The theoretical model, based on the many-band approach, is proposed for the strongly localized donor states in GaAs. The pressure coefficients for the states of A$\text{}_{1}$ and Τ-2 symmetry have been calculated for the donors at the anion and cation sites. The obtained results show that these pressure coefficients are different from the conduction-band pressure coefficients and are dependent on the lattice site occupied by the impurity as well as on the symmetry of the donor states.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00