X-Ray High-Resolution Diffraction and Transmission Topography Study of InGaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Technique

Szczegóły
Opis

Tytuł:: X-Ray High-Resolution Diffraction and Transmission Topography Study of InGaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Technique
Autorzy:: Kowalski, G.
Gronkowski, J.
Borowski, J.
Hruban, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812250.pdf
Data publikacji:: 2008-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Dd
07.85.Jy
81.10.Fq
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 391-398
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

New results on ternary InGaAs crystals grown using liquid encapsulated Czochralski technique with constant liquid composition are reported. X-ray high-resolution diffractometry (rocking curves and reciprocal space maps) as well as X-ray topography using the transmission Lang setup were used. Growth history of the bulk ingots was revealed.

Informacja

Powiązane pozycje