Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Materna, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion
    Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
    Autorzy:
    Materna, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192104.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    topological insulator
    BiTeX (X = I, Br, Cl) compounds
    VB method
    CVT method
    izolator topologiczny
    związki BiTeX (X = i, Br, cl)
    krystalizacja metodą VB
    krystalizacja metodą CVT
    Opis:
    The paper describes the synthesis and crystallization processes of a BiTeI polar semiconductor, carried out by a modified vertical Bridgman method (VB), or/and by CVT (chemical vapor transport) method, in a horizontal position. For BiTeI samples, the measurements were performed by Van der Pauw method and by the structural techniques (EDS, XRD and Raman spectroscopy), which confirmed the presence of a pure BiTeI phase in the obtained materials.
    W pracy opisano procesy syntezy i krystalizacji polarnego półprzewodnika BiTei metodą transportu chemicznego (cVT) w układzie poziomym oraz zmodyfikowaną, pionową metodą Bridgmana (VB). Dla przygotowanej serii próbek, wykonano pomiary własności transportowych (metodą Van der Pauwa), które wykazały dużą ruchliwość nośników, w temperaturze 77K. Badania strukturalne wykonane za pomocą technik mikroanalizy rentgenowskiej EDs (energy dispersive spectroscopy), rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej XRD (X-ray diffraction analysis) oraz spektroskopii Ramana, potwierdziły obecność czystej fazy BiTei w otrzymanych materiałach.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2017, T. 45, nr 2-4, 2-4; 12-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Estymacja ciśnienia w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury
    Pressure estimation in quartz ampoule in during InP synthesis by HGF method, on the base temperature distribution measurement
    Autorzy:
    Materna, A.
    Orzyłowski, M.
    Rudolf, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192131.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    synteza fosforku indu
    metoda HGF
    estymacja ciśnienia w reaktorze do syntezy InP
    wędrujący gradient temperatury
    HGF method
    Opis:
    Omówiono budowę urządzenia do syntezy fosforku indu (InP) metodą HGF (Horizon-tal Gradient Freeze) wędrującego gradientu temperatury oraz podstawowe zagadnienia związane ze sterowaniem tym procesem. Opisano zagadnienie pożądanego rozkładu temperatury w strefie parowania fosforu. Przeprowadzono pomiary temperatury w tej strefie i zbadano powtarzalności tego rozkładu. Podsumowanie zawiera wnioski dotyczącej prawidłowej konstrukcji urządzenia oraz wymagań związanych z przygotowaniem i bezpiecznym prowadzeniem procesu syntezy InP.
    The aim of this work was the estimation of P pressure during InP synthesis process by HGF method in quartz reactor. It was done in high pressure multizone furnace. Design of furnace and P pressure control in quartz reactor by temperature profile control in furnace are described. Results of temperature measurements in phosphorus zone of reactor and their influence on evaporation dynamics are desired to obtain safety process of InP synthesis.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 3-4, 3-4; 40-61
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Opis:
    Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
    A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
    GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Wegner, R.
    Piersa, N.
    Surma, B.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Materna, A.
    Gładki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    optyka w podczerwieni
    monokryształ
    transmitancja monokryształów
    zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
    Opis:
    Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
    In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
    Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Materna, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Diduszko, R.
    Romaniec, M.
    Dalecki, W.
    Wołoś, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192078.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    selenek bizmutu
    Bi2Se3
    izolator topologiczny
    struktura pasmowa
    wytrącenia Se
    bismuth selenide
    topological insulator
    band structure
    precipitates Se
    Opis:
    W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi2Se3 (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi2Se3 domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 1019 cm-3 – 3 x 1017 cm-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 1018 cm-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 1017 cm-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.
    In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi2Se3 crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi2Se3, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 1019 cm-3 and 3 x 1017 cm-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 1018 cm-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 1017 cm-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 27-39
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies