Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bednarek, S." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 46
Tytuł:
New Donor State of S Symmetry
Autorzy:
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929769.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
The influence of the short-range potential and the electron-phonon coupling on the donor spectrum is discussed. It is shown that the attractive short-range potential leads to a formation of a single additional state of s symmetry and with energy lying below a weakly perturbed hydrogen-like spectrum, which includes the 1s level. The new state can be called the 0s state. With decreasing short-range attraction, the energy of this state increases crossing over the hydrogen-like levels and, for weak short-range potential, the 0s state disappears. If the electron-phonon coupling is sufficiently strong, the donor hydrogen-like spectrum is perturbed only in a very narrow region of the leve1 crossing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 820-822
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Absorption on Shallow Donors in CdF$\text{}_{2}$
Autorzy:
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887164.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
A theoretical description of shallow donor absorption spectra in CdF$\text{}_{2}$ in the infrared region is given. The properties of the stable (Y) and bistable (In) donors are analyzed and quantatively described. It is shown that the bistability of donors and the shape of the infrared absorption band have the same origin, which is the combined effect of electron-LO-phonon coupling, conduction band non-parabolicity and short-range central-cell potential.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 393-396
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conduction Band Influence on the Properties of Bistable Donors
Autorzy:
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890880.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
A theoretical description of bistable donors in polar semiconductors is proposed. The donor states are described within the one-band approximation, which takes into account a finite width and nonparabolicity of the conduction band. The interaction between the defect and the crystal lattice is assumed in the Fröhlich form. For the bistable indium impurity in cadmium fluoride, a coexistence of strongly and weakly localized donor states has been obtained. The calculated energies for both the states and absorption band shape in the 3-eV range are in agreement with experiment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 357-360
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anion-Cation Site Dependence of Pressure Coefficients for Donors in GaAs
Autorzy:
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933711.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
The theoretical model, based on the many-band approach, is proposed for the strongly localized donor states in GaAs. The pressure coefficients for the states of A$\text{}_{1}$ and Τ-2 symmetry have been calculated for the donors at the anion and cation sites. The obtained results show that these pressure coefficients are different from the conduction-band pressure coefficients and are dependent on the lattice site occupied by the impurity as well as on the symmetry of the donor states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 671-674
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metastable One- and Two-Electron donor States in GaAs and CdF$\text{}_{2}$
Autorzy:
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1947315.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
The strongly localized one-electron (D$\text{}^{0}$) and two-electron (D¯) donor states are considered with the lattice deformation around the donor center taken into account. For GaAs, the donor energy levels have been calculated as functions of the hydrostatic pressure. The calculated energy positions and pressure coefficients agree with the experimental data. It is shown that the interaction with phonons reduces the probability of radiative transitions between the states of different localization and leads to the metastability of shallow-level donor states with respect to the D¯ state in GaAs and both the states (D$\text{}^{0}$ and D¯) in CdF$\text{}_{2}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 719-722
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Single Electron Spin Operations Employed for Logical Gates of Quantum Computer
Autorzy:
Bednarek, S.
Dudek, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807642.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.63.Nm
03.67.Lx
05.45.Yv
Opis:
Electron localized in a quantum dot in the vicinity of conductor surface, causes an induced potential to appear. This potential enables self-focusing of electron wave function. Because of this feature, in a planar nanostructure consisting of a quantum well covered with a layer of an insulator, on top of which metal electrodes are deposited, formation of induced dots and quantum wires is possible. By applying appropriate voltages to the electrodes, it is feasible to transport an electron in a fully controllable way in a form of a stable wave packet between two specific locations in a nanodevice. While transporting an electron along properly shaped closed loops, spin-orbit coupling intrinsically present in a semiconductor nanostructure can be employed to perform operations on an electron spin.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-7-S-12
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Theoretical Description of Shell Filling in Cylindrical Quantum Dots
Autorzy:
Szafran, B.
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992210.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
Opis:
A theoretical quantitative description is given for non-periodic oscillations observed in a current vs. gate voltage characteristics of cylindrical quantum dots. Energy eigenvalues and chemical potentials for a system of N confined electrons (N=1,...,13) are calculated by the unrestricted Hartree-Fock method with a confinement potential proportional to the gate voltage. The positions of the observed peaks of the current are reproduced with a very good accuracy. The non-periodicity of the characteristic is explained as a result of the shell filling, which is a signature of the quantum Coulomb blockade.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 555-559
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A numerical solution of the Poisson-Schrodinger problem for a vertical gated quantum dot
Autorzy:
Lis, K.
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964204.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Politechnika Gdańska
Tematy:
semiconductor quantum dot
quantum dots
Poisson-Schrodinger problem
Opis:
We present a numerical solution of the Poisson-Schrodinger problem for a semiconductor nanostructure containing a single quantum dot. The main outcome of our work is the lateral confinement potential, which determines the electronic properties of the nanodevice. We study the real nanodevice with cylindrical symmetry, which allows us to solve the three-dimensional problem on a two-dimensional mesh. We discuss the self-consistency of the solution with respect to the distribution of ionized donors inside the nanodevice.
Źródło:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2004, 8, 4; 603-611
1428-6394
Pojawia się w:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport and Capacitance Spectroscopy of Quantum Dots
Autorzy:
Adamowski, J.
Bednarek, S.
Szafran, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027454.pdf
Data publikacji:
2001-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.-f
73.63.-b
Opis:
A review of recent theoretical studies on a single-electron tunneling in quantum dots is presented. This effect underlies the transport spectroscopy performed on the vertical gated quantum dots and the capacitance spectroscopy on the self-assembled quantum dots. The conditions of the single-electron tunneling are formulated in terms of electrochemical potentials of the electrons in the leads and in the quantum dot. The electrochemical potentials for the electrons confined in the quantum dots can be calculated by solving the many-electron Schrödinger equation. The results obtained by the Hartree-Fock method are presented. For the vertical gated quantum dot, the realistic confinement potential is obtained from the Poisson equation. The application of the self-consistent procedure to the solution of the Poisson-Schrödinger problem is discussed. The calculated positions of the current peaks at zero bias and boundaries of the Coulomb diamonds for non-zero bias are in good agreement with experiment. The influence of an external magnetic field on the single-electron tunneling is also discussed. The spin-orbital configurations of the electrons confined in the quantum dots change with the magnetic field, which leads to features observed in the current-voltage and capacitance-voltage characteristics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 2; 145-163
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Computer simulation of the working cycle of a quantum controlled-NOT gate with two coupled quantum dots
Autorzy:
Moskal, S.
Bednarek, S.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964205.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Politechnika Gdańska
Tematy:
semiconductor quantum dot
quantum date operation
controlled-NOT (CNOT) gate
Opis:
We discuss a possible realization of a quantum controlled-NOT gate with the use of two coupled quantum dots. Transitions between quantum states of a computational basis are driven by the microwave π-pulse. The parameters of the proposed nanodevice have been optimized in order to make the operation cycle of the gate as short as possible. Numerical solutions of the time-dependent Schrodinger equation allow us to simulate transitions between the quantum states which correspond to the subsequent stages of the gate's operation. The performed time-dependent simulations are a test of realizability of the quantum controlled-NOT gate in the nanodevice.
Źródło:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2004, 8, 4; 591-602
1428-6394
Pojawia się w:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling of near-net forging of thin-walled parts of strain rate sensitive alloy
Modelowanie kucia dokładnego detali cienkościennych ze stopu czułego na prędkość odkształcenia
Autorzy:
Bednarek, S.
Sińczak, J.
Skubisz, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/263909.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
kucie izotermiczne
nadplastyczność
prędkość odkształcenia
modelowanie numeryczne
isothermal forging
superplasticity
strain rate
numerical modelling
Opis:
Numerical modelling of a single-operation forging process of a radial bladed impeller forging as one piece is presented. The analysis have been performed using high-melting-alloy model material. A several alternative technologies differing in temperature and forming speed. Evaluation of the correctness of a forging process were based on distribution of effective strain, effective strain rate, mean stress as well as fllling of the cavities of a die-impression in thin-walled ribs type areas.
W pracy przedstawiono wyniki numerycznego modelowania jednozabiegowego kucia wirnika wraz z łopatkami promieniowymi. Badania wykonano na materiale modelowym trudnotopliwym. Warunki brzegowe opracowano dla kilku alternatywnych technologii, dla różnych temperatur i prędkości narzędzi. Proces kucia oceniono na podstawie map rozkładu intensywności odkształcenia, intensywności prędkości odkształcenia, naprężeń średnich oraz wypełnienie wykroju matrycy w obszarach typu żeber cienkościennych.
Źródło:
Metallurgy and Foundry Engineering; 2005, 31, 1; 87-93
1230-2325
2300-8377
Pojawia się w:
Metallurgy and Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Closed die forging of turbine disc to fix blades fromInconel®718
Kucie matrycowe tarczy turbiny do mocowania łopatek ze stopu Inconel®718
Autorzy:
Chyła, P.
Łukaszek-Sołek, A.
Bednarek, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/263941.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
tarcza turbiny
kucie matrycowe
Inconel 718
modelowanie numeryczne
turbine disc
closed die forging
InconelŽ718
numerical modelling
Opis:
In the paper numerical analysis of closed-die forging process of turbine disc to fix blades was presented. Forging technologies which take into account conventional and isothermal boundary conditions were analysed. Forging processes were lead as one stage or as two stages - with initial upsetting. In the analysis additional influence of lubrication conditions on the process parameters was taken into account.
W artykule przedstawiono analizę numeryczną alternatywnych sposobów kucia tarczy turbiny do mocowania łopatek. Przeanalizowano technologie kucia z uwzględnieniem warunków konwencjonalnych i izotermicznych. Proces prowadzono jako jednozabiegowy lub dwuzabiegowy - ze wstępnym spęczeniem. W analizie uwzględniono dodatkowo wpływ warunków smarowania na parametry procesu.
Źródło:
Metallurgy and Foundry Engineering; 2011, 37, 2; 151-158
1230-2325
2300-8377
Pojawia się w:
Metallurgy and Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Channel cross-section influence on effective strain distribution in ECAP process
Wpływ przekroju kanału kątowego na rozkład intensywności odkształcenia w procesie ECAP
Autorzy:
Chyła, P.
Bednarek, S.
Łukaszek-Sołek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/263794.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
effective strain
homogeneity of strain
equal-channel angular pressing
intensywność odkształcenia
jednorodność odkształcenia
przeciskanie przez kanał kątowy
Opis:
This study compares the numerically determined strain distributions after the application of the method of equal-channel angular pressing. The calculations were performed for four variants of the channel cross-sectional shapes – square, circular, and two rectangular ones with the same transverse surface area. The calculation results have been demonstrated as maps of effective strain distribution in the stabilized process.
W pracy porównano wyznaczone numerycznie rozkłady odkształceń po zastosowaniu procesu przeciskania przez kanał kątowy. Obliczenia wykonano dla czterech wariantów przekroju kanału – kwadratowego, kołowego i dwóch prostokątnych, o takim samym polu powierzchni poprzecznej. Wyniki obliczeń przedstawiono w postaci map rozkładu intensywności odkształcenia w procesie ustalonym.
Źródło:
Metallurgy and Foundry Engineering; 2017, 43, 1; 31-40
1230-2325
2300-8377
Pojawia się w:
Metallurgy and Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Pairs and Excitons in Quasi-One-Dimensional Nanostructures
Autorzy:
Bednarek, S.
Szafran, B.
Chwiej, T.
Adamowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036023.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.-b
Opis:
A theoretical study of two-particle systems in quasi-one-dimensional quantum wires and quantum dots is presented. We have derived the analytical formula for the effective interaction potential between the charge carriers confined laterally by a strong parabolic potential and applied this formula to electron pairs in single and double quantum dots and to excitons in quantum wires. In the single quantum dot of the sufficiently large size, we have found the Wigner-type localization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 567-572
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanodevice for High Precision Readout of Electron Spin
Autorzy:
Szumniak, P.
Bednarek, S.
Szafran, B.
Grynkiewicz, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048078.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.63.Nm
03.67.Lx
05.45.Yv
Opis:
In this paper we propose and simulate operation of a nanodevice, which enables the electron spin accumulation and very precise read-out of its final value. We exploit the dependence of the electron trajectory on its spin state due to the spin-orbit coupling in order to distinguish between different spin orientations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 651-653
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 46

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies