Wszystkie pola: Bremser, M. D. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Interfacial Microstructure of Ni/Si-Based Ohmic Contacts To GaN
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Jasiński, J.
Kozubowski, J.
Barcz, A.
Gołaszewska, K.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991549.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Cg
73.40.Ns
Opis:: The microstructure of Ni/Si-based contacts to GaN has been studied using transmission electron microscopy methods. The transition from non-ohmic to ohmic behavior appears to correlate with the initial limited reaction of GaN with Ni and further Si-Ni reaction-driven decomposition of the interfacial GaN-Ni phase.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 383-386
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Ilka, L.
Guziewicz, M.
Kasjaniuk, S.
Dynowska, E.
Kwiatkowski, S.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
73.40.Cg
Opis:: Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja