Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kozubal, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Zapis warunku plastyczności w języku skryptowym FLEXPDE oraz FLAC 2D
    The notation of condition of plasticity in procedure-oriented language in FLEXPDE and FLAC2D codes
    Autorzy:
    Kozubal, J.
    Wyjadłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/349290.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    język skryptowy
    warunki plastyczności
    stowarzyszone prawo płynięcia
    procedure-oriented language
    yield condition
    associated flow rule
    Opis:
    Praca powstała jako rozwiązanie problemu zapisu zagadnień plastyczności w programie MES FlexPDE v5.0 oraz programie MRS FLAC 2D. Zastosowano model ciała sprężysto-idealnie plastycznego w zadaniach płaskiego stanu odkształcenia, założono stowarzyszone prawo płynięcia. Opracowana ścieżka postępowania w dogodny sposób umożliwia zapisanie warunków z dodatkowymi ograniczeniami, tj. zamknięcie od strony naprężeń ściskających w przestrzeni naprężeń głównych oraz ograniczenie rozciągania zapisanych jako wypukłe linie wielosegmentowe.
    In the paper the describing of linear-plastic material behaviour in Finite Elements codes: FlexPDE and MRS FLAC is presented. The discussion is restricted to linear elastic-perfectly plastic material, two-dimensional plane strain and associated flow rule. For describing linear-elastic material behaviour (for general stress states): stress-strain behaviour in elastic range, yield function or failure function, flow rule, definition of strain hardening (softening) are needed. In the solution the tension stresses are limited and showed like convex multi segment line.
    Źródło:
    Górnictwo i Geoinżynieria; 2008, 32, 2; 227-236
    1732-6702
    Pojawia się w:
    Górnictwo i Geoinżynieria
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zmienności losowej parametrów podłoża na ocenę niezawodności pracy pala obciążonego siłą poziomą
    The influence of random variability of soil properties on the reliability of piles subjected to lateral loading
    Autorzy:
    Bauer, J.
    Kozubal, J.
    Puła, W.
    Wyjadłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/349088.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    modelowanie probabilistyczne
    przemieszczenia pali
    wskaźnik niezawodności
    probabilistic modelling
    pile displacement
    reliability index
    Opis:
    W pracy przedstawiono modelowanie probabilistyczne odkształceń pala pod wpływem losowych sił poprzecznych działających w jego głowicy. Opracowano nowy model numeryczny, w którym możliwe są zmiany modułu sprężystości wraz z głębokością. Przeprowadzono obliczenia probabilistyczne uwzględniające różne współczynniki zmienności parametrów przyjętych jako losowe oraz korelację pomiędzy nimi. Oszacowano prawdopodobieństwa przekroczenia przemieszczeń dopuszczalnych przez głowicę pala oraz odpowiadające im wskaźniki niezawodności. Przykłady pokazują, że o prawdopodobieństwie przekroczenia dopuszczalnego przemieszczenia decyduje przede wszystkim zmienność losowa działającego obciążenia, a spośród pozostałych przyjętych parametrów zmienność modułu Younga.
    This paper presents probabilistic modeling of pile displacement under random lateral forces acting on the pile head. An original numerical model is presented incorporating a randomly varying elastic modulus with depth. The probabilistic computations take into account different values of the coefficients of variation as well as correlation coefficients of random variables. The probability of excessive displacements and corresponding reliability indices were evaluated. The computed examples show that the displacement exceeding the allowable value is determined by the force acting at the head of the pile and by the variation of the elastic modulus of the soil.
    Źródło:
    Górnictwo i Geoinżynieria; 2010, 34, 2; 87-96
    1732-6702
    Pojawia się w:
    Górnictwo i Geoinżynieria
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza przemieszczeń poprzecznie obciążonego pala w trójwymiarowym ośrodku liniowo-sprężystym o cechach losowych
    Displacement analysis of laterally loaded piles embedded in a three-dimensional linearly-elastic random medium
    Autorzy:
    Bauer, J.
    Kozubal, J.
    Puła, W.
    Wyjadłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350368.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    pale fundamentowe
    powierzchnia odpowiedzi
    wskaźnik niezawodności
    foundation pile
    response surface
    reliability index
    Opis:
    W artykule przedstawiono modelowanie probabilistyczne odkształceń pala pod wpływem sił poprzecznych działających w jego głowicy. Pal pogrążony jest w uwarstwionym ośrodku liniowo sprężystym o cechach losowych. Obciążenie pala jest traktowane jako losowe. Elementem nowym, w stosunku do znanych z literatury prac, jest podejście probabilistyczne dla modelu trójwymiarowego. Podstawę stanowi modelowanie trójwymiarowe za pomocą metody elementów skończonych. Uzyskuje się serie wyników odkształceń przy różnych wartościach parametrów podłoża. Wyniki te służą do skonstruowania powierzchni odpowiedzi, którą estymuje się za pomocą regresji nieliniowej poprzez specjalnie skonstruowany algorytm iteracyjny. Powierzchnia odpowiedzi umożliwia analizę niezawodności, polegającą na znajdowaniu prawdopodobieństw przekroczenia przemieszczeń dopuszczalnych przez głowicę pala oraz odpowiadających im wskaźników niezawodności. Stwierdzono decydujący wpływ losowych wahań obciążającej siły poziomej oraz modułu sprężystości wierzchniej warstwy podłoża na wartości wskaźników niezawodności.
    The paper presents a probabilistic modelling of displacements of a foundation pile. The pile is subjected to lateral loading implemented in the pile's head. The pile is embedded in a layered linearly-elastic random medium. The loading is considered as a random variable. The probabilistic approach to this problem as a three-dimensional one constitutes a new result in comparison with other earlier published. The base of the solution is the three-dimensional modelling by the finite element method. A series of results can be obtained under various values of elastic characteristics of the medium under consideration. Next by a non-linear regression procedure a response surface is obtained. To get the final response surface an iterative algorithm has been applied. The final response surface allows a reliability analysis. The failure criterion is an exceeding of an allowable displacements threshold by deformed pile's head. By numerical examples a vital effect of the random variability of the lateral force as well as random variability of the elastic modulus of the upper layer has been demonstrated.
    Źródło:
    Górnictwo i Geoinżynieria; 2009, 33, 1; 65-74
    1732-6702
    Pojawia się w:
    Górnictwo i Geoinżynieria
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplacea
    Imaging of defect structure of semi-insulating GaAs crystals by analysis of photocurrent relaxation wave forms with implementation of inverse Laplace transform
    Autorzy:
    Pawłowski, M.
    Kamiński, P.
    Kozłowski, R.
    Kozubal, M.
    Żelazko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192000.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa
    odwrotne przekształcenie Laplace'a
    metoda korelacyjna
    obraz prążków widmowych
    obrazowanie struktury defektowej kryształów
    aproksymacja neuronowa
    Opis:
    Metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z wykorzystaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a (ILT PITS) zastosowano do obrazowania struktury defektowej monokryształów półizolującego GaAs. Zoptymalizowano oprogramowanie umożliwiające trójwymiarową wizualizację temperaturowych zmian stałych czasowych niestacjonarnych przebiegów fotoprądu. Do wyznaczania parametrów centrów defektowych na podstawie przebiegu linii grzbietowych fałd odpowiadających termicznej emisji nośników ładunku zastosowano aproksymację neuronową. Zobrazowanie struktury defektowej otrzymano w wyniku nałożenia obrazu właściwości centrów defektowych uzyskanego za pomocą odwrotnego przekształcenia Laplace'a na obraz prążków widmowych uzyskany metodą korelacyjną.
    Photoinduced transient spectroscopy with implementation of the inverse Laplace transform algorithm (ILT PITS) has been employed to imaging the defect structure of SI GaAs crystals. The computer program for three-dimensional visualisation of the temperature changes of time constants of the photocurrent transients has been optimised. The parameters of defect centres were determined by a neural approximation of the ridgelines of the folds related to the thermal emission of charge carriers. The image of defect structure is obtained by combining the image of the defect centres properties produced by using the inverse Laplace transform with the spectral fringes received by means of the correlation procedure.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 48-77
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
    Defect centres in high-resistivity epitaxial GaN
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kozłowski, R.
    Kozubal, M.
    Żelazko, J.
    Miczuga, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192441.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRPITS
    centrum defektowe
    GaN
    defect center
    Opis:
    Metodę wysokorozdzielczej, niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (HRPITS) zastosowano do badania centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN otrzymanych metodą MOCYD. Metodę tę wykorzystano do badania centrów kompensujących w warstwach GaN:Mg typu p poddanych obróbce termicznej w 780°C, a także w niedomieszkowanych, wysokorezystywnych warstwach GaN osadzonych na podłożach Al2O3 i 6H-SiC: V. Dominującym mechanizmem aktywacji atomów magnezu podczas obróbki termicznej warstw GaN:Mg jest rozpad neutralnych kompleksów Mg-H. Domieszkowaniu magnezem towarzyszy proces samokompensacji polegający na tworzeniu się kompleksów Mg-VN, które są głębokimi donorami (Ec-0,59 eV) kompensującymi płytkie akceptory MgGa- (Ev+0,17 eV). Określono centra defektowe biorące udział w kompensacji ładunkowej niedomieszkowanej, wysokorezystywnej warstwy GaN, stanowiącej warstwę buforową dla tranzystora HEMT, osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN. Otrzymane wyniki wskazują, że w mechanizmie kompensacji biorą udział nie tylko defekty rodzime, ale również atomy zanieczyszczeń Si, C, O i H. Stwierdzono, że struktura defektowa niedomieszkowanej warstwy GaN osadzonej na podłożu SI 6H-SiC:V z warstwą zarodkową GaN jest złożona, podobnie jak warstwy osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN.
    High-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) was employed to study defect centres in epitaxial GaN grown by MOCVD technique. This method was applied to investigate compensation centres in p-type GaN:Mg epitaxial layers, as well as in the undoped high-resistivity GaN layers grown on both Al2O3 and 6H-SiC:V substrates. It was found that the main mechanism leading to the electrical activation of Mg atoms in epitaxial layers of GaN:Mg is the decomposition of neutral Mg-H complexes. Doping with magnesium involves a self-compensation process consisting in the formation of Mg-VN complexes, which are deep donors (Ec-0.59 eV) compensating shallow acceptors MgGa (E+0.17 eV). Defect centres responsible for charge compensation in a high-resistivity GaN HEMT buffer layer, grown on a sapphire substrate with an AlN nucleation layer, were detected. The obtained results indicate that the compensation is either due to native defects or due to contamination with Si, C, O and H atoms. The defect structure of an undoped, high-resistivity GaN layer, with a GaN nucleation layer grown on a SI 6H-SiC:V substrate, proved to be significantly complex, just as in the case of the layer grown on an the Al2O3 substrate with an AlN nucleation layer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 1, 1; 18-35
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
    Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kozłowski, R.
    Krupka, J.
    Kozubal, M.
    Wodzyński, M.
    Żelazko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192092.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    głębokie centra defektowe
    HRPITS
    krzem o bardzo wysokiej rezystywności
    deep defect centers
    ultra-high-resistivity silicon
    Opis:
    W artykule przedstawiono unikatowe wyniki badań rozkładu rezystywności oraz rozkładu właściwości i koncentracji centrów defektowych na płytce krzemowej o promieniu R = 75 mm, pochodzącej z monokryształu o bardzo wysokiej czystości otrzymanego metodą FZ. Do określenia właściwości i koncentracji centrów defektowych zastosowano metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS). Do wyznaczania stałych czasowych składowych wykładniczych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, zmierzonych w zakresie temperatur 250 – 320 K wykorzystano procedurę numeryczną opartą na odwrotnym przekształceniu Laplace’a. W obszarze środkowym płytki o rezystywności ~ 6,0×104 Ωcm, wykryto trzy rodzaje pułapek charakteryzujących się energią aktywacji 420 meV, 460 meV i 480 meV. W obszarze brzegowym płytki, którego rezystywność wynosiła ~ 3,0×104 Ωcm, oprócz pułapek występujących w obszarze środkowym wykryto pułapki o energii aktywacji 545 meV, których koncentracja wynosiła ~ 4,0×109 cm-3. Pułapki o energii aktywacji 420 meV i 545 meV przypisano odpowiednio lukom podwójnym (V2 -/0) i agregatom złożonym z pięciu luk (V5 -/0). Pułapki o energii aktywacji 460 meV są prawdopodobnie związane z lukami potrójnymi (V3 -/0) lub atomami Ni, zaś pułapki o energii aktywacji 480 meV mogą być przypisane zarówno agregatom złożonym z czterech luk (V4 -/0), jak i atomom Fe w położeniach międzywęzłowych.
    The paper presents the unique results of the resistivity distribution and the distribution of the properties and concentrations of defect centers on a silicon wafer with a radius of R = 75 mm originating from a high-purity FZ single crystal. The electronic properties and concentrations of the defect centers have been studied by high resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). To determine the time constants of the exponential components in the photocurrent relaxation waveforms measured in the temperature range of 250 - 320 K we have used an advanced numerical procedure based on the inverse Laplace transformation. In the wafer central region, with the resistivity of ~ 6,0×104 Ωcm, three traps with the activation energies of 420 meV, 460 meV and 480 meV have been found. In the near edge-region of the wafer, with the resistivity of ~ 3.0 × 104 Ωcm, apart from the traps present in the central region, a trap with the activation energy of 545 meV has been detected and the concentration of this trap is ~ 4,0×109 cm-3. The traps with the activation energies of 420 meV and 545 meV are assigned to a divacancy (V2 -/0) and a pentavacancy (V5 -/0), respectively. The trap with the activation energy of 460 meV is likely to be associated with a trivacancy (V3 -/0) or a Ni atom, and the trap with the activation energy of 480 meV can be tentatively assigned to a tetravacancy or an interstitial Fe atom.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 16-24
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies