Temat: wafers - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Semi-automatic test system for characterization of ASIC/MPWS
Autorzy:: Zając, J.
Wójcik, J.
Kociubiński, A.
Tomaszewski, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308858.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: automatic testing
diagnostics of technology
multi-project wafers
Opis:: A measurement system for integrated circuit testing has been developed. It consists of a semi-automatic probe station and a set of measurement equipment controlled by commercially available measurement software. The probe station is controlled by dedicated software. Both the measurement and station-control software communicate using the DDE protocol. The measurement system is flexible. It is particularly suitable for semi-automatic testing of multi-project wafers. Output data generated by the system is used for the characterization of the CMOS technologies.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 124-128
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of gamma and proton radiations on the absorption, photoluminescence and birefringence of lithium niobate single crystals doped with Cu, Fe and Cr ions
Autorzy:: Kaczmarek, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/147545.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:: absorption
birefringence
gamma radiation
lithium niobate
proton radiation
wafers
Opis:: The results of investigations of the influence of gamma and proton radiations on absorption, luminescence and birefringence of either pure or Cu, Fe and Cr doped LiNbO3 single crystals were presented. A method of birefringence dispersion testing on the entire areas of plane-parallel plates of LiNbO3 crystals has been illustrated by the influence of both types of irradiation on pure and Fe, Cr and Cu-doped LiNbO3 wafers. It was found that Li NbO3 LN:Cu single crystal shows a different behavior compared with other investigated crystals. First of all it exhibits lower susceptibility to gammarays, the absence of 500 nm additional absorption, and a strong proton susceptibility observed in polarimeter measurements.
Źródło:: Nukleonika; 2001, 46, 2; 63-69
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:: Nukleonika
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modeling of mechanical influence of double-beam laser on single-crystalline silicon
Modelowanie mechanicznego wpływu podwójnej wiązki laserowej na krystaliczny krzem
Autorzy:: Shalupaev, S. V.
Serdyukov, A. N.
Mityurich, G. S.
Aleksiejuk, M.
Nikitjuk, Y. V.
Sereda, A. A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/352571.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: laser cutting
thermoelastic stresses
silicon wafers
crack
cięcie laserowe
naprężenia termoelastyczne
wafle krystaliczne
pękanie
Opis:: The results of finite-element modeling of controlled laser thermosplitting of crystalline silicon are presented. The case of treatment by two laser beam with wavelengths, namely 0.808 μm and 1.06 μm is studied. Calculations of the thermoelastic fields formed in a single-crystalline silicon wafer as a result of consecutive two-beam laser heating and action of coolant were performed for silicon crystalline orientations: (100), (110), (111). Modeling was performed for circular and U-shaped laser beams. The results received in the presented work, can be used for the process optimization concerning the precise separation of silicon wafers by laser cutting.
W pracy przedstawiono wyniki modelowania metoda elementów skonczonych termorozszczepiania krystalicznego krzemu przy pomocy wiazek laserowych. Analizowano przypadek działania dwóch wiazek laserowych o długosci fali 0,808 μm i 1,06 μm. Obliczenia pól termosprężystych, formowanych w krystalicznym waflu krystalicznym, prowadzono jako efekt kolejnych działan dwuwiązkowego ogrzewania laserowego i chłodzenia dla orientacji (100), (110), (111) krystalicznego krzemu. Modelowanie prowadzone było dla wiązek o przekroju kolistym oraz w kształcie litery U. Otrzymane wyniki mogą być wykorzystane do optymalizacji precyzyjnego cięcia laserem wafli krzemowych.
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1381-1385
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "wafers" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język