Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "nanodruty" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
    InP nanowires for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Dumiszewska, E.
    Grodecki, K.
    Krajewska, A.
    Jóźwik, I.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192364.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    epitaksja
    nanodruty
    InP
    ogniwa słoneczne
    epitaxy
    nanowiwires
    solar cell
    Opis:
    W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.
    In this work the production methods of InP nanowires on InP (100) and (111)B substrates and GaAs nanowires on (100) and (100) substrates are presented. The nanowires were grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Gold nanoparticles having a diameter of around 30 nm were used as a growth catalyst. All growth processes were carried out in the Department of Epitaxy and Characterization of ITME.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 4-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie nanodrutów polimerowych do gromadzenia energii elektrycznej w superkondensatorach
    Application of polymer nanowires for storing electric energy in supercapacitors
    Autorzy:
    Szubzda, B.
    Szmaja, A.
    Kuliński, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159911.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    superkondensatory
    polimery elektroprzewodzące
    nanodruty
    pseudopojemność
    supercapacitors
    electroconducting polymers
    nanowires
    pseudocapacitance
    Opis:
    W artykule przedstawiono przebieg i wyniki prac badawczych nad wykorzystaniem technologii chemicznego otrzymywania nanodrutów polianiliny (PANI) do wytwarzania elektrod superkondensatorów. Elektrody badano w modelowym superkondensatorze określając zdolność do elektrochemicznego gromadzenia energii elektrycznej wykorzystując zjawisko tzw. pseudopojemności – gromadzenia ładunku w aktywowanym polimerze elektroprzewodzącym. Zbadano właściwości elektrochemiczne celki kondensatora metodami woltametrii cyklicznej, galwanostatycznym ładowaniem i rozładowaniem oraz spektroskopii impedancyjnej. Przedstawiono wyniki badań wpływu parametrów technologicznych otrzymywania nanodrutów na właściwości elektrochemiczne związane z gromadzeniem ładunku elektrycznego. Określono wpływ starzenia polimeru na zdolność do gromadzenia ładunków elektrycznych. Określono możliwość poprawy właściwości mechanicznych i przewodnictwa elektrycznego nanodrutów PANI przez zastosowanie nanorurek węglowych do wytworzenia nanokompozytu PANI/MWCNT.
    The paper presents the progress and results of research work on the preparation of polyaniline nanowires (PANI) by chemical technology, to produce supercapacitors electrode. The electrodes were tested in the model of supercapacitor specifying ability to electrochemical energy storage on the electrical phenomenon way of pseudocapacitance - the charge storing in the activated electroconducting polymer. Properties of electrochemical capacitor cell by cyclic voltammetry methods, galvanostatic charge and discharge and impedance spectroscopy were measured. The results of the influence of technological parameters on electrochemical properties associated with the accumulation of electric charge of obtained nanowires are presented. The effect of aging of the polymer on the ability to accumulate electric charges were described. The possibility for improving the mechanical properties and electrical conductivity of PANI nanowires by using carbon nanotubes to produce nanocomposite PANI / MWCNT were investigated in this work.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 37-38
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary kwantowania przewodności elektrycznej w nanodrutach formowanych za pomocą magnetostrykcyjnego elementu wykonawczego
    Measurements of conductance quantization in nanowires formed by means of a magnetostrictive actuator
    Autorzy:
    Wawrzyniak, M.
    Wiczyński, G.
    Świątkowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155456.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    magnetostrykcyjny element wykonawczy
    nanodruty
    kwantowanie przewodności elektrycznej
    systemy pomiarowe
    magnetostrictive actuator
    nanowires
    electrical conductance quantization
    measuring systems
    Opis:
    W artykule zaproponowano zastosowanie w badaniach kwantowania przewodności elektrycznej w nanodrutach do formowania nanodrutów magnetostrykcyjnego elementu wykonawczego. Przedstawiony w artykule magnetostrykcyjny element wykonawczy jako element czynny wykorzystuje pręt z Terfenolu-D. Omówiono sposób konstrukcji elementu wykonawczego oraz przedstawiono charakterystykę przetwarzania. Zaprezentowane wyniki pomiarów potwierdziły możliwość zastosowania magnetostrykcyjnego elementu wykonawczego w badaniach kwantowania przewodności elektrycznej w nanodrutach.
    In the paper a method for fabricating nanowires for electric conductance quantization studies is proposed as an alternative to the method based on use of a piezoelectric actuator [1, 2]. The method presented is based on use of a magnetostrictive actuator with Terfenol-D rod (the giant magnetostrictive material). The magnetostrictive actuator structure (Figure 1) [3] as well as the relationship between the output displacement and the input current for the magnetostrictive actuator are discussed (Figure 2). Figure 3 shows comparison of conductance waveforms for nanowires fabricated by means of a piezoelectric actuator with those for nanowires fabricated by means of a magnetostrictive actuator. The results of measurements confirm that the magnetostrictive actuator presented in the paper can be used for electrical conductance quantization studies for forming and stretching of nanowires.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 1, 1; 86-87
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej nanodrutów
    Current-voltage measurements of nanowires
    Autorzy:
    Wawrzyniak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155204.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    nanotechnologia
    nanodruty
    kwantowanie przewodności
    pomiary przewodności
    charakterystyki prądowo-napięciowe
    nanotechnology
    nanowires
    conductance quantization
    conductance measurements
    current-voltage curves
    Opis:
    W artykule opisano sposób pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów z QPC (ang. Quantum Point Contact). Do pomiarów wykorzystano system pomiarowy umożliwiający formowanie nanodrutów z QPC pomiędzy powierzchnią próbki metalu i wierzchołkiem metalowego ostrza oraz pomiar sygnałów analogowych, na podstawie których wyznaczana jest charakterystyka prądowo-napięciowa. W artykule przedstawiono schemat blokowy systemu pomiarowego i opisano sposób jego działania. Zaproponowano metodę wyznaczania charakterystyki prądowo-napięciowej dla zadanej wartości przewodności nanodrutu. System pomiarowy jest sterowany z komputera osobistego za pomocą interfejsu GPIB. Umożliwia to automatyzacje procesu formowania nanodrutów, pomiaru i rejestracji sygnałów napięciowych. Ponadto w artykule przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów.
    We present a method of current-voltage measurements of nanowires with quantum point contact (QPC). The used experimental setup allows fabrication of nanowires with QPC between the surface of a metal sample and a metal tip, and measurements of analog signals that provide the basis for tracing the current-voltage curve. The experimental setup is shown in a block diagram, and its operation discussed. In the proposed method current-voltage measurements are preformed at a fixed value of nanowire conductance. The setup is controlled from a PC through the GPIB interface, which allows automation of nanowire fabrication, voltage signal measurements and data storage. Sample measurement results are presented as well.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 89-92
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana
    Influence of HfO2 and Al2O3 Shells on Lattice Dynamics of GaN Nanowires. Statistical Analysis of the Results of Raman Spectroscopy
    Autorzy:
    Szymon, Radosław
    Zielony, Eunika
    Sobańska, Marta
    Żytkiewicz, Zbigniew
    Lipiński, Tomasz
    Nowacki, Krzysztof
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/chapters/28328178.pdf
    Data publikacji:
    2023-12-14
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
    Tematy:
    analiza statystyczna
    azotek galu
    nanodruty
    rdzeń-powłoka
    skaningowa mikroskopia elektronowa
    spektroskopia Ramana
    core-shell
    gallium nitride
    nanowires
    Ramana spectroscopy
    scanning electron microscopy
    statistical analysis
    Opis:
    Rozwój nanotechnologii w przypadku związków półprzewodnikowych z grupy III-V oferuje nowe możliwości wytwarzania wydajniejszych urządzeń optoelektronicznych pracujących w zakresie światła UV. Ich przykładem są nanodruty rdzeń-powłoka na bazie azotku galu (GaN). Cechą nanodrutów jest duży stosunek powierzchni do objętości oraz wysoka jakość struktury krystalicznej. Badania nanostruktur wymagają odpowiedniego przystosowania metod charakteryzacji, których wykorzystanie napotyka ograniczenia technologiczne. Rozwiązaniem jest analiza danych uzyskiwanych podczas pomiarów i zastosowanie metod, które pozwolą potwierdzić występowanie istotnych statystycznie różnic, a także zapewnić odtwarzalność wyników. W niniejszym rozdziale zaproponowano wykorzystanie metod wnioskowania statystycznego w celu zweryfikowania występowania istotnych statystycznie różnic w częstościach wzbudzeń fononowych wyznaczanych na podstawie pomiarów widm Ramana. Pomiary ramanowskie i analizę danych przeprowadzono dla serii próbek nanodrutów typu rdzeń GaN – powłoka Al2O3 lub HfO2, otrzymanych na podłożu krzemowym. Zmierzone częstości wzbudzeń fononowych, w szczególności modu GaN E2high, poddano analizie, wykazując istotne statystycznie różnice pomiędzy próbkami o różnych grubościach powłok. Potwierdzono ich wpływ na właściwości strukturalne i dynamikę sieci krystalicznej nanodrutów. Pokazano również, że wykorzystanie podejścia statystycznego w analizie wyników ramanowskich istotnie zwiększa ich wiarygodność.
    The development of nanotechnology of the III-V compounds semicon- ductors provides new opportunities for producing highly-efficient optoelectronic devices that operate in the UV light range. One example is the core-shell nanowires based on gallium nitride (GaN), which have high surface-to-volume ratio and high- quality crystalline structure. However, characterization of nanostructures requires the adaptation of appropriate techniques, which are limited by external factors. To overcome these limitations, data obtained from measurements must be analysed with methods which confirm statistically significant differences, as well as ensure the reproducibility of results. This chapter proposes using statistical inference methods to verify statistically significant differences in the frequencies of phonon excitations, determined with Raman spectra measurements. Raman measurements and data analysis were carried out for a series of GaN nanowires of GaN coated with Al2O3 or HfO2 shells, obtained on a silicon substrate. The analysis of phonon excitation frequencies, especially the GaN E2high mode, confirmed statistically sig- nificant differences between samples. The influence of the shells on the structural properties and crystal lattice dynamics of nanowires was also confirmed. Moreover, the study shows that using a statistical approach in the analysis of Raman results significantly improves their reliability.
    Źródło:
    Potencjał innowacyjny w inżynierii materiałowej i zarządzaniu produkcją; 69-80
    9788371939457
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies