Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "MOEMS" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Model mikrokrzemowego czujnika z cewką planarną do pomiaru indukcji pola magnetycznego
Microsilicon sensor with planar coil for magnetic flux density measurements
Autorzy:
Prohuń, T.
Rybak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151445.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements
Opis:
W artykule przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji stałego (jednorodnego) pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z nanie-sionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Do analizy zastosowano metodę elementów skończonych oraz metodę pól sprzężonych ze względu na anizotropowość i niejednorodność struktury krzemowej. W pracy opisano charakterystyki wyjściowe czyli kąta ugięcia belki w funkcji indukcji B zewnętrznego pola magnetycznego. Przeanalizowano wpływ wymiarów geometrycznych belki na jej ugięcie.
In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation in z axis means external magnetic field induction. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation. The influence of dimensions of beam on beam-end deformation was described.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9, 9; 78-80
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie przestrzennego rozkładu pola magnetycznego przetwornika elektromagnetycznego do pomiaru indukcji zewnętrznego pola magnetycznego
Modeling 3D magnetic field of magnetic flux density sensor
Autorzy:
Prohuń, T.
Gołębiowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157380.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
MEMS
MOEMS
struktury krzemowe
pomiary indukcji magnetycznej
silicon microstructures
magnetic flux density measurements
Opis:
W referacie przedstawiono model czujnika do pomiaru indukcji pola magnetycznego w postaci belki krzemowej z naniesionym płaskim uzwojeniem. Prąd przepływający przez uzwojenie cewki wytwarza strumień oddziałujący z zewnętrznym polem magnetycznym. Koniec belki ulega odkształceniu w kierunku osi z. Kąt ugięcia belki jest miarą indukcji zewnętrznego pola magnetycznego. Model czujnika składa się z belki wykonanej z krzemu monokrystalicznego oraz płaskiego uzwojenia wykonanego z aluminium. Ze względu na wielowarstwową, anizotropową budowę przetwornika do budowy modelu zastosowano metodę elementów skończonych (metodą pól sprzężonych i oprogramowanie COMSOL). W referacie pokazano rozkład przestrzennego pola magnetycznego cewki płaskiej i jego wpływ na zewnętrzne (mierzone) pole magnetyczne. W pracy przedstawiono wyniki symulacji dla różnych wartości parametrów konstrukcyjnych przetwornika w celu uzyskania zakładanej czułości dla wybranego zakresu pomiarowego indukcji zewnętrznego pola magnetycznego.
In the article a magnetic flux density sensor was described. The sensor consist of silicon cantilever and planar coil. Current flowing by the coil produce magnetic flux around the coil. Influence of magnetic flux with external magnetic field causes cantilever deform. The angle of cantilever deformation means external magnetic field induction. The influence of shape and dimensions of planar coil on magnetic energy density was described. In cause of magnetic anisotropy and heterogeneous of analyzed silicon structure the FEM method and couple field method was applied in simulation.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 265-268
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies