Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystory" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
    Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
    Autorzy:
    Záskalický, P.
    Kaňuch, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1369125.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    model matematyczny
    silnik uniwersalny
    tranzystory IGBT
    IGBT transistor
    universal motor
    mathematical models
    Opis:
    The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 1, 94; 33-37
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
    Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
    Autorzy:
    Aksamit, W.
    Rzeszutko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    gallium nitride
    GaN transistors
    power conversion
    efficiency
    azotek galu
    tranzystory GaN
    straty mocy w tranzystorach GaN
    Opis:
    During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
    W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A simple semi-analytical model for the Kink effect for the intrinsic n-channel polysilico thin film transistors
    Autorzy:
    Siddiqui, M. J.
    Qureshi, S.
    Alshariff, S. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378435.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    cienkie warstwy
    tranzystory
    jonizacja
    pole elektryczne
    model analityczny
    efekt Kinka
    polisilikon
    thin films
    tranzistors
    ionization
    electric field
    analylical model
    Kink effect
    polysilicon
    Opis:
    In order to improve the modeling of Polysilicon thin film transistors (Poly-Si-TFTs) a precise evaluation of the excess current due to impact ionization is needed. In this paper we have proposed a simple model for the excess current resulting from the impact ionization occurring at high drain biases. Model is based on the estimation of the electric field in the saturated part of the channel. The electric field in the saturated region is obtained by the solution of the two- dimensional Poisson's equation. The model is semi-analytical and uses only one fitting parameter which is desirable for circuit simulation. The simulation results with the developed impact ionization current model are in excellent agreement with the available experimental output characteristics of the intrinsic n-channel Poly-Si-TFTs.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 1; 1-4
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Relationship between crystalline structure of poly(3-hexylthiophene) blends and properties of organic thin-film transistors – a brief review
    Wpływ struktury poli(3-heksylotiofenu) i jego mieszanin na właściwości organicznych tranzystorów polowych – krótki przegląd
    Autorzy:
    Chlebosz, D.
    Janasz, Ł.
    Pisula, W.
    Kiersnowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/947465.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
    Tematy:
    poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
    polymer blends
    organic thin-film transistors
    poli(3-heksylotiofen) (P3HT)
    mieszaniny polimerowe
    organiczne tranzystory cienkowarstwowe
    Opis:
    Poly(3-hexythiophene) (P3HT) is one of the most extensively studied polymers for applications in organic thin-film transistors. Semicrystalline P3HT is a p-type semiconductor enabling applications in the unipolar organic field-effect transistors (OFETs). Blending P3HT with small molecular compounds can enhance the mobility of charge carriers in the OFET active layer. When small molecules reveal electron conductivity and their phase separation upon crystallization in the presence of P3HT results in formation of heterojunctions, the blends can be considered candidates for active layers in the ambipolar OFETs. Regardless of unipolar or ambipolar, the charge carrier transport always depends on the inherent properties of the polymer and small molecules as well as the crystalline structure and morphology (nanostructure) of the blends. This paper is a brief review of the recent findings regarding relationships between structure and properties of the active layers of P3HT and P3HT blends-based OFETs. Herein we discuss examples of blends of P3HT with, amongst others, perylene diimide derivatives, and discuss their OFET-related properties, like charge-carrier mobility, in relation to both crystalline structure of the blend components and blend morphology. Some key issues related to morphology control by changing layer formation conditions are also indicated in this paper.
    Poli(3-heksylotiofen) (P3HT) to semikrystaliczny polimer, charakteryzujący się przewodnictwem dziurowym (typu p), dzięki czemu jest stosowany w aktywnych warstwach organicznych tranzystorów polowych (ang. Organic Field-Effect Transistor, OFET). Badania prowadzone w ciągu ostatnich lat wykazały, że mieszanie P3HT z poliaromatycznymi substancjami małocząsteczkowymi może powodować zwiększenie ruchliwości nośników ładunku (dziur) w warstwie aktywnej OFET. Zastosowanie dwufazowych mieszanin P3HT z małocząsteczkowymi substancjami o przewodnictwie typu n (np. pochodnymi perylenodiimidów) umożliwia otrzymanie tranzystorów ambipolarnych, które można wykorzystać m.in. do wytworzenia układów komplementarnych. Niezależnie od rodzaju urządzenia – unipolarnego lub ambipolarnego – transport nośników ładunku zależy od właściwości użytych substancji oraz struktury krystalicznej i morfologii (nanostruktury) mieszanin. W niniejszej pracy, na podstawie przeglądu literatury, omówiono strukturę krystaliczną i morfologię przykładowych mieszanin P3HT. Ponadto, przedyskutowano relacje pomiędzy cechami strukturalnymi cienkich filmów otrzymanych z P3HT i jego mieszanin a właściwościami OFET.
    Źródło:
    Polimery; 2016, 61, 6; 433-441
    0032-2725
    Pojawia się w:
    Polimery
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies