Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Paszkiewicz, R" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Improvement of the electron beam lithography contact pads fabrication process
Autorzy:
Indykiewicz, K.
Paszkiewicz, R.
Paszkiewicz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173623.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
electron beam lithography
EBL
exposition of big areas
exposition time optimization
Opis:
In the paper, the verification of using the electron beam lithography technique as a main lithography tool for device fabrication is presented. The results of conducted experiments allow us to minimize the exposition time of big areas and retain acceptable metallic structures resolution and designed distances for structures in the neighborhood of a few micrometers. Conducted statistical analysis allows us to define the significance of the selected factors influence on the objectives of this study.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 249-254
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:
Wosko, M
Paszkiewicz, B
Paszkiewicz, R
Tlaczala, M
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174100.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE
Opis:
AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 61-66
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AlGaN/GaN Heterostructure FET - Processing and Parameters Evaluation
Autorzy:
Boratyński, B.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1585274.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Hd
85.30.De
85.30.Tv
Opis:
AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors were investigated in terms of microwave and sensor applications. Heterostructure layers grown on sapphire substrates were evaluated using impedance spectroscopy measurements. The 2DEG sheet concentration of 8× $10^{12} cm^{-2}$ and mobility of 1600 $cm^{2}$/(Vs) were obtained. The measured I-V characteristics of the heterostructure field effect transistors devices revealed the saturated drain current 180 mA/mm and the gate pinch-off voltage -2.0 V with the transconductance 200 mS/mm. The structures have been characterized in microwave frequency range with the measured cut-off frequency of 6 GHz for 1 μm gate device. Studies of an AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode with a catalytic Pt electrode as a hydrogen gas sensor confirmed high sensitivity of the Schottky barrier on hydrogen adsorption. Differential conductance of the Schottky diode was found to be a convenient parameter to estimate changes of the Schottky barrier height.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 800-805
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SbSI Single Nanowires as Humidity Sensors
Autorzy:
Mistewicz, K.
Nowak, M.
Szperlich, P.
Jesionek, M.
Paszkiewicz, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376060.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.07.Df
92.60.Jq
73.50.Pz
81.07.Gf
Opis:
For the first time influence of humidity on photoconductivity transient characteristics are studied for antimony sulfoiodide (SbSI) single nanowires. While negative photoconductivity is observed for SbSI gel, made up of large quantity of nanowires, only the positive effect occurs for SbSI single nanowires. Photoconductivity current response on switching on and off illumination in moist $N_{2}$ represents so-called hook anomaly.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1113-1114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
Autorzy:
Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk
Opis:
Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum Effects in Electrical Conductivity and Photoconductivity of Single SbSI Nanowire
Autorzy:
Mistewicz, K.
Nowak, M.
Wrzalik, R.
Jesionek, M.
Szperlich, P.
Paszkiewicz, R.
Guiseppi-Elie, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399097.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Vb
81.07.Bc
73.63.Bd
Opis:
For the first time current quantization is reported for antimony sulfoiodide (SbSI) nanowires. It has been registered in current responses on electric field switching as well as on illumination on and off. Current steps determined in all experiments have been equal to each other within the experimental error. It has been explained by the quantized change of free carrier concentration in nanowire. Lateral dimensions of SbSI nanowires estimated from quantum steps are comparable with geometrical data reported for the same technology of material preparation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 827-829
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epoxy composites with carbon nanotubes
Kompozycje epoksydowe z nanorurkami węglowymi
Autorzy:
Pilawka, R.
Paszkiewicz, S.
Rosłaniec, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/176033.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
żywice epoksydowe
nanorurki węglowe wielościenne
morfologia
proces sieciowania
przewodnictwo elektryczne
wytrzymałość na zginanie
epoxy resins
multiwall carbon nanotubes
morphology
curing process
electrical conductivity
bending strength
Opis:
In the work viscosity, curing process of epoxy resins, electrical conductivity and mechanical strength of epoxy composites with carbon nanotubes were investigated. As a component was used Epidian 6 epoxy resin cured with 1-buthylimidazole by anionic polymerization. Compositions with nanofillers were prepared by sonification of multiwall carbon nanotubes (BAYTUBES 150 P and BAYTUBES 150 HP) in epoxy resin without any solvent. The morphology of prepared nanocomposites was examined by using SEM. Scanning electron microscopy confirms good dispersion of CNTs, but the presence of agglomerates is also identified. Viscosity of compositions with two kind of carbon nanotubes was established by means of ARES rheometer. Curing process with ARES rheometer and DSC was investigated. Bending strength and electrical conductivity were performed on composites made of an epoxy resin loaded with 0.1, 0.2, 0.5, 1 and 2 wt. percent both types of MWNTs. The incorporation of MWCNT to epoxy resin results in a sharp insulator-to-conductor transition with a percolation threshold (phi c) as low as 0.5 wt. percent for Baytubes 150 HP and 1.0 wt. percent for Baytubes 150 P. An electrical conductivity of 10 to the -4 S/cm was achieved for 0.5 wt. percent of MWCNT 150 HP. The low percolation threshold for each MWCNTs and relatively high electrical conductivity are attributed to the high aspect ratio, large surface area and uniform dispersion of the carbon nanotubes in epoxy matrix.
W pracy ustalono właściwości mechaniczne, przewodnictwo elektryczne, lepkość oraz proces sieciowania kompozycji epoksydowych z nanorurkami węglowymi. Stosowano żywicę epoksydową Epidian 6 sieciowaną 1-butylimidazolem zgodnie z mechanizmem polimeryzacji anionowej. Kompozycje z nanonapełniaczami przygotowano poprzez sonikację wielościennych nanorurek węglowych (BAYTUBES 150 P oraz BAYTUBES 150 HP) w żywicy epoksydowej bez użycia rozpuszczalnika. Strukturę wytworzonych nanokompozytów określono metodami skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM). Nanokompozyty cechuje duża dyspersja CNT z nielicznymi aglomeratami. Określono wpływ zawartości nanorurek na lepkość kompozycji. Kinetykę procesu sieciowania ustalono metodą różnicową kolorymetrii skaningowej (DSC) oraz reometrii, przy zastosowaniu aparatu ARES. Wytrzymałość na zginanie oraz przewodnictwo elektryczne określono dla kompozycji epoksyd/MWCNT o zawartości nanorurek 0.1, 0.2, 0.5, 1 oraz 2 procent mas. dla obu typów nanorurek węglowych. Wprowadzenie nanorurek węglowych do żywicy epoksydowej powoduje nagłe przejście od izolatora do przewodnika z progiem perkolacji (fi c) wynoszącym 0.5 procent mas. dla Baytubes 150 HP oraz 1.0 procent mas. dla Baytubes 150 P. Przewodnictwo elektryczne 10 do -4 S/cm uzyskano przy zawartości 0.5 procent mas. nanorurek MWCNT 150 HP. Mała wartość perkolacji dla obu użytych typów nanorurek węglowych oraz dobre przewodnictwo elektryczne są spowodowane dużą wartością współczynnika kształtu, dużą powierzchnią właściwą oraz jednolitą dyspersją nanorurek węglowych w żywicy epoksydowej.
Źródło:
Advances in Manufacturing Science and Technology; 2012, 36, 3; 67-79
0137-4478
Pojawia się w:
Advances in Manufacturing Science and Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
Autorzy:
Hojko, M R
Paszuk, D
Paszkiewicz, B
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174545.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
sensor
AlGaN/GaN heterostructure
electrolyte
two-dimensional electron gas (2DEG)
pH
Opis:
In the paper, the behavior of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures in a water solution of (KOH + HCl) with differing pH was studied. The influence of the electrolyte pH on channel pinch-off voltage was measured using impedance spectroscopy methods. It was observed that the change of the pH of electrolyte has a strong effect on the pinch-off voltage of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures independently of the concentration of other ions. In high-pH environment the so-called memory effect of heterostructures was revealed. Its possible origin was discussed. A general theory to explain all results was proposed.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 35-38
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of useful plants in mountain meadow-pasture communities from molinio-arhenatheretea class
Rola roślin użytkowych w górskich zbiorowiskach łąkowopastwiskowych z klasy molinio-arhenatheretea
Autorzy:
Paszkiewicz-Jasińska, A.
Kopacz, M.
Kurnicki, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/336645.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
mountain meadow-pasture communities
Kłodzko County
edible plants for humans
medicinal plant
melliferous plant
plant providing pollen
plant providing nectar
utility value
górskie zbiorowiska łąkowo-pastwiskowe
powiat kłodzki
roślina jadalna
człowiek
roślina lecznicza
roślina pożytkowa
roślina pyłkodajna
roślina nektarodajna
wartość użytkowa
Opis:
The aim of this study was to analyze the species composition of seven communities of mountain grasslands selected in the Kłodzko County, with regard to the presence of useful plants, whose share largely determines the possibilities of their use, mainly as a fodder for ruminants, as a natural place for obtaining pollen and nectar for Apidae, as well as the base of medicinal, edible or of potential culinary importance plants. The analysis was based on 221 phytosociological relevés completed with Braun-Blanquet’s method in the years 2009-2013. Results of the research show that the majority of distinguished communities was characterized by a good utility value number of the sward (UVN=6.1-7.2), with the exception of Angelico-Cirsietum oleracei association (UVN=3.8), significant share of plant species valuable for fodder, plants with medicinal properties, edible for humans and melliferous plants (providing pollen and nectar).
Celem pracy była analiza składu gatunkowego siedmiu zbiorowisk górskich użytów zielonych wyróżnionych w powiecie kłodzkim, pod kątem obecności roślin użykowych, których udział w znacznym stopniu decyduje o możliwościach ich wykorzystania, głównie jako źródła paszy dla zwierząt przeżuwających, jako naturalnego miejsca pozyskiwania pyłków pszczelich i nektaru dla owadów z rodziny pszczołowatych, a także bazy roślin leczniczych oraz jadalnych lub o potencjalnym znaczeniu kulinarnym. Bazę do przeprowadzonej analizy stanowiło 221 zdjęć fitosocjologicznych wykonanych metodą Braun-Blanqueta w latach 2009-2013. Z przeprowadzonych badań wynika, że większość wyróżnionych zbiorowisk charakteryzowała się dobrą wartością użytkową runi (Lwu=6,1-7,2), z wyjątkiem zespołu Angelico-Cirsietum oleracei (Lwu=3,8), znacznym udziałem gatunków roślin wartościowych paszowo, roślin o właściwościach leczniczych, jadalnych dla ludzi oraz roślin pożytkowych (pyłkodajnych i nektarodajnych).
Źródło:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2018, 63, 3; 50-55
1642-686X
2719-423X
Pojawia się w:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Representativeness analysis and possible applications of partial network data flows
Autorzy:
Bolanowski, M.
Paszkiewicz, A.
Wroński, M.
Żegleń, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/114308.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
link aggregation control protocol
network security
network anomaly detection
Opis:
A new approach to statistical analysis of network flows and its possible application to statistical anomaly detection in high bandwidth communication networks are presented in the paper. The whole data stream was divided into smaller flows using Link Aggregation Control Protocol (LACP). A statistical analysis of the resulting flows shows that a single stream separated from the overall network traffic is representative when it comes to statistical anomaly detection. Such an approach allows the reduction of hardware resources needed to detect anomalies, and makes such a detection possible in high traffic communication systems.
Źródło:
Measurement Automation Monitoring; 2016, 62, 1; 29-32
2450-2855
Pojawia się w:
Measurement Automation Monitoring
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stress test of network devices with maximum traffic load for second and third layer of ISO/OSI model
Graniczne wysycanie ruchem urządzeń sieciowych w warstwie drugiej i trzeciej modelu ISO/OSI
Autorzy:
Bolanowski, M.
Paszkiewicz, A.
Zapala, P.
Żak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152544.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
computer network
stress test
network devices
model ISO/OSI
sieci komputerowe
testy wydajnościowe
urządzenia sieciowe
Opis:
Proper selection of network devices have a crucial impact on the entire process of designing and building a modern communication system. At the moment, performance testing of network devices are often implemented by specialized laboratories or by the network devices vendors. To implement this test, the test traffic need be generated with bandwidth of 100 and more Gb/s. The authors of the article proposed their own test topologies that allows to saturate all switch ports based on the entangled traffic between ports or routing instances. In the introduction, the authors present how this type of tests are currently implemented. In the second Chapter, the components of the test bench are presented. The third Chapter presents the topology used to implement the test in the second layer of ISO/OSI model, and shows the influence of the test traffic on the selected devices elements. In the Chapter four proposes topologies that saturate two tested switches with the traffic based on entangling traffic with use of VRF and OSPF protocols. Such approach, based on open standards allows for self-realization of the tests by the final customer who can check the performance of the protocols or application in the environment of maximum traffic load. Note, that the presented method is used only to generate load on the ports of the device. This could be a good basis to start the appropriate tests of specified services or protocols.
Odpowiedni dobór urządzeń sieciowych ma kluczowy wpływ na cały proces projektowania i budowy współczesnego systemu komunikacyjnego. W chwili obecnej testy wydajnościowe urządzeń sieciowych realizowane są najczęściej przez wyspecjalizowane laboratoria lub przez samych producentów urządzeń sieciowych. Do ich przeprowadzenia wymagane jest wygenerowanie ruchu testowego charakteryzującego się niejednokrotnie przepustowościami na poziomie 100 i więcej Gb/s. Autorzy w artykule zaproponowali własne topologie testowe które pozwalają wysycić wszystkie porty testowanego urządzenia. Bazują one na zapętlaniu ruchu pomiędzy portami lub instancjami rutingu. We wstępie autorzy prezentują jak aktualnie realizowane są tego typu testy urządzeń. W rozdziale drugim zaprezentowane zostały elementy składowe stanowiska badawczego. W rozdziale trzecim zaprezentowana została topologia wykorzystywana do realizacji testów w warstwie drugiej modelu ISO/OSI, oraz pokazano wpływ ruchu testowego na wybrane elementy sprzętowe urządzenia. W rozdziale czwartym zaproponowano topologie wysycania ruchem dwóch urządzeń testowych bazującą na zapętleniu ruchu z wykorzystaniem VRF i protokołu OSPF. Takie podejście, bazujące na otwartych standardach pozwala na samodzielną realizację testów urządzeń przez klienta końcowego, który może sprawdzić działanie interesujących go protokołów w środowisku granicznie wysyconego ruchem urządzenia sieciowego. Należy jednak pamiętać, że przedstawiona metoda służy jedynie do generowania obciążenia na portach urządzenia. Może to być dobra podstawa do zrealizowania właściwych testów określonych usług lub protokołów.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 10, 10; 854-857
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Industry 4.0, processing of polymer materials, integrated information systems
Przemysł 4.0. Cz. I. Wybrane aplikacje w przetwórstwie tworzyw polimerowych
Autorzy:
Oleksy, M.
Budzik, G.
Sanocka-Zajdel, A.
Paszkiewicz, A.
Bolanowski, M.
Oliwa, R.
Mazur, Ł.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/947096.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
Przemysł 4.0
przetwarzanie materiałów polimerowych
zintegrowane systemy informacyjne
Industry 4.0
processing of polymer materials
integrated information systems
Opis:
Examples of applications of the Industry 4.0 concept in manufacturing operations connected with processing of polymer materials were presented. Implementation of Industry 4.0 structure aims at increasing the speed of manufacturing with simultaneous decrease in the number of defective products. Such results are enabled by the use of integrated information systems coupled with automated manufacturing and quality control processes. On the basis of literature and own experience, it was found that the processing industry requires the use of such integrated systems, and further improvement of competitiveness will be difficult to achieve without implementing the developed Industry 4.0 concepts.
Przedstawiono przykłady zastosowań koncepcji Przemysł 4.0 w procesach produkcyjnych związanych z przetwórstwem tworzyw polimerowych. Implementacja struktury Przemysłu 4.0 ma na celu zwiększenie szybkości produkcji przy jednoczesnym zmniejszeniu liczby braków. Osiągnięcie takich rezultatów jest możliwe z wykorzystaniem zintegrowanych systemów informatycznych sprzężonych ze zautomatyzowanymi procesami produkcji i kontroli jakości. Na podstawie literatury i doświadczeń własnych stwierdzono, że przemysł przetwórczy wymaga stosowania tego typu zintegrowanych systemów w celu osiągnięcia dalszej poprawy konkurencyjności.
Źródło:
Polimery; 2018, 63, 7-8; 531-535
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cytotoxic activity of Paris quadrifolia extract and isolated saponin fractions against human tumor cell lines
Autorzy:
Stefanowicz-Hajduk, J.
Kawiak, A.
Gajdus, J.
Ochocka, J.R.
Paszkiewicz, M.
Stepnowski, P.
Lojkowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/19872.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Opis:
Steroidal saponins isolated from many plant species belonging to Monocotyledones display potent cytotoxic activity towards many human tumor cells. We examined the cytotoxic effects of crude Paris quadrifolia extract for the first time, testing isolated saponin-rich fractions against four different human cell lines using the [(3-(4,5- dimethylthiazol-2-yl)]-2,5-diphenyltetrazolium bromide (MTT) assay. Cytotoxic activity was tested against human promyelocytic leukemia (HL-60) cells, human cervical adenocarcinoma (HeLa) cells and human breast cancer (MDA-MB-468) cells. Human skin fibroblasts were used as non-neoplastic control cells. Our results show significant activity of the weakly water-soluble solid residue and butanolic fraction against HL-60 and HeLa cells. The solid residue exerted cytotoxicity against all tested cell lines.
Źródło:
Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica; 2011, 53, 2
0001-5296
Pojawia się w:
Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies