Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Przybylińska, H." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Impurity Self-Screening
    Autorzy:
    Wilamowski, Z.
    Przybylińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929774.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.45.-d
    72.10.Fk
    Opis:
    In a mixed valence impurity system the distribution of impurity charges can be adjusted to minimize the Coulomb energy of inter-impurity interactions. In this paper we discuss the possibility of extending the methods of analytical evaluation of the pair correlation function for classical liquids to apply to a system with a built-in disorder, where the occupation probability is governed by the Fermi-Dirac statistics.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 832-834
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Erbium in Silicon: Possible Light Source for 1.5 μm and Challenge for Defect Physics
    Autorzy:
    Jantsch, W.
    Przybylińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1946605.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    Opis:
    The trivalent erbium ion emits at 1.54 μm, independent of the host crystal and temperature. This fact makes Si:Er an interesting candidate for integrated optics in the optimum wavelength regime for fiber optic communication systems. Recent progress in improving the luminescence yield is reviewed and the limiting factors are discussed, namely: the low solubility of different Er centers, thermal quenching of the luminescence above 100 K, the mechanisms for energy transfer from the host crystal to the Er 4f shell and the process induced parasitic recombination channels.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 623-633
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Erbium Luminescence in Silicon
    Autorzy:
    Przybylińska, H.
    Jantsch, W.
    Palmetshofer, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945472.pdf
    Data publikacji:
    1996-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    Opis:
    We report on high resolution photoluminescence investigations of Er-implanted Si and demonstrate the variety of Er centers or complexes with impurities and native Si-defects formed depending on the processing parameters. These centers are shown to differ in the efficiency of excitation transfer as well as high temperature photoluminescence yield. The mechanisms responsible for the photoluminescence quenching at different temperature regimes are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 1; 83-92
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of Nonuniform Line Broadening
    Autorzy:
    Wilamowski, Ż.
    Przybylińska, H.
    Jantsch, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931943.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    76.20.+q
    76.30.-v
    Opis:
    When the spin relaxation time of paramagnetic impurities at different magnetic sites differs by orders of magnitude then instead of resonance line broadening, rather a decay of the line amplitude is expected. In particular, the sp-d coupling of magnetic impurities to shallow impurities leads to a nonuniform distribution of the longitudinal relaxation rates of local spins.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 181-184
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Recombination Processes for Deep Impurity States Degenerate with the Conduction Band
    Autorzy:
    Świątek, K.
    Godlewski, M.
    Kaliński, Z.
    Przybylińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879955.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.50.-w
    76.30.Kg
    78.55.Hx
    Opis:
    We report on the studies of autoionization efficiency and the relevant recombination mechanism for Eu$\text{}^{2+}$ in Ca$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$F$\text{}_{2}$ depending on the energy level position of Eu$\text{}^{2+}$ excited states in respect to the conduction band states.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 243-246
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnesium Acceptor Energy Levels in Cubic GaN
    Autorzy:
    Przybylińska, H.
    Buczko, R.
    Kocher, G.
    Jantsch, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036869.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.-j
    71.55.-i
    71.55.Eq
    Opis:
    Intra-impurity transitions of the Mg acceptor in cubic phase GaN were measured with the use of photothermal ionization spectroscopy. Apart from the photoionization band several sharp features were detected, related to internal Mg-acceptor transitions. The transitions were identified with the help of effective-mass model calculations involving light- and heavy-hole as well as spin--orbit split-off bands. Transitions to resonant states, associated with the spin-orbit split-off valence band, were also identified. The determined hole binding energy of the Mg acceptor in zinc-blende GaN is 236±1 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 683-688
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Coimplantation on Activation of Er Emission in Si
    Autorzy:
    Przybylińska, H.
    Hendorfer, G.
    Jantsch, W.
    Palmetshofer, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872856.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    61.72.Tt
    Opis:
    The results of high resolution photoluminescence studies of erbium implanted silicon are presented. We show that the apparent enhancement of Er emission by coimplantation with light elements is not due to formation of Er-dopant complexes, but rather to Er forming complexes with defects induced by the implantation process alone.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 365-368
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anisotropy of Magnetic Interactions in HgFeSe
    Autorzy:
    Wilamowski, Z.
    Przybylińska, H.
    Joss, W.
    Guillot, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921599.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    75.20.Hr
    Opis:
    Magnetic properties (susceptibility, high-field torque and magnetization) of cubic HgFeSe are analyzed. Van Vleck magnetism of Fe$\text{}^{2+}$ is well evidenced. The energy splitting of the Fe levels in HgSe is shown to differ considerably from that in other II-VI compounds.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 689-692
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence of Er$\text{}^{3+}$ near 1.54μm in Silicon-Rich Silicon Oxide Films
    Autorzy:
    Kuritsyn, D.
    Glukchanyuk, V.
    Przybylińska, H.
    Kozanecki, A.
    Jantsch, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028779.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ww
    78.55.Hx
    Opis:
    Excitation of the intra-4f-shell luminescence near 1.5μm in silicon-rich silicon oxide is studied. Silicon-rich silicon oxide was produced by high dose implantation of Si$\text{}^{+}$ ions into SiO$\text{}_{2}$ layers grown on silicon. Erbium doping was also performed using implantation of Er^+ ions at an energy of 800 keV. An evidence is presented that transfer of energy from defects related to excess silicon in silica is the dominant mechanism of excitation of Er$\text{}^{3+}$ for optical pumping in the UV-blue wavelength range. Si-nanocrystals created by annealing at 1100ºC rather compete for excitation with erbium than transfer energy to Er$\text{}^{3+}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 437-442
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Active Centers in Er-Implanted Silicon
    Autorzy:
    Przybylińska, H.
    Jantsch, W.
    Hendorfer, G.
    Palmetshofer, L.
    Wilson, R. J.
    Sealy, B. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933961.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    Opis:
    We show that of all the optically active Er centers in silicon found after ion implantation and optimum annealing (900°C) the isolated cubic interstitial Er is the dominant PL center above 100 K. At lower anneal temperatures ( ≈ 600°C) with later rapid thermal anneal at 900°C oxygen related centers also emit.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 877-880
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic and structural studies of GeMnSnTe epitaxial layers
    Autorzy:
    Grochot, A.
    Knoff, W.
    Taliashvili, B.
    Wołkanowicz, W.
    Minikayev, R.
    Pieniążek, A.
    Łusakowska, E.
    Sawicki, M.
    Jantsch, W.
    Story, T.
    Przybylińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1055147.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.30.Gw
    75.50.Pp
    76.50.+g
    Opis:
    MBE grown Ge_{1-x-y}Mn_xSn_yTe layers with Mn content ranging from 10 to 30% and Sn content ranging from 2 to 5% have been characterized with X-ray diffraction, energy-dispersive X-Ray spectroscopy, atomic force microscopy, SQUID magnetometry, and ferromagnetic resonance. All layers (except the one with the highest Mn and Sn content) were found to be single phase rhombohedral, with the distortion axis perpendicular to the layer surface, and ferromagnetic. Ferromagnetic resonance studies have shown that co-doping with a few percent of tin makes the lattice more rigid and changes considerably the magnetocrystalline anisotropy, from purely uniaxial in GeMnTe to distorted cubic in Ge_{1-x-y}Mn_xSn_yTe at the same Mn content.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 340-342
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies