Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "rozpływ prądu" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Opracowanie modelu rozpływu prądu w sieciach jezdnych dla innowacyjnego systemu odladzania
Autorzy:
Skrzyniarz, Marek
Kruczek, Włodzimierz
Mike, Kamil
Stypułkowski, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2116442.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Instytut Kolejnictwa
Tematy:
model symulacyjny
odladzanie
sieć jezdna
rozpływ prądu
sieć trakcyjna
Opis:
Oblodzenie sieci trakcyjnej uniemożliwia skuteczne i efektywne odbieranie prądu z sieci trakcyjnej. Na skutek oblodzenia mogą wystąpić straty u przewoźników z powodu opóźnienia lub odwołania pociągów. Zdarzają się także przypadki uszkodzenia infrastruktury trakcyjnej oraz pantografów. Istniejące metody odladzania sieci trakcyjnej (mechaniczne, chemiczne i elektryczne) są obecnie nieefektywne. Z tego względu konieczne jest opracowanie nowej, elektrycznej metody, która uwzględni szczegółowy rozpływ prądu w sieci trakcyjnej. W artykule zaprezentowano model do obliczeń rozpływu prądu w sieci trakcyjnej oraz zmierzone, na podstawie rzeczywistych pomiarów, rezystancje wieszaków, elementów podwieszeń oraz uchwytów odległościowych do przewodów jezdnych.
Źródło:
Problemy Kolejnictwa; 2022, 195; 63--67
0552-2145
2544-9451
Pojawia się w:
Problemy Kolejnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Excess current carrier distribution in the base region of the semiconductor multi-junction structure
Autorzy:
Sikorski, S.
Pultorak, J.
Jung, W.
Piotrowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378449.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
półprzewodniki
modelowanie numeryczne
warunki brzegowe
rozpływ prądów
gęstość prądu
semiconductors
numerical modelling
boundary conditions
current distribution
current density
Opis:
A new approach to the theory of excess current carrier distribution in the homogeneous base region of the semiconductor multi-junction structure is proposed. Numerical analysis of this structure is performed taking into consideration an assumption that concentrations of excess electrons and holes in the semiconductor are equal (the neutrality principle). To obtain excess carrier distributions in this structure it is necessary to solve continuity equations of electron J n and hole J p current densities. A general solution is obtained and numerically calculated distributions of excess carriers and electrical potential for cases interesting from the point of view of their application in injection modulated thermal radiation structures destined for dynamic scene projectors are presented.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 6; 1-8
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies