Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gołaszewska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 17
Tytuł:
Analysis of the effect of various types of limestone as a main constituent of cement on the chosen properties of cement pastes and mortars
Analiza wpływu różnych rodzajów wapienia jako składnika głównego cementu na wybrane właściwości zaczynów i zapraw
Autorzy:
Gołaszewski, J.
Cygan, G.
Gołaszewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/230346.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
wapień
zaprawa
cement
reologia
skurcz
właściwości mechaniczne
limestone
mortar
rheology
shrinkage
mechanical properties
Opis:
The article is an attempt to compare the impact of the use of various types of limestone as the main constituent of cement on selected mortar properties. Four different limestones were added in amount of 15, 30, 40% to CEM I 42.5 R to obtain limestone cemens. Rheological properties (yield stress, plastic viscosity) of fresh mortar, tensile and compressive mortar strength, early shrinkage, and drying shrinkage were tested. Obtained results indicate that both tensile and compressive strength decreases with the increase of the limestone content in cement. Limestone can worsen or improve workability, depending on distribution of limestone grains. The addition of limestone increases the early shrinkage, but reduces the shrinkage after 28 days. Studies show that the granulation of limestone plays an important role in determining the influence of limestone on mortar properties.
Mączki wapienne są stosowane szeroko w budownictwie, między innymi jako składnik główny cementu. Mączki wapienne kształtują właściwości kompozytów cementowych poprzez kilka mechanizmów. Pierwszym jest efekt wypełnienia związany głównie z ich uziarnieniem. Oprócz tego zastąpienie części klinkieru wapieniem powoduje wzrost efektywnego stosunku wodno-cementowego, w efekcie czego ziarna klinkieru portlandzkiego (cementu) mają dostępne więcej wody do procesu hydratacji. Drobne ziarna wapienia zapobiegają także aglomeracji produktów hydratacji wokół ziaren klinkieru, w efekcie woda ma łatwiejszy dostęp do niehydratyzowanych części ziaren cementu przez dłuższy okres niż w przypadku cementów portlandzkich bez dodatku wapienia. Drobniejsze od klinkieru ziarna wapienia mogą także działać jako zarodki krystaliczne, które przyspieszają proces hydratacji, w głównej mierze glinianów wapniowych. Wapień nie ma właściwości pucolanowych czy hydraulicznych, a jego wpływ na wytrzymałość na ściskanie cementu jest niewielki. Generalnie wytrzymałość na ściskanie zmniejsza się co jest związane z efektem rozcieńczenia. Wpływ wapienia na niektóre właściwości cementów wapiennych, m.in. czas wiązania oraz właściwości reologiczne, jest jednak niejednoznaczny. Celem przeprowadzonych badań było więc sprawdzenie jak różne rodzaje wapienia wpływają na wybrane właściwości zaczynów i zapraw z cementem z wapieniem jako składnikiem głównym.
Źródło:
Archives of Civil Engineering; 2019, 65, 3; 75-86
1230-2945
Pojawia się w:
Archives of Civil Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of catch crops in in the field plant production - a review
Autorzy:
Zuk-Golaszewska, K.
Wanic, M.
Orzech, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/13578.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Źródło:
Journal of Elementology; 2019, 24, 2
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Catch crops and the soil environment – a review of the literature
Autorzy:
Wanic, M.
Zuk-Golaszewska, K.
Orzech, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/15025.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Źródło:
Journal of Elementology; 2019, 24, 1
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of magnesium on pork quality
Wpływ magnezu na jakość mięsa świń
Autorzy:
Lipinski, K.
Stasiewicz, M.
Purwin, C.
Zuk-Golaszewska, .
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/15195.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Opis:
Over the recent years, there has been an increasing interest in improving pork quality, which at present often fails consumer requirements. Nutritional regime is one of the key environmental factors affecting fattening results, slaughter value and meat quality. The technological and organoleptic properties of pork can be modified through feeding. Numerous studies have been conducted to determine the effect of diet composition on meat quality. Consumers prefer lean pork with a bright reddish-pink color, and they object to muscles that are too pale or too dark. An excess amount of meat juice in the package is also considered unacceptable. The role of vitamins, minerals and feed additives in animal nutrition is an important consideration. Animal production efficiency is dependent upon an adequate supply of nutrients and minerals. Nutrient availability from feedstuffs is a principal factor in improving animal productivity and health as well as meat quality. Organic forms of minerals have been proven to have high bioavailability. Since the magnesium content of standard diets satisfies the needs of animals, pigs are usually not provided with supplemental magnesium. However, research results show that magnesium compounds have a beneficial influence on selected aspects of pig production. Dietary magnesium supplementation positively affects the behavior of animals, decreases their stress sensitivity and improves pork quality by enhancing meat color, reducing drip loss and increasing acidity.
W ostatnich latach dużo uwagi poświęca się jakości mięsa wieprzowego, która w opinii wielu konsumentów jest niska i nie odpowiada ich wymaganiom. Żywienie zwierząt jest jednym z najważniejszych czynników środowiskowych, który ma wpływ na efektywność tuczu, wartość rzeźną i jakość mięsa. W przypadku trzody chlewnej istnieje możliwość modyfikowania zasadniczych cech jakości technologicznej i organoleptycznej mięsa poprzez żywienie. Obecnie prowadzi się wiele badań związanych z wpływem składników pokarmowych na jakość uzyskanego mięsa. Nabywca wybierając opakowanie mięsa kulinarnego preferuje porcje z dużą zawartością chudej tkanki mięśniowej, o typowej dla wieprzowiny różowoczerwonej barwie. Nie akceptowane są porcje mięsa o barwie zbyt jasnej lub zbyt ciemnej oraz mięso z dużą ilością wycieku soku mięsnego. Analizując wpływ żywienia na jakość mięsa, często zwraca się uwagę na rolę witamin i składników mineralnych, a także niektórych dodatków paszowych. Prawidłowe zaopatrzenie organizmu w składniki mineralne jest jednym z podstawowych czynników decydujących o efektywności produkcji zwierzęcej. Ważnym problemem jest dostępność składników mineralnych. Decyduje ona o wynikach produkcyjnych, zdrowotności zwierząt, ma również wpływ na jakość mięsa. W ostatnich latach w wielu badaniach wykazano wysoką biodostępność tzw. organicznych połączeń składników mineralnych. Zawartość magnezu w typowych dawkach pokarmowych jest wystarczająca do pokrycia potrzeb świń. Mając na uwadze powyższe informacje, magnez nie jest zwykle dodawany do mieszanek paszowych dla świń. W piśmiennictwie naukowym znajduje się jednak wiele informacji o korzystnym wpływie dodatku związków magnezu na niektóre aspekty produkcyjne trzody chlewnej. Stosowanie dodatku magnezu w mieszankach dla świń może korzystnie oddziaływać na zachowanie świń, wrażliwość na stres i jakość mięsa, poprzez poprawę barwy, zmniejszenie wycieku soku mięsnego, podwyższenie kwasowości.
Źródło:
Journal of Elementology; 2011, 16, 2
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gas Sensors Based on ZnO Structures
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399403.pdf
Data publikacji:
2013-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Hz
42.25.-p
42.82.Et
68.35.Ct
Opis:
The paper presents the results of investigations concerning sensor structures based on porous layers of zinc oxide (ZnO) sensitive to a selected gaseous environment. The investigations comprised analyses of the influence of the gaseous environment on the optical properties of a sensor structure, in particularly on the change of the spectral characteristics of optical transmission within the range of ultraviolet light and in the visible range. These presented investigations were carried out in such a gaseous environment as nitrogen dioxide $NO_2$ in synthetic air.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 3; 567-569
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M. A.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200967.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ZnO
semiconductor
gas sensors
Zno
czujniki gazu
półprzewodnik
Opis:
The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 4; 829-836
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zinc Oxide Semiconductor for Photonics Structures Applications
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Pustelny, B.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Borysiewicz, M.
Ekielski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506857.pdf
Data publikacji:
2010-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Hz
42.70.-a
42.82.-m
68.35.Ct
Opis:
The paper presents investigations concerning the analysis of photonic structures with grating couplers. In the paper basic theoretically information on photonic structures with grating couplers is presented. The results of numerical investigations on photonic structures with grating couplers are discussed, too. Investigations show an essential influence of the geometrical parameters of grating couplers on the effectiveness of the input and output of optic power into and out of this photonic structure. In the paper the selected results of experimental realizations of photonic structures with grating couplers based on zinc oxide ZnO are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1242-1245
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T. T.
Piskorski, M.
Guziewicz, M.
Papis, E.
Gołaszewska-Malec, K.
Kasjuniuk, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
81.05.Ea
81.40.-z
Opis:
A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO - Wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M. A.
Kamińska, E.
Wojciechowski, T.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220412.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Wide band gap oxide semiconductors
ZnO
integrated optics structures
planar waveguides
Opis:
The paper presents the results of investigations concerning the application of zinc oxide - a wideband gap semiconductor in optical planar waveguide structures. ZnO is a promising semiconducting material thanks to its attractive optical properties. The investigations were focused on the determination of the technology of depositions and the annealing of ZnO layers concerning their optical properties. Special attention was paid to the determination of characteristics of the refractive index of ZnO layers and their coefficients of spectral transmission within the UV-VIS-NIR range. Besides that, also the mode characteristics and the attenuation coefficients of light in the obtained waveguide structures have been investigated. In the case of planar waveguides, in which the ZnO layers have not been annealed after their deposition, the values of the attenuation coefficient of light modes amount to a ≈ 30 dB/cm. The ZnO layers deposited on the heated substrate and annealed by rapid thermal annealing in an N2 and O2 atmosphere, are characterized by much lower values of the attenuation coefficients: a ≈ 3 dB/cm (TE0 and TM0 modes). The ZnO optical waveguides obtained according to our technology are characterized by the lowest values of the attenuation coefficients a encountered in world literature concerning the problem of optical waveguides based on ZnO. Studies have shown that ZnO layers elaborated by us can be used in integrated optic systems, waveguides, optical modulators and light sources.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 401-412
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
Autorzy:
Taube, A.
Guziewicz, M.
Kosiel, K.
Gołaszewska-Malec, K.
Król, K.
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
aluminum oxide
MOS
silicon carbide
4H-SiC
high-K dielectrics
tlenek glinu
węglik krzemu
dielektryki high-k
Opis:
The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors
Autorzy:
Golaszewska, K.
Kamińska, E.
Pustelny, T.
Struk, P.
Piotrowski, T.
Piotrowska, A.
Ekielski, M.
Kruszka, R.
Wzorek, M.
Borysiewicz, M.
Pasternak, I.
Gut, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811559.pdf
Data publikacji:
2008-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.82.Et
07.07.Df
42.79.Pw
81.15.-z
Opis:
In the paper, the results of technological investigations on planar optical waveguides based on high band gap oxide semiconductors were presented. Investigations concerned the technologies of depositing very thin layers of: zinc oxide ZnO, titanium dioxide $TiO_2$ and tin dioxide $SnO_2$ on substrates of quartz glass plates. There were investigated both morphological structures of the produced layers and their optical properties. The paper also presents investigations on the technology of input-output light systems in the Bragg grating structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-223-A-230
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Optical Waveguides Based on Thin ZnO Layers
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gut, K.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Ekielski, M.
Pasternak, I.
Łusakowska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807757.pdf
Data publikacji:
2009-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Hz
42.25.-p
42.70.-a
42.82.-m
42.82.Et
68.35.Ct
Opis:
The paper quotes the results of investigations concerning planar optical waveguides with a high value of the refractive index, achieved basing on a broad-band gap semiconductor ZnO, deposited on glass or quartz substrates. The investigations were focused on the properties of the waveguides, determining the modal characteristics, the attenuation coefficient and the structure of the surface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 414-418
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interfacial Microstructure of Ni/Si-Based Ohmic Contacts To GaN
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Jasiński, J.
Kozubowski, J.
Barcz, A.
Gołaszewska, K.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991549.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Cg
73.40.Ns
Opis:
The microstructure of Ni/Si-based contacts to GaN has been studied using transmission electron microscopy methods. The transition from non-ohmic to ohmic behavior appears to correlate with the initial limited reaction of GaN with Ni and further Si-Ni reaction-driven decomposition of the interfacial GaN-Ni phase.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 383-386
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
Autorzy:
Guziewicz, M.
Slysz, W.
Borysiewicz, M.
Kruszka, R.
Sidor, Z.
Juchniewicz, M.
Golaszewska, K.
Domagala, J.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Wegrzecki, M.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ohmic contacts for room-temperature AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (QCL)
Autorzy:
Baranska, A
Szerling, A
Karbownik, P
Hejduk, K
Bugajski, M
Laszcz, A
Golaszewska-Malec, K
Filipowski, W
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/949413.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
ohmic contacts
n-GaAs
CTLM
EDXS
TEM
Opis:
This paper reports on the results of optimization of the ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during the optimization procedure concerned time and temperature of thermal processing as also the ratio of metallic layers thickness. The main goal of this work was to obtain stable ohmic contacts with low resistance and a smooth surface. Circular transmission line method (CTLM) was applied for the electrical characterization of the Ni/AuGe/Ni/Au and AuGe/Ni/Au metallization systems. Transmission electron microscopy (TEM) method was used for the characterization of microstructures. Elements concentration in layers was determined by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The best results for the specific contacts resistivity, thermal stability and morphology were obtained when the Ni/AuGe/Ni/Au and the AuGe/Ni/Au systems were processed at 440 °C and 400 °C, respectively.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 5-15
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies