Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Piskorski, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Building Change Detection from Multitemporal Airborne Lidar Data Based on Morphology and Histogram
Wykrywanie zmian zabudowy na podstawie lotniczego skaningu laserowego z wykorzystaniem filtrów morfologicznych i analizy histogramu
Autorzy:
Piskorski, R.
Czernomysa, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385899.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
lotniczy skaning laserowy
operatory morfologiczne
histogram
wykrywanie zmian zabudowy
airborne laser scanning (ALS)
morphological operators
building change detection
Opis:
W publikacji przedstawiono przegląd metod wykorzystujących wieloczasowe dane ALS do celów detekcji zmian w obrębie zabudowy. Opierając się na stosowanych rozwiązaniach, zaproponowano dwuetapową metodę polegającą na zastosowaniu filtrów morfologicznych oraz analizie histogramu. Zaproponowana metoda została przetestowana na siedmiu obszarach o różnych typach zabudowy. Operatory morfologiczne zostały wykorzystane w celu detekcji stanu zabudowy w badanych okresach (2006 i 2012). Na podstawie algebry (odejmowanie) uzyskanych map otrzymano wyniki prezentujące miejsca zmian. Po wyeliminowaniu artefaktów zaprezentowano analizę dokładności świadczącej o poprawności wykrywania zabudowy i detekcji miejsc zmian. W celu bardziej dokładnego scharakteryzowania zachodzących zmian wykorzystano histogramy powstałe z wykorzystaniem danych wysokościowych. Na ich podstawie wnioskowano na temat rodzaju zmian, jakie zaszły na danym obszarze.
This publication provides an overview of methods that use multitemporal ALS data for the purpose of detecting changes in the building. Based on the proposed two-step solutions applied method based on the use of morphological filters and the analysis of the histogram. The proposed method has been tested on seven areas with different types of buildings. Morphological operators are used to detect the state of buildings in the studied period (2006 and 2012). On the basis of the substitution obtained maps, it obtained results showing the locations of the changes. After eliminating artifacts, presents an analysis of the accuracy characterized correctness building detection and detection of changes. In order to more precisely characterize the changes which are occurred, uses histograms created based on the elevation data. On the basis of their requested on the type of changes that have taken place in the area.
Źródło:
Geomatics and Environmental Engineering; 2015, 9, 3; 69-85
1898-1135
Pojawia się w:
Geomatics and Environmental Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers
Autorzy:
Piskorski, Ł.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/175109.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
material parameters
computer simulation
mid-infrared devices
GaSb-based lasers
Opis:
The proper modelling of semiconductor device operation with full complexity of many interrelated physical phenomena taking place within its volume is possible only when the material parameters which appear in each part of the self-consistent model are known. Therefore, it is necessary to include in calculations the material composition, temperature, carrier concentration, and wavelength dependences in electrical, thermal, recombination and optical models. In this work we present a complete set of material parameters which we obtained basing mostly on the experimental data found in several dozen publications. To refine the number of equations, we restrict the material list to those which are typically used in edge-emitting lasers and vertical-cavity surface-emitting lasers designed for mid-infrared emission.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 227-240
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm
Autorzy:
Piskorski, Ł.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/199958.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
simulation of a diode-laser operation
QW VCSELs
mid-infrared radiation
dilute nitrides
Opis:
In the present paper, the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination model is used to determine the optimal structure of the possible GaInNAs quantum-well (QW) tunnel-junction (TJ) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with single-fundamental-mode operation at 2.33 μm wavelength suited for carbon monoxide sensing applications. From among various considered structures, the diode laser with 4-μm TJ and two 6-nm Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Ga0.327In0.673As0.71P0.29 QWs has the lowest threshold current and seems to be optimal for the above applications. Higher threshold currents are obtained for Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Al0.138 -Ga0.332In0.530As QW structures but the latter can be grown in reactors without P source which are used for fabrication of GaAs-based devices. Both the modelled VCSELs offer a very promising room temperature continuous wave performance and may represent an alternative choice to GaSb-based lasers.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 3; 737-744
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range
Autorzy:
Piskorski, Ł.
Frasunkiewicz, L.
Sarzała, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200684.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
strained QWs
GaInNAs
GaInAsSb
mid-infrared radiation
numerical analysis
napięte konstrukcje QWs
analiza numeryczna
Opis:
In the present paper the results of the computer analysis of the GaAs-based and GaSb-based active regions that can be applied in compact semiconductor laser sources of radiation at mid-infrared wavelengths are presented. Quantum well material contents and strain dependencies on the maximal gain are investigated. It is shown that above 3 μm the maximal gain obtained for GaInNAs/AlGaInAs active region is high only for thick, highly-strained GaInNAs QWs with N concentration higher than 2%. Much higher gain in this wavelength range can be obtained for GaInAsSb/AlGaAsSb active region, which offers relatively high gain even at 4.5 μm when the Sb content in GaInAsSb and compressive strain in this layer are equal to 50% and − 2%, respectively.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 3; 597-603
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:
Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200863.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement
Opis:
This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 147-154
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies