Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Seliuta, D." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Investigation of Quantum Effects in Carbonaceous Materials Near the Metal-Insulator Transition by Means of THz Photoconductivity
    Autorzy:
    Dorosinets, V.
    Ksenevich, V.
    Seliuta, D.
    Martūnas, Z.
    Valušis, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813203.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.30.+h
    72.15.Rn
    Opis:
    A series of carbonaceous fibers with conductivity tuned to the metal-insulator transition were prepared by heat treatment of chemically modified polymer precursors. Peculiar behaviour of the resistivity versus temperature dependence R(T) at low temperatures suggests quantum corrections to the Drude conductivity due to weak localization and electron-electron interaction dominating in the conductivity. The THz conductivity method is employed to study the modification of the density of states and provides evidence for a strong change in density of states at the Fermi level caused by the quantum effects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 875-878
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hot Electron Effect in Degenerate Semiconductor Tunnel Junction
    Autorzy:
    Ašmontas, S.
    Gradauskas, J.
    Petkun, V.
    Seliuta, D.
    Sužiedėlis, A.
    Urbelis, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041722.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    73.40.Gk
    07.57.Kp
    Opis:
    We report on the results of experimental study of free carrier heating in degenerate GaAs tunnel p-n diodes when the carriers are excited by pulsed microwave radiation. Free carrier heating is responsible for the electromotive force in the diode. The magnitude of the electromotive force linearly depends on pulsed microwave power and increases with the decrease in semiconductor lattice temperature. It is almost independent of the pulsed microwave frequency and of p-n junction plane orientation in respect to electric field direction. In the tunnelling regime the dark current in the diode is reduced, however, at high enough forward bias the diffusive current is stimulated due to hot carrier phenomenon.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 198-202
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Terahertz Resonant Detection by Plasma Waves in Nanometric Transistors
    Autorzy:
    Teppe, F.
    El Fatimy, A.
    Boubanga, S.
    Knap, W.
    Seliuta, D.
    Valusis, G.
    Chenaud, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813191.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.Nr
    71.45.Lr
    72.30.+q
    Opis:
    The plasma waves in gated two-dimensional electron gas have a linear dispersion law, similar to the sound waves. The transistor channel is acting as a resonator cavity for the plasma waves, which can reach frequencies in the THz range for a sufficiently short gate length field effect transistors. A variety of possible applications of field effect transistor operating as a THz device were suggested. In particular, it was shown that the nonlinear properties of plasma oscillations can be utilized for THz tunable detectors. During the last few years THz detection related to plasma wave instabilities in nanometer size field effect transistors was demonstrated experimentally. In this work we review our recent experimental results on the resonant plasma wave detection at cryogenic and room temperatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 815-820
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charge Carrier Transport Properties in Single-Walled Carbon Nanotube Fibers
    Autorzy:
    Ksenevich, V.
    Seliuta, D.
    Martūnas, Z.
    Kašalynas, I.
    Valušis, G.
    Galibert, J.
    Kozlov, M.
    Samuilov, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813401.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.63.Fg
    Opis:
    Transport properties via temperature dependences of sample resistance R(T) and influence of microwave field of 10 GHz on the conductivity of the single-walled carbon nanotubes fibers are investigated. The R(T) dependences studied within 4.2-300 K can be well approximated by the Mott law for 3D variable range hopping below T=80 K and by typical law for fluctuation-induced tunnelling model within the temperature range 80-300 K. We associate the observed increase in the conductivity with microwave power by increase in hopping probability of the charge carriers between single-walled carbon nanotubes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1039-1042
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Strong Electric Field Driven Carrier Transport Non-Linearities in n-Type GaAs/AlGaAs Superlattices
    Autorzy:
    Subačius, L.
    Venckevičius, R.
    Kašalynas, I.
    Seliuta, D.
    Valušis, G.
    Schmidt, J.
    Lisauskas, A.
    Roskos, H.
    Alekseev, K.
    Köhler, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505524.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.65.Cd
    06.60.Jn
    73.90.+f
    Opis:
    Nanosecond pulsed technique was used to study and discriminate strong electric field induced effects in carrier transport in silicon doped GaAs/$Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ superlattices at room temperature. The experiment shows that the superlattice can serve as gain media to employ parametric phenomena for microwave amplification.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 167-169
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Terahertz Characterization of Be-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    Autorzy:
    Čechavičius, B.
    Kavaliauskas, J.
    Krivaitė, G.
    Seliuta, D.
    Širmulis, E.
    Devenson, J.
    Valušis, G.
    Sherliker, B.
    Halsall, M.
    Steer, M.
    Harrison, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041764.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.-w
    85.30.De
    Opis:
    We report on optical, photoreflectance and surface photovoltage, as well as terahertz photocurrent investigation of Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells at room and liquid helium temperatures, respectively. From the Franz-Keldysh oscillations observed in photoreflectance spectra we determine built-in electric fields within the structure. Interband transition energies calculated by the transfer matrix method are in qualitative agreement with experimentally determined values for the samples having various, from 2×10$\text{}^{10}$ up to 2.5×10$\text{}^{12}$ cm$\text{}^{-2}$, Be doping densities. The photocurrent observed in the range of 5.4-7.3 THz we associate with photoionization of Be-acceptor states.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 328-332
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Terahertz Detection with δ-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    Autorzy:
    Seliuta, D.
    Čechavičius, B.
    Kavaliauskas, J.
    Krivaitė, G.
    Grigelionis, I.
    Balakauskas, S.
    Valušis, G.
    Sherliker, B.
    Halsall, M.
    Lachab, M.
    Khanna, S.
    Harrison, P.
    Linfield, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813214.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.-w
    85.30.De
    Opis:
    The authors demonstrate selective detection of terahertz radiation employing berylliumδ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells. The sensitivity up to 1 V/W within 4.2-7.3 THz range at liquid helium temperatures is reached. The Franz-Keldysh oscillations observed in photo- and electroreflectance spectra allowed one to estimate built-in electric fields in the structures studied. It was found that the electric field strength in the cap layer region could vary from 10 kV/cm up to 26 kV/cm, depending on the structure design and temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 909-912
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Broad Band THz Sensing by 2DEG Bow-Tie-Type Diodes
    Autorzy:
    Valušis, G.
    Seliuta, D.
    Tamošiūnas, V.
    Širmulis, E.
    Balakauskas, S.
    Gradauskas, J.
    Sužiedėlis, A.
    Ašmontas, S.
    Anbinderis, T.
    Narkūnas, A.
    Papsujeva, I.
    Lisauskas, A.
    Roskos, H. G.
    Köhler, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041684.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.-h
    85.30.De
    72.30.+q
    Opis:
    We suggest a novel approach to detect broad band, 0.078-2.52 THz, electromagnetic radiation at room temperature using an asymmetrically-shaped bow-tie diode based on a modulation-doped GaAs/AlGaAs structure. We show that the voltage sensitivity in the range from 0.078 THz up to 0.8 THz has a plateau and its value is within 0.3-0.5 V/W. We consider the bow-tie diode design to increase the sensitivity of the device.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 184-187
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies