Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hruban, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
X-Ray High-Resolution Diffraction and Transmission Topography Study of InGaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Technique
Autorzy:
Kowalski, G.
Gronkowski, J.
Borowski, J.
Hruban, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812250.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Dd
07.85.Jy
81.10.Fq
Opis:
New results on ternary InGaAs crystals grown using liquid encapsulated Czochralski technique with constant liquid composition are reported. X-ray high-resolution diffractometry (rocking curves and reciprocal space maps) as well as X-ray topography using the transmission Lang setup were used. Growth history of the bulk ingots was revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 391-398
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Superconductivity in Highly Cr-Doped GaP Single Crystals
Autorzy:
Gosk, J. B.
Strzelecka, G.
Kowalski, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Gronkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046913.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.10.+v
75.50.Pp
61.72.Vv
61.72.Dd
81.10.Dn
Opis:
Studying bulk GaP, highly doped with Cr, and searching for possible ferromagnetic semiconductor in view of spintronic applications, we found superconducting behavior of this material unexpectedly. Magnetization techniques and X-ray diffraction were applied to study these crystals. Magnetization revealed superconducting features up to about 6 K and X-ray studies showed that superconductivity might be related to small size Cr precipitates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 189-193
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of thermoelectric properties of polycrystalline and sintered PbTe doped with chromium and iodine
Porównanie właściwości termoelektrycznych polikrystalicznego i spiekanego PbTe domieszkowanego chromem i jodem
Autorzy:
Królicka, A.
Hruban, A.
Materna, A.
Piersa, M.
Strzelecka, S.
Dalecki, W.
Romaniec, M.
Orliński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192064.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
thermoelectricity
PbTe
ball milling
pressing
sintering
termoelektryczność
mielenie kulowe
prasowanie
spiekanie
Opis:
In this paper we compare the electrical and thermoelectric properties of polycrystalline PbTe doped with chromium and iodine, obtained by the Bridgman method and the sintered material obtained following the powder processing procedure. The highest values of the Seebeck coefficient for the polycrystalline and sintered material are as follows: - 160 μV/K (T = 675 K) and - 311 μV/K (T = 573 K), respectively, thus indicating a significant improvement in the thermoelectric properties of the sintered material. The studies of the influence of the powder particle size on the properties of the sintered material were carried out.
W artykule przedstawiono porównanie własności elektrycznych i termoelektrycznych polikrystalicznego tellurku ołowiu domieszkowanego chromem i jodem, otrzymanego za pomocą metody Bridgmana z własnościami materiału spiekanego otrzymanego z proszków. Najwyższe wartości współczynnika Seebecka polikrystalicznego materiału i materiału po spiekaniu wynoszą odpowiednio: - 160 μV/K (T = 675 K) oraz - 310 μV/K (T = 573 K) i wskazują na znaczną poprawę parametrów termoelektrycznych materiału otrzymanego w wyniku spiekania. Przeprowadzono badania wpływu wielkości ziaren proszku na własności materiału spiekanego.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 1, 1; 5-12
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mn Impurity in Bulk GaAs Crystals
Autorzy:
Pawłowski, M.
Piersa, M.
Wołoś, A.
Palczewska, M.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Gosk, J.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044520.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.20.Ee
75.50.Pp
76.30.Fc
Opis:
Magnetic and electron transport properties of GaAs:Mn crystals grown by Czochralski method were studied. Electron spin resonance showed the presence of Mn acceptor A in two charge states: singly ionized A$\text{}^{-}$ in the form of Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$), and neutral A$\text{}^{0}$ in the form of Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) plus a bound hole (h). It was possible to determine the relative concentration of both types of centers from intensity of the corresponding electron spin resonance lines. Magnetization measured as a function of magnetic field (up to 6 T) in the temperature range of 2-300 K revealed overall paramagnetic behavior of the samples. Effective spin was found to be about 1.5 value, which was consistent with the presence of two types of Mn configurations. In most of the studied samples the dominance of Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$)+h configuration was established and it increased after annealing of native donors. The total value of Mn content was obtained from fitting of magnetization curves with the use of parameters obtained from electron spin resonance. In electron transport, two mechanisms of conductivity were observed: valence band transport dominated above 70 K, and hopping conductivity within Mn impurity band at lower temperatures. From the analysis of the hopping conductivity and using the obtained values of the total Mn content, the effective radius of Mn acceptor in GaAs was estimated as a = 11±3Å.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 825-830
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
Autorzy:
Hruban, A.
Materna, A.
Dalecki, W.
Strzelecka, G.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492965.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.10.-d
72.15.-v
72.20.-I
73.20.-r
Opis:
We studied synthesis and crystal growth of $Bi_2Te_3,$ $Bi_2Se_3$ and $Bi_2Te_2Se$ compounds by means of vertical Bridgman method. Crystals were grown from stoichiometric melts and under different molar ratio of Bi:Te, Bi:Se or Bi:Te:Se. The obtained crystals were characterized by X-ray diffraction analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the Hall effect measurements. Some of the samples demonstrated insulating bulk behavior, by means of resistivity versus temperature measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 950-953
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Spectroscopy of GaAs Doped with Mn
Autorzy:
Rutkowska, A.
Wasik, D.
Witowski, A.
Sadowski, M.
Orłowski, W.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044531.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
We found that the fine structure related to Lyman spectra of [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] centers in GaAs was present only for samples with low Mn concentration. Such samples, at low temperature, did not show any hopping conductance within Mn impurity band. Magnetooptical measurements revealed that magnetic field induced splitting of the Lyman optical transitions was larger than Zeeman splitting observed for typical shallow acceptors in GaAs, like Be, Zn, and C. This experimental result proved that in the case of Mn acceptor impurity, the exchange coupling of a hole and the S = 5/2 Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) core could not be neglected, which was in accordance with the [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] model of the neutral Mn center in GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 845-849
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Mn-Related Defect Band in InP
Autorzy:
Macieja, B.
Korona, K. P.
Piersa, M.
Witowski, A. M.
Wasik, D.
Wysmołek, A.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Surma, B.
Palczewska, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036033.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.20.Ee
72.20.Jv
Opis:
Electron paramagnetic resonance, optical absorption, luminescence and electrical studies of InP highly doped with Mn were performed. Electron paramagnetic resonance revealed presence of manganese in Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) configuration. In optical absorption, systematic reduction of InP band gap was observed with increase in Mn content. This was correlated with increase in photoionization-type absorption band starting at 0.2 eV. Time-resolved photoluminescence measurements showed decrease in photoexcited carrier lifetime and shortening of donor-acceptor pair recombination time with increase in Mn content. Moreover, photoluminescence band was shifted to lower energies, similarly to optical band gap. In electrical transport two mechanisms of conductivity were observed. Valence band transport dominated at higher temperatures, above 160 K, and activation energy of free-hole concentration was determined as about 0.20 eV. At lower temperatures hopping conductivity, clearly related to Mn defect band, was present. All these results were consistent with assumption of creation of Mn-related defect-band at 0.2 eV above InP valence band. It was found that Mn centers responsible for this band were in configurations of either d$\text{}^{5}$ or d$\text{}^{5}$ plus a hole localized about 7Å around corresponding Mn core.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 637-642
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies