Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Caban, P." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 28
Tytuł:
Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
Autorzy:
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Zynek, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Kościewicz, K.
Czołak, D.
Nizel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
epitaksja związków półprzewodnikowych
technologia MOCVD
struktura półprzewodnikowa
struktura fotoniczna
zastosowanie komputerów
studnia kwantowa
metody numeryczne
Opis:
Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane zagadnienia zanieczyszczenia środowiska hałasem pochodzącym z pracy maszyn i urządzeń rolniczych
Selected issues of the environmental noise pollution coming from the work of the agricultural machines and equipment
Autorzy:
Caban, J.
Maksym, P.
Marczuk, A.
Droździel, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/313809.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
zanieczyszczenia środowiska
maszyny rolnicze
bezpieczeństwo pracy
pollution
agricultural machines
work safety
Opis:
Bezpieczeństwo pracy w sektorze rolnictwa w znacznej mierze zależy od fachowej wiedzy w kontekście wykonywanych czynności agrotechnicznych, postępowaniu ze zwierzętami gospodarskimi oraz obsługi maszyn i urządzeń wykorzystywanych w produkcji rolniczej. W artykule zaprezentowano problematykę zagrożenia hałasem w rolniczym środowisku pracy. Przedstawiono główne źródła hałasu w rolnictwie oraz poziomy normatywne dla maszyn i urządzeń wykorzystywanych w indywidualnych gospodarstwach rolniczych. Zaprezentowano podstawowe formy przeciwdziałania zagrożeniu hałasem w sektorze rolnictwa w Polsce.
Work safety in the agricultural sector largely depends on the expertise within the context of their operations agronomic, dealing with livestock and operation of machinery and equipment used in agricultural production. The article presents the problem of noise pollution in the agricultural working environment. We present the main sources of noise in agriculture and normative levels achieved by machinery and equipment used on farms. The basic forms of counteracting threats noise in the agricultural sector in Poland was presented.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 55-58
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu morskiego w basenie morza bałtyckiego
Chosen aspects of safety of maritime transport in the Baltic Sea Basin
Autorzy:
Caban, J.
Porębska, E.
Sopoćko, M.
Droździel, P.
Vrábel, J.
Šarkan, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/312679.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
bezpieczeństwo na morzu
transport morski
Morze Bałtyckie
safety at sea
maritime transport
Baltic Sea
Opis:
Gospodarka morska jest w szczególny sposób narażona na niebezpieczeństwo ze względu na środowisko swojej działalności. Zagrożenia te wynikają zarówno z działań umyślnych, jak i przypadkowych (warunki hydrometeorologiczne, mechaniczne itp.). Są to zagrożenia zależne i niezależne od człowieka np. środowiskowe, bezpieczeństwo zdrowia i życia ludzi, czy mienia. Pomimo podejmowania prób ograniczania ryzyka niebezpieczeństwa, niemożliwe jest jego całkowite wyeliminowanie. Pomocne mogą być wszelkiego rodzaju systemy bezpieczeństwa, alarmowe, ratunkowe, oraz działania legislacyjne i edukacyjne armatorów i załóg statków do działań obronnych. W artykule przedstawiono wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu w basenie morza Bałtyckiego oraz podjęto próbę analizy stanu bezpieczeństwa na tym akwenie.
The maritime economy is particularly exposed to danger due to the environment of its operations. These risks result from deliberate actions, as well as incidental (hydrometeorological conditions, mechanical, etc.). These are the threat dependent and independent of human eg. environmental, safety health and life of humans or belongings. In spite of attempts to limit the risk of danger, it is impossible to completely eliminate it. May be helpful here all kinds of security systems, alarm, emergency, legislative and educational of ship owners and crews to the defense activities. The article presents some aspects of the state of transportation safety in the Baltic Sea Basin as well as undertaken the attempt to analyze the security state of this sea area.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 59-62
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vehicle tire pressure monitoring systems
Systemy monitorujące ciśnienie w oponach pojazdów
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Barta, D.
Liščák, Š.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/327382.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Towarzystwo Diagnostyki Technicznej PAN
Tematy:
diagnostic information
monitoring system
road safety
tire
informacja diagnostyczna
system monitorowania
bezpieczeństwo
ruch drogowy
opona
Opis:
Drivers very often disregard the condition of tires and the value of the prevailing pressure in them. Changes in the value of air pressure in a tire have a significant impact on driving comfort, fuel efficiency and road safety. The article presents selected pressure control systems used in automotive vehicles, based on a literature review and the authors' experience.
Operatorzy pojazdów bardzo często lekceważą stan techniczny ogumienia oraz wartość ciśnienie panującego w oponach. Zmiany wartości ciśnienia powietrza w oponie mają istotny wpływ na komfort jazdy, zużycie paliwa oraz bezpieczeństwo w ruchu drogowym. W artykule w oparciu o przegląd literatury zagadnienia oraz doświadczenie autorów, przedstawiono wybrane układy kontroli wartości ciśnienia wykorzystywane w pojazdach samochodowych.
Źródło:
Diagnostyka; 2014, 15, 3; 11-14
1641-6414
2449-5220
Pojawia się w:
Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport of Photoexcited Electron-Hole Plasma in GaN/AlGaN Quantum Well
Autorzy:
Korona, K.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791352.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
72.40.+w
Opis:
We report spatially resolved photocurrent measurements showing transport of excitation on long distances in plane of a 6 nm GaN/$Al_{0.1}Ga_{0.9}N$ quantum well. The strong field present in nitrides (due to large spontaneous and piezoelectric polarizations) leads to lower recombination rates of electrons and holes, so in the case of electron-hole pairs excited by light, relatively long-lived electron-hole plasma could be generated. In the case of the investigated quantum well, lifetime of few μs was expected. The thermal measurements showed that barriers were low enough, so all excited carriers could reach the electrode (thermal activation energy of 0.11 eV was found). The diffusion length for unbiased structure was about 40 μm. It was observed that the charge transport could be clearly accelerated by bias. In the biased quantum well, the transport range was of the order of 100 μm under both positive and negative bias. The reported effect of long transport range is very important for electronic devices made on the GaN/AlGaN structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 927-929
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The research on ageing of glycol-based brake fluids of vehicles in operation
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Vrábel, J.
Šarkan, B.
Marczuk, A.
Krzywonos, L.
Rybicka, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/957941.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
braking system
fluids ageing
operational
road safety
wear
Opis:
The road safety depends on many factors, including the efficiency of the technical system and the disposal of the driver of the vehicle. As wear of most of the vehicle assemblies threatened only with a breakdown, excessive wear of the braking system components may pose a risk of a traffic accident. The article presents a study on the quality of the brake fluid conductivity as a function of temperature and water content conducted for a selected group of vehicles. This group of vehicles was characterized by different production date and had a different of vehicle mileage. We presented the methodology of statistical analysis of the quality of brake fluid tests in selected 38 passenger vehicles in operation.
Źródło:
Advances in Science and Technology. Research Journal; 2016, 10, 32; 9-16
2299-8624
Pojawia się w:
Advances in Science and Technology. Research Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The impact of stiffness of engine suspension cushions in an all-terrain vehicle on its transverse displacement
Autorzy:
Gardyński, L.
Caban, J.
Droździel, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/347796.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Akademia Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki
Tematy:
machinery diagnostics
engine vibration
rubber vibration isolation
military all-terrain vehicle
Opis:
The article presents the results of experimental research carried out for different types of diesel engine suspension cushions (plate connectors) in two all-terrain cars. The study was performed using three types of engines in three combustion engines operating conditions. The analyzed parameters were transverse displacement engine vibrations caused during various engine operating conditions between the engine and body of the vehicle. The results of the tests of different types of plate connectors for engine suspension can be useful when designing propulsion systems for military vehicles and military utility all-terrain cars, or as shown by the author [4,5] to modernize the existing military vehicles. Vibrations transmitted to the body chassis can also have a significant impact on the operation of the vehicle mounted equipment and weaponry.
Źródło:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki; 2015, 2; 95-102
1731-8157
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Detection by the Entire Channel of High Electron Mobility Transistors
Autorzy:
Sakowicz, M.
Łusakowski, J.
Karpierz, K.
Knap, W.
Grynberg, M.
Köhler, K.
Valusis, G.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811985.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.+a
78.20.Ls
85.30.Tv
07.57.Kp
Opis:
GaAs/AlGaAs and GaN/AlGaN high electron mobility transistors were used as detectors of THz electromagnetic radiation at liquid helium temperatures. Application of high magnetic fields led to the Shubnikov-de Haas oscillations of the detection signal. Measurements carried out with a simultaneous modulation of the intensity of the incident THz beam and the transistor gate voltage showed that the detection signal is determined by the electron plasma both in the gated and ungated parts of the transistor channel. This result is of importance for understanding the physical mechanism of the detection in high electron mobility transistors and for development of a proper theoretical description of this process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1343-1348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Podstawowe obowiązki pracodawcy w zakresie występowania czynników rakotwórczych i/lub mutagennych w środowisku pracy
Main obligations of the employer in terms of occurrence carcinogenic and/or mutagenic substances in environmental work
Autorzy:
Caban, A.
Stradomski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/103606.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
czynniki rakotwórcze
czynniki mutagenne
carcinogenic substances
mutagens substances
Opis:
Występowanie w środowisku pracy substancji rakotwórczych i/lub mutagennych stanowi bezpośrednie zagrożenie dla zdrowia lub życia osób narażonych na ich oddziaływanie. Oprócz standardowych obowiązków w zakresie bhp, na barkach pracodawcy spoczywają więc dodatkowe zadania wynikające z art. 222 § 1 K.p. W artykule omówiono szczegółowe reguły postępowania określone w Rozporządzeniu Ministra Zdrowia z dnia 24 lipca 2012 r. w sprawie substancji chemicznych, ich mieszanin, czynników lub procesów technologicznych o działaniu rakotwórczym lub mutagennym w środowisku pracy oraz zharmonizowaną klasyfikację kancerogenów i mutagenów. Celem wypełnienia nałożonych na pracodawcę obowiązków jest objęcie właściwą opieką zdrowotną pracowników zawodowo narażonych na kancerogeny i podjęcie szeroko rozumianych działań profilaktycznych.
The occurrence in the workplace carcinogens and / or mutagens substances is a direct threat to the health or life of people exposed to their influence. In addition to standard health and safety obligations on the shoulders of the employer rest so additional tasks resulting from art. 222 § 1 K. P. The article discusses the detailed rules of conduct set out in the Regulation of the Minister of Health of 24 July 2012. On chemical substances and their mixtures, factors or technological processes with carcinogenic or mutagenic in the work environment. Order to comply the obligations imposed on the employer is taking proper care of the health of workers occupationally exposed to carcinogens and take preventive measures widely understood.
Źródło:
Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa; 2016, T. 4; 77-85
2300-5343
Pojawia się w:
Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Overview of selected hydraulic devices supporting road rescue operations
Autorzy:
Caban, J.
Droździel, P.
Vrábel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/347962.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Akademia Wojsk Lądowych imienia generała Tadeusza Kościuszki
Tematy:
road traffic safety
rescue operations
hydraulic rescue tools
Opis:
The intense human activity determines the continuous development of systems and means of transport, which contributes to the intensification of existing road traffic risks and the emergence of new ones. Reduction in the number of fatalities of road accidents is dependent on investment in transport infrastructure, the development of safety systems for means of transport and the care for the technical condition of vehicles. Furthermore, the human factor is manifested in the growing awareness of hazards and improving skills of vehicle drivers. The article presents the construction, operating principles and technical capabilities of the most commonly used hydraulic rescue tools. All this was presented against the background of selected problems occurring during rescue operations while releasing victims caught in car wrecks.
Źródło:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki; 2017, 3; 81-89
1731-8157
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe / Wyższa Szkoła Oficerska Wojsk Lądowych im. gen. T. Kościuszki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
Autorzy:
Stańczyk, B.
Jagoda, A.
Dobrzański, L.
Caban, P.
Możdżonek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiCN
sputtering
widmo podczerwieni
widmo optycznej absorpcji
dyfrakcja rentgenowska
SIMS
rf sputtering
absorption spectrum
IR spectrum
X-ray diffraction
Opis:
Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimization of structural and technological parameters of a fermentor for feed heating
Optymalizacja parametrów konstrukcyjno-technologicznych fermentora do nagrzewania pożywki
Autorzy:
Sysuev, V.
Savinyh, P.
Saitov, V.
Gałuszko, K.
Caban, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/956508.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Rolniczej
Tematy:
regression model
heating
fermentor
factor
experiment
model regresji
nagrzewanie
fermentator
czynnik
eksperyment
Opis:
The basis for obtaining high performance in cattle breeding is correct feeding. Production of a wholesome ration is labour consuming and expensive. Thus, work related to searching for alternative methods of production of wholesome feed is carried out. Synthesis of low value raw material, as a result of which high protein content feed is produced, is one of the methods. A fermentation process takes place in conditions, which cannot be ensured by presently used machines and aggregates. A fermentor, which enables obtaining feed with high content of protein from low value raw material at minimum expenditures, was developed. One of the conditions of correct course of synthesis is ensuring appropriate temperature of feed, where micro-organism develop. The objective of the paper is to determine optimal values of factors which affect energy consumption during feed heating. The result was to obtain the regression model which is characteristic for unit changes of energy consumption during feed heating, with the use of which, an optimal angle of embracing the container with a heating belt (159°) and the level of filling the container with feed (100%) were determined. Minimal value of optimization criterion at such values of indexes is 5.14 kJ·(kg·°C)-1.
Podstawą uzyskania wysokiej wydajności w chowie bydła jest prawidłowe żywienie. Wytworzenie racji pełnowartościowej jest pracochłonne i kosztowne, dlatego prowadzone są prace związane z poszukiwaniem alternatywnych sposobów produkcji wysokowartościowej paszy. Jednym ze sposobów jest synteza surowca małowartościowego, w wyniku której powstaje pasza o wysokiej zawartości białka. Proces fermentacji przebiega w warunkach, których uzyskanie nie są w stanie zapewnić obecnie stosowane maszyny i agregaty. Opracowano fermentator, który pozwala na uzyskanie z surowca małowartościowego paszę o wysokiej zawartości białka przy minimalnych nakładach. Jednym z warunków poprawnego przebiegu syntezy jest zapewnienie odpowiedniej temperatury pożywki, w której rozwijają się drobnoustroje. Celem pracy jest określenie optymalnych wartości czynników wpływających na zużycie energii podczas nagrzewania pożywki. Wynikiem było otrzymanie modelu regresji charakteryzującego zmiany jednostkowego zużycia energii w trakcie nagrzewania pożywki, za pomocą którego wyznaczone zostały optymalny kąt objęcia pojemnika pasem grzewczym (159°) i poziom wypełnienia pojemnika pożywką (100%). Minimalna wartość kryterium optymalizacji przy takich wartościach wskaźników wynosi 5.14 kJ·(kg·°C)-1.
Źródło:
Agricultural Engineering; 2015, 19, 2; 99-107
2083-1587
Pojawia się w:
Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 28

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies