia przypisany jest do topienia obserwowanego podczas ogrzewania. Omówiono mechanizm przemiany „wstępnego krzepnięcia” w eutektycznym stopie Ga-In-Sn.
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2097-2100
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Growth of β-$Ga_2O_3$ Nanorods and Photoluminescence Properties
Autorzy:: Zhang,, S.
Zhuang, H.
Xue, C.
Li, B.
Shen, J.
Wang, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1814023.pdf
Data publikacji:: 2007-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.65.-k
79.60.Jv
81.15.Cd
Opis:: β-$Ga_2O_3$ nanorods were successfully fabricated through annealing $Ga_2O_3$/Mo films deposited on the Si (111) substrate by radio frequency magnetron sputtering technique. The morphology and structure of the as-synthesized nanorods were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, and energy dispersive X-rays spectroscopy. The results show that the formed nanorods are single-crystalline $Ga_2O_3$ with monoclinic structure. The diameters of nanorods are 200 nm and lengths typically up to several micrometers. A photoluminescence spectrum at room temperature under excitation at 325 nm exhibits two strong blue-light peaks located at about 413.0 nm and 437.5 nm, attributed to the recombination of bound electron-hole exciton in β-$Ga_2O_3$ single crystal. The growth process of the β-$Ga_2O_3$ nanorods is probably dominated by conventional vapor-solid mechanism.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 6; 1195-1201
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Fabrication of High-Density GaN Nanowires through Ammoniating $Ga_2O_3//Nb$ Films
Autorzy:: Zhuang, H.
Li, B.
Zhang, S.
Zhang, X.
Xue, Ch.
Wang, D.
Shen, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1813498.pdf
Data publikacji:: 2008-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.65.-k
81.05.Ea
81.15.Cd
Opis:: High-density GaN nanowires were successfully synthesized on Si(111) substrates through ammoniating $Ga_2O_3//Nb$ films under flowing ammonia atmosphere at 950°C. The as-synthesized GaN nanowires are characterized by X-ray diffraction, selected-area-electron diffraction, Fourier transform infrared, scanning electron microscopy, and field-emission transmission electron microscopy. The results show that the synthesized nanowires are single-crystal hexagonal wurtzite GaN with diameters ranging from 30 to 100 nm and lengths up to several microns. The photoluminescence spectra measured at room temperature only exhibit a strong and broad emission peak at 367.8 nm. Finally, the growth mechanism of GaN nanowires is discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 2; 723-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Off-Axis Electron Holography of Magnetic Nanostructures: Magnetic Behavior of Mn Rich Nanoprecipitates in (Mn,Ga)As System
Autorzy:: Barańska, M.
Dłużewski, P.
Kret, S.
Morawiec, K.
Li, Tian
Sadowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1033003.pdf
Data publikacji:: 2017-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.05.jp
68.37.Lp
07.05.Pj
75.50.Pp
Opis:: The Lorentz off-axis electron holography technique is applied to study the magnetic nature of Mn rich nanoprecipitates in (Mn,Ga)As system. The effectiveness of this technique is demonstrated in detection of the magnetic field even for small nanocrystals having an average size down to 20 nm.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1406-1408
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Two-Probe Measurements of Electron Transport in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si Spin Filter Structures
Autorzy:: Kalbarczyk, K.
Foltyn, M.
Grzybowski, M.
Stefanowicz, W.
Adhikari, R.
Li, Tian
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Bonanni, A.
Dietl, T.
Sawicki, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1398574.pdf
Data publikacji:: 2016-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.25.Dc
73.40.Cg
73.43.Qt
78.55.Cr
Opis:: Results of two-probe magnetoresistance studies in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si prospective spin filter structures are reported. It is postulated that transport characteristics are strongly influenced by highly conductive threading dislocations and that shrinking of the device size partially mitigates the issue. Simultaneously, maxima at ≈1500 Oe on overall weak, up to 2%, negative magnetoresistance are seen at low temperature, whose origin has been tentatively assigned to effects taking place at the contacts areas.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1196-1198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Magnetooptical Properties of (Ga,Fe)N Layers
Autorzy:: Papierska, J.
Rousset, J.
Pacuski, W.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Nawrocki, M.
Gaj, J.
Suffczyński, J.
Kowalik, I.
Stefanowicz, W.
Sawicki, M.
Dietl, T.
Navarro-Quezada, A.
Faina, B.
Li, T.
Bonanni, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492954.pdf
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.50.Pp
75.30.Hx
78.20.Ls
71.35.Ji
Opis:: Magnetooptical properties of (Ga,Fe)N layers containing various concentrations of Fe-rich nanocrystals embedded in paramagnetic (Ga,Fe)N layers are reported. Previous studies of such samples demonstrated that magnetization consists of a paramagnetic contribution due to substitutional diluted Fe ions as well as of ferromagnetic and antiferromagnetic components originating from Fe-rich nanocrystals, whose relative abundance can be controlled by the growth conditions. The nanocrystals are found to broaden and to reduce the magnitude of the excitonic features. However, the ferromagnetic contribution, clearly seen in SQUID magnetometry, is not revealed by magnetic circular dichroism. Possible reasons for differences in magnetic response determined by magnetic circular dichroism and SQUID measurements are discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Ga-Li" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język