Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Chen, M." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 97
Tytuł:
Impact Ionization Driven Chaotic Photoluminescence Oscillations in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As
Autorzy:
Godlewski, M.
Fronc, K.
Gajewska, M.
Chen, W.M.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888119.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
72.70.+m
76.90.+d
Opis:
A new application of the Optically Detected Cyclotron Resonance (ODCR) is presented. We report impact ionization studies of bound exciton: (BE) and shallow donor related recombination processes in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As. An appearance of chaotic oscillations in photoluminescence (PL) intensity is observed under condition of impact ionization of deeper donors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 271-274
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Te-Related Shallow Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Godlewski, M.
Fronc, K.
Chen, W. M.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890838.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The first studies of the Optically Detected Magnetic Resonance (ODMR) of Te-doped (x = 0.42) are presented. The ODMR data indicate an efficient energy transfer between epilayer and GaAs substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 341-344
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Karpińska, K.
Godlewski, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Chen, W. M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of the apple defect on the frequency response spectra during nondestructive acoustic sensing of fruit firmness
Autorzy:
Chen, H
Duprat, F.
Grotte, M.
Loonis, D.
Pietri, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25083.pdf
Data publikacji:
1995
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
firmness
apple
apple defect
fruit firmness
Źródło:
International Agrophysics; 1995, 09, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A note on Poisson approximation by w-functions
Autorzy:
Majsnerowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1339020.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
Tematy:
w-functions
Poisson
binomial
total variation distance
Stein-Chen identity
hypergeometric distributions
negative binomial
Opis:
One more method of Poisson approximation is presented and illustrated with examples concerning binomial, negative binomial and hypergeometric distributions.
Źródło:
Applicationes Mathematicae; 1998-1999, 25, 3; 387-392
1233-7234
Pojawia się w:
Applicationes Mathematicae
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Performance of transgenic pigs produced with the use of two different growth hormone gene constructs
Autorzy:
Rozycki, M
Smorag, Z.
Kopchick, J.J.
Chen, W.Y.
Jura, J.
Pasieka, J.
Orzechowska, B
Gajda, B.
Skrzyszowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043872.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
pig
transgenic pig
gene
performance trait
coding gene
genetic engineering
growth hormone
Źródło:
Journal of Applied Genetics; 1999, 40, 1; 29-37
1234-1983
Pojawia się w:
Journal of Applied Genetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recharging processes of Cr ions in Mg↓2SiO↓4 and Y↓3Al↓5O↓12 crystals under influence of annealing and ~^-irradiation
Autorzy:
Kaczmarek, Sławomir M.
Chen, W.
Boulon, Georges.
Włodarski, Maksymilian.
Kaczmarek, M.
Podgórska, Danuta.
Powiązania:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2003, nr 12, s. 89-100
Data publikacji:
2003
Tematy:
Monokryształy badanie
Promieniowanie elektromagnetyczne stosowanie
Kryształy chemia
Krystalografia
Optoelektronika
Opis:
Procesy zmiany stanów ładunkowych jonów chromu w kryształkach Mg↓2SiO↓4 oraz Y↓3Al↓5O↓12 pod wpływem wygrzewania i naświetlania kwantami gamma.
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Luminescence of Highly Excited Nonpolar a-Plane GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells
Autorzy:
Juršėnas, S.
Kuokštis, E.
Miasojedovas, S.
Kurilčik, G.
Žukauskas, A.
Chen, C. Q.
Yang, J. W.
Adivarahan, V.
Asif Khan, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038100.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
Carrier recombination dynamics in polar and nonpolar GaN epilayers and GaN/AlGaN multiple quantum wells grown over sapphire substrates with various crystallographic orientation were studied under high photoexcitation by 20 ps laser pulses. The transient of luminescence featured a significant enhancement in nonradiative recombination of free carriers for nonpolar a-plane GaN epilayers compared to conventional c-plane samples. The epitaxial lateral overgrowth technique was demonstrated to significantly improve the quality of nonpolar a-plane films. This was proved by more than 40-fold increase in luminescence decay time (430 ps compared to ≤10 ps in the ordinary a-plane epilayer). Under high-excitation regime, a complete screening of built-in electric field by free carriers in multiple quantum wells grown on c-plane and r-plane sapphire substrates was achieved. Under such high excitation, luminescence efficiency and carrier lifetime of multiple quantum wells was shown to be determined by the substrate quality.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 567-573
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Superconducting Pinning by Magnetic Domains in a Ferromagnet-Superconductor Bilayer
Autorzy:
Cieplak, M. Z.
Adamus, Z.
Konczykowski, M.
Chen, X. M.
Byczuk, A.
Abal'oshev, A.
Sang, Hai.
Chien, C. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041450.pdf
Data publikacji:
2004-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.Ha
74.25.Qt
74.78.Db
74.78.Fk
Opis:
The local flux profile and the critical current are studied using an array of Hall sensors in a ferromagnetic-superconducting bilayer which consists of niobium film covering ferromagnetic Co/Pt multilayer with perpendicular magnetic anisotropy. The results indicate about threefold enhancement of the flux pinning in niobium layer caused by the isolated magnetic domains which are created during the magnetization reversal of the Co/Pt multilayer. The geometrical barrier is absent, and the critical current is strongly peaked in close vicinity to the sample center, suggesting that the critical state differs from that predicted by the Bean model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 5; 693-698
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defects in Dilute Nitrides
Autorzy:
Chen, W. M.
Buyanova, I. A.
Tu, C. W.
Yonezu, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043705.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
71.55.Eq
76.70.Hb
Opis:
We provide a brief review of our recent results from optically detected magnetic resonance studies of grown-in non-radiative defects in dilute nitrides, i.e. Ga(In)NAs and Ga(Al,In)NP. Defect complexes involving intrinsic defects such as As$\text{}_{a}$ antisites and Ga$\text{}_{i}$ self-interstitials were positively identified. Effects of growth conditions, chemical compositions and post-growth treatments on formation of the defects are closely examined. These grown-in defects are shown to play an important role in non-radiative carrier recombination and thus in degrading optical quality of the alloys, harmful to performance of potential optoelectronic and photonic devices based on these dilute nitrides.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 571-579
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence of Highly Photoexcited GaN Epilayers and Heterostructures Grown on Different Sapphire Crystal Planes
Autorzy:
Juršėnas, S.
Miasojedovas, S.
Kurilčik, G.
Liuolia, V.
Žukauskas, A.
Chen, C. Q.
Yang, J. W.
Kuokštis, E.
Adivarahan, V.
Asif Khan, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041736.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
GaN epilayers and AlGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition on different crystal planes (c, a, and r) of the sapphire substrate were studied by excitation intensity dependent and time-resolved photoluminescence. In polar multiple quantum wells grown on a- and c-planes, a blueshift of the luminescence band with increasing the excitation energy was observed, indicating that screening of built-in field by free carriers takes place, whereas in nonpolar r-plane grown multiple quantum wells, the luminescence band maintained an almost constant peak position. Full screening of built-in field was achieved at the excitation densities higher than 0.3 mJ/cm$\text{}^{2}$. Under conditions of screened built-in electric field the structures were characterized by carrier lifetime. It was shown that nonpolar multiple quantum wells suffer from high density of nonradiative traps that can be due to substrate related threading dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 235-239
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Post-extinction brachiopod faunas from the Late Permian Wuchiapingian coal series od South China
Autorzy:
Chen, Z Q
Campi, M.J.
Shi, G.R.
Kaiho, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/20940.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Paleobiologii PAN
Tematy:
Lopingian
Wuchiapingian
brachiopod
Permian
China
Late Permian
mass extinction
Guadalupian
Brachiopoda
paleontology
Opis:
This paper describes fourteen brachiopod species in eleven genera from the Late Permian Wuchiapingian Coal Series (Lungtan Formation) of South China. Of these, the shell bed fauna from the basal Lungtan Formation is interpreted to represent the onset of the recovery of shelly faunas in the aftermath of the Guadalupian/Lopingian (G/L) mass extinction in South China. The post−extinction brachiopod faunas in the Wuchiapingian are characterized by the presence of numerous Lazarus taxa, survivors, and newly originating taxa. These elements capable of adapting their life habits were relatively more resistant to the G/L crisis. The post−extinction faunas, including survivors and the elements originating in the recovery period, have no life habit preference, but they were all adapted to a variety of newly vacated niches in the Late Permian oceans. Two new species, Meekella beipeiensis and Niutoushania chongqingensis, are described, and two Chinese genera, Niutoushania and Chengxianoproductus, are emended based on re−examination of the type specimens and new topotype materials from the Lungtan Formation.
Źródło:
Acta Palaeontologica Polonica; 2005, 50, 2
0567-7920
Pojawia się w:
Acta Palaeontologica Polonica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 97

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies