Erbium Luminescence in Silicon

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Erbium Luminescence in Silicon
Autorzy:: Przybylińska, H.
Jantsch, W.
Palmetshofer, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1945472.pdf
Data publikacji:: 1996-07
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Hx
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 1; 83-92
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We report on high resolution photoluminescence investigations of Er-implanted Si and demonstrate the variety of Er centers or complexes with impurities and native Si-defects formed depending on the processing parameters. These centers are shown to differ in the efficiency of excitation transfer as well as high temperature photoluminescence yield. The mechanisms responsible for the photoluminescence quenching at different temperature regimes are discussed.

Informacja

Powiązane pozycje