Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Romanowski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Simulation of gravitational solids flow process and its parameters estimation by the use of Electrical Capacitance Tomography and Artificial Neural Networks
    Symulacja przepływu grawitacyjnego i estymacja jego parametrów przy użyciu elektrycznej tomografii pojemnościowej i sztucznych sieci neuronowych
    Autorzy:
    Garbaa, H.
    Jackowska-Strumiłło, L.
    Grudzień, K.
    Romanowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408370.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    electrical capacitance tomography
    process simulation
    Artificial Neural Networks
    funnel flow parameters estimation
    elektryczna tomografia pojemnościowa
    symulacja procesu
    sztuczne sieci neuronowe
    estymacja parametrów przepływu kominowego
    Opis:
    The paper presents a new approach to monitoring changes of characteristic parameters of gravitational solids flow. Electrical Capacitance Tomography (ECT) is applied for non-invasive process monitoring. Artificial Neural Networks (ANN) are used to estimate important flow parameters knowing the measured capacitances. The proposed approach solves the ECT inverse problem in a direct manner and provides a rapid parameterization of the funnel flow. The simulation of the silo discharging process is performed relying on real flow behaviour obtained from the authors’ previous work. The simulated data are used to new approach testing and verification. The obtained results proved that proposed ANN-based method will allow for on-line gravitational solids flow monitoring.
    W artykule opisano nowe podejście do monitorowania zmian charakterystycznych parametrów przepływu grawitacyjnego. Do nieinwazyjnego monitorowania procesu stosowana jest Elektryczna Tomografia Pojemnościowa (ECT). Sztuczne Sieci Neuronowe wykorzystywane są do estymacji ważnych parametrów przepływu na podstawie mierzonych pojemności. Zaproponowane podejście pozwala na rozwiązanie problemu odwrotnego w ECT w sposób bezpośredni i umożliwia natychmiastową parametryzację przepływu kominowego. Symulacja procesu rozładowania silosu została wykonana na podstawie wyników wcześniejszych badań eksperymentalnych przeprowadzonych na rzeczywistym obiekcie. Dane symulacyjne wykorzystano do testowania i weryfikacji nowego podejścia. Uzyskane wyniki wykazały, iż zaproponowana metoda wykorzystująca Sztuczne Sieci Neuronowe pozwoli na monitorowanie on-line parametrów przepływu grawitacyjnego.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 2; 34-37
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of electrical capacitance tomography and artificial neural networks to rapid estimation of cylindrical shape parameters of industrial flow structure
    Autorzy:
    Garbaa, H.
    Jackowska-Strumiłło, L.
    Grudzień, K.
    Romanowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/140587.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    artificial neural networks
    electrical capacitance tomography
    flow parameters estimation
    inverse problem
    Opis:
    A new approach to solve the inverse problem in electrical capacitance tomography is presented. The proposed method is based on an artificial neural network to estimate three different parameters of a circular object present inside a pipeline, i.e. radius and 2D position coordinates. This information allows the estimation of the distribution of material inside a pipe and determination of the characteristic parameters of a range of flows, which are characterised by a circular objects emerging within a cross section such as funnel flow in a silo gravitational discharging process. The main advantages of the proposed approach are explicitly: the desired characteristic flow parameters are estimated directly from the measured capacitances and rapidity, which in turn is crucial for online flow monitoring. In a classic approach in order to obtain these parameters in the first step the image is reconstructed and then the parameters are estimated with the use of image processing methods. The obtained results showed significant reduction of computations time in comparison to the iterative LBP or Levenberg-Marquard algorithms.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2016, 65, 4; 657-669
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Parametric methods for ECT inverse problem solution in solid flow monitoring
    Metody parametryczne w rozwiązywaniu problemu odwrotnego dla monitorowania przepływów materiałów sypkich
    Autorzy:
    Romanowski, A.
    Grudzień, K.
    Garbaa, H.
    Jackowska-Strumiłło, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408454.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    electrical capacitance tomography
    tomography image processing
    gravitational flow
    granular material
    tomografia elektryczna pojemnościowa
    przetwarzanie obrazów tomograficznych
    przepływ grawitacyjny
    materiał sypki
    Opis:
    The article presents the parametrisation-based methods of monitoring of the process of gravitational silo discharging with aid of capacitance tomography techniques. Proposed methods cover probabilistic Bayes’ modelling, including spatial and temporal analysis and Markov chain Monte Carlo methods as well as process parametrisation with artificial neural networks. In contrast to classical image reconstruction-based methods, parametric modelling allows to omit this stage as well as abandon the associated reconstruction errors. Parametric modelling enables the direct analysis of significant parameters of investigated process that in turn results in easier incorporation into the control feedback loop. Presented examples are given for the gravitational flow of bulk solids in silos.
    Niniejszy artykuł przedstawia parametryczne metody rozwiązywania problemu odwrotnego w tomografii pojemnościowej na przykładzie monitorowania procesu przepływu materiałów sypkich przy użyciu tomografii pojemnościowej. Wybrane metody obejmują modelowanie probabilistyczne Bayesa, w tym przestrzenne i czasowe oraz metody Monte Carlo łańcuchów Markowa, a także parametryzację procesu z użyciem sztu cznych sieci neuronowych. W odróżnieniu od klasycznych metod opartych na algorytmach rekonstrukcji obrazu parametryzacja pozwala na pominięcie tego etapu, a co za tym idzie brak dodatkowych błędów związanych z rekonstrukcją. Parametryzacja pozwala na bezpośrednią analizę istotnych parametrów badanego procesu, przez co łatwiejsze jest użycie tych wyników w pętli sprzężenia zwrotnego sterowania. Przykłady rozpatrywane w tekście są opisane dla procesu grawitacyjnego opróżniania materiałów sypkich przechowywanych w silosach.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 1; 50-54
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GEOSPAR project: Validation and selection methods of geoinformation analysis using GIS for ranking and forecasting of terrorist threats and criminal events
    Autorzy:
    Stepnowski, A.
    Moszyński, M.
    Romanowski, F.
    Augustynowicz, A.
    Kozaczka, E.
    Szubrycht, T.
    Ligęza, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/332262.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Akustyczne
    Opis:
    The paper presents the description of work activities which have already been done within the first two stages – WorkPackage 1 and WorkPackage 2 - of the GeoSPAR Project. In such a context the general conceptual design of the GIS system and associate web service was presented and analysed. In addition, the operational and technical requirements for the GeoSPAR system have been specified and discussed; with special emphasis on system applications, including both the detection and monitoring of hazardous events along with their simulation and possible outcomes. In particular, the requirements and specification with reference to various sensors and data sources were formulated, these include: airborne data sources, remote sensing satellite data sources and ground-based data sources.
    Źródło:
    Hydroacoustics; 2013, 16; 217-230
    1642-1817
    Pojawia się w:
    Hydroacoustics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Study of SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ Doped with Nd$\text{}^{3+}$ and Yb$\text{}^{3+}$
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Gołąb, S.
    Pisarski, W.
    Dominiak-Dzik, G.
    Gloubokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945654.pdf
    Data publikacji:
    1996-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    42.70.Hj
    Opis:
    Single crystals of SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ singly doped with Nd and codoped with Nd and Yb have been grown by the Czochralski method. Both the compounds form tetragonal crystals but belong to different space groups. A common feature of these matrices is a structural disorder resulting from statistical distribution of Sr$\text{}^{2+}$ and La$\text{}^{3+}$ ions over the lattice sites. A previous investigation of a laser diode pumped SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$:Nd laser revealed that inhomogeneous broadening of spectral lines of Nd$\text{}^{3+}$ was advantageous for optical pumping and did not influence adversely the extraction efficiency. The present paper deals mainly with optical properties of Yb$\text{}^{3+}$ ions which are of interest for the design of lasers pumped by a diode laser and operating near 1 μm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 399-405
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pressure Variation of the Strain State of MnAs Nanoclusters Embedded in GaAs
    Autorzy:
    Bak-Misiuk, J.
    Dynowska, E.
    Romanowski, P.
    Misiuk, A.
    Sadowski, J.
    Caliebe, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431599.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    75.50.Pp
    81.40.Vw
    Opis:
    Granular GaAs:(Mn,Ga)As films were prepared by annealing at 500°C under ambient and enhanced hydrostatic pressure (1.1 GPa), of $Ga_{1-x}Mn_xAs//GaAs$ layers (x = 0.025, 0.03, 0.04, 0.05 and 0.063) grown at 230°C by molecular beam epitaxy method. Distinct influence of enhanced hydrostatic pressure applied during sample annealing on strain state of inclusions was found. An increase of lattice distortion and of strain of inclusions for the samples treated under hydrostatic pressure is related to different bulk moduli of GaAs and of MnAs
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 903-905
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Czochralski Growth and Optical Properties οf $(Lu_{x}Gd_{1-x})_2SiO_5$ Solid Solution Crystals Single Doped with $Sm^{3+}$ and $~Dy^{3+}$
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Strzęp, A.
    Głowacki, M.
    Lisiecki, R.
    Solarz, P.
    Domagala, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399472.pdf
    Data publikacji:
    2013-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Rz
    42.70.Hj
    78.40.-q
    78.55.Fv
    Opis:
    Solid solution crystals $(Lu_{x}Gd_{1-x})_2SiO_5$ single doped with $Sm^{3+}$ and $Dy^{3+}$ were grown by the Czochralski method. Segregation coefficients Lu/Gd, melting temperatures and structures of solid solution crystals were determined for 0.15 ≤ x ≤ 0.8. It was found that for x ≥ 0.17 the crystals belong to the monoclinic system within a space group C2/c and their melting temperature diminishes monotonously from 1990C to 1780C when x decreases from 0.8 to 0.15. Disparity of ionic radii of $Lu^{3+}$ and $Gd^{3+}$ induces structural disorder that brings about an inhomogeneous broadening of spectral lines in absorption and emission spectra of incorporated luminescent $Sm^{3+}$ and $Dy^{3+}$ ions. Optical properties of obtained crystals were determined based on results of measurement of absorption and emission spectra and luminescence decay curves. Spectroscopic investigation revealed that $Sm^{3+}$ doped crystals show intense emission distributed in the visible-near infrared region with the most intense band centred at 605 nm and characterized by a branching ratio of 0.43. Emission spectrum of $Dy^{3+}$ doped crystals is dominated by a band centred at 575 nm and characterized by a branching ratio of 0.58. It has been concluded that the systems under study are potential laser materials able to generate visible emission upon GaN/InGaN laser diode pumping.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 321-328
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of As Grown and Induced Structural Defects in SrLaXO$\text{}_{4}$ (x = Al, Ga) Crystals
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Gołąb, S.
    Dereń, P.
    Dominiak-Dzik, G.
    Pisarski, W.
    Gloubokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964366.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    42.70.Hj
    Opis:
    SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates grown by the Czochralski method have no twins or subgrains however they show strong tendency to form point defects. The nature of these defects is not well understood yet. They may be associated with deviations from stoichiometry andor oxygen atoms located in the interstitial positions. Virtually all title crystals grown by the Czochralski method display various colours from light green to deeply red owing to light absorption by point defects. Absorption centres appear to be very stable in time and resistant to usual thermal treatment. UV excitation increases the density of defects and gives rise to strong photoluminescence, otherwise too weak to be observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 191-196
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Spectroscopy of the $Nd^{3+}$ Luminescence Centres in the $Sr_{4}B_{14}O_{25}:Nd$ Crystal
    Autorzy:
    Padlyak, B.
    Ryba-Romanowski, W.
    Lisiecki, R.
    Oseledchik, Yu.
    Prosvirnin, A.
    Kudryavtcev, D.
    Svitanko, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1550132.pdf
    Data publikacji:
    2010-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.70.-a
    78.40.Ha
    78.55.Hx
    78.20.Bh
    Opis:
    Optical absorption, emission and luminescence kinetics of $Nd^{3+}$ centres in the new borate crystal with $Sr_{4}B_{14}O_{25}:Nd$ (Nd content 0.2 wt.%) composition are investigated and analysed. The oscillator strengths ($P_\text{theor}$ and $P_\text{exp}$) for observed absorption transitions and phenomenological intensity parameters $Ω_t$ ($Ω_2$=1.59×$10^{-20} cm^{-1}$, $Ω_{4}$ = 2.06 × $10^{-20} cm^{-1}$, and $Ω_{6}$ = 2.28 × $10^{-20} cm^{-1}$ were calculated based on the standard Judd-Ofelt theory. Using $Ω_t$ parameters the radiative transitions rates $(W_{r})$, branching ratios (β) and radiative lifetime $(τ_{rad})$ for $Nd^{3+}$ centres in the $Sr_{4}B_{14}O_{25}:Nd$ crystal were calculated and analysed. Measured lifetime ($τ_{exp}$ = 105 and 93 μs at T = 10 and 300 K, respectively) is compared with this calculated ($τ_{rad}$ = 331 μs) and quantum efficiency for $Nd^{3+}$ centres from $\text{}^{4}F_{3//2}$ emitting level in the $Sr_{4}B_{14}O_{25}:Nd$ crystal is estimated (η ≅ 30%). Incorporation peculiarities and local structure of $Nd^{3+}$ luminescence centres in the $Sr_{4}B_{14}O_{25}$ crystal and corresponding glass with $4SrO-7B_{2}O_{3}$ composition are discussed on the basis of referenced X-ray diffraction data and presented results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 104-110
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure of High-Temperature-Grown GaMnSb/GaSb
    Autorzy:
    Romanowski, P.
    Bak-Misiuk, J.
    Dynowska, E.
    Domagala, J.
    Sadowski, J.
    Wojciechowski, T.
    Barcz, A.
    Jakiela, R.
    Caliebe, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1539009.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    68.37.Hk
    68.49.Sf
    68.55.ag
    68.55.Ln
    Opis:
    GaMnSb/GaSb(100) layers with embedded MnSb inclusions have been grown at 720 K using MBE technique. This paper presents the investigation of the defect structure of $Ga_{1-x}Mn_{x}Sb$ layers with different content of manganese (up to x = 0.07). X-ray diffraction method using conventional and synchrotron radiation was applied. Dimensions and shapes of inclusions were detected by scanning electron microscopy. Depth profiles of elements were measured using secondary ion mass spectroscopy technique.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 341-343
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Misiuk, A.
    Prujszczyk, M.
    Wierzchowski, W.
    Surma, B.
    Bąk-Misiuk, J.
    Romanowski, P.
    Shalimov, A.
    Capan, I.
    Yang, D.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.c-
    61.72.-y
    61.82.-d
    Opis:
    Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Resonance and Dielectric Studies of a Nonlinear La$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{5.5}$Ta$\text{}_{0.5}$O$\text{}_{14}$ Single Crystal Doped with Erbium
    Autorzy:
    Bodziony, T.
    Typek, J.
    Orlowski, M.
    Majszczyk, J.
    Wabia, M.
    Berkowski, M.
    Ryba-Romanowski, W.
    Guskos, N.
    Likodimos, V.
    Anagnostakis, E. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035732.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.30.Kg
    77.22.Ch
    Opis:
    Single crystal of erbium doped La$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{5.5}$Ta$\text{}_{0.5}$O$\text{}_{14}$ grown by the Czochralski method have been investigated by electron paramagnetic resonance and dielectric spectroscopy methods. Dielectric permittivity ε measurements performed in 90-440 K temperature range have shown negligible dispersion for 1 kHz - 1 MHz frequencies and a Curie-Weiss type behaviour with C=47700 K andθ=-340 K. Electron paramagnetic resonance studies have revealed the presence of two different paramagnetic, monoclinic centres. The calculated g factor values are: g$\text{}_{1}$=1.449, g$\text{}_{2}$=11. 534, g$\text{}_{3}$=4.24 for the main M$\text{}_{1}$ centre and g$\text{}_{1}$=1.98, g$\text{}_{2}$=4.169, g$\text{}_{3}$=4.25 for the weaker M$\text{}_{2}$ centre. The temperature dependence of EPR line intensity for centre M$\text{}_{1}$ and M$\text{}_{2}$ is quite different - while lines attributed to M$\text{}_{1}$ could only be observed at low temperatures, below 20 K, lines of M$\text{}_{2}$ centre persisted up to 200 K. The M$\text{}_{1}$ centre is connected with Er$\text{}^{3+}$ ion entering substitutionally into La$\text{}^{3+}$ site, while M$\text{}_{2}$ is probably connected with 3d ions at the same site, unintentionally introduced into the material as an admixture.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 2-3; 315-322
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies