Autor: Hampel, R. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Quelques applications des équations intégrales dans la théorie délectricité
O pewnych zastosowaniach równań całkowych w teorii elektryczności
Autorzy:: Hampel, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1970112.pdf
Data publikacji:: 1952
Wydawca:: Towarzystwo Naukowe Warszawskie
Źródło:: Prace Matematyczno-Fizyczne; 1952, 48, 1; 79-100
0867-5570
Pojawia się w:: Prace Matematyczno-Fizyczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Quelques remarques se rapportant aux noyaux itérés dans lespace à p-dimensions
Uwagi dotyczące jąder iterowanych w przestrzeni p-wymiarowej
Autorzy:: Hampel, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1970152.pdf
Data publikacji:: 1952
Wydawca:: Towarzystwo Naukowe Warszawskie
Źródło:: Prace Matematyczno-Fizyczne; 1952, 48, 1; 111-128
0867-5570
Pojawia się w:: Prace Matematyczno-Fizyczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Artykuł

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Photoelectron Spectroscopy of II-VI Semiconductor Heterostructures
Autorzy:: Wörz, M.
Hampel, M.
Flierl, R.
Gebhardt, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952740.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 79.60.Jv
Opis:: We are growing ZnSe, ZnS and CdSe layers epitaxially on GaAs(001) substrates by atomic layer epitaxy and molecular beam epitaxy. The substrates are prepared by a H-plasma method in order to obtain a sharp interface between substrate and layer. The quality of our samples is controlled by reflection high energy diffraction and X-ray diffraction. Furthermore, the samples are characterized in situ by photoelectron spectroscopy. We observe resonant Zn 3d$\text{}^{8}$ and Cd 4d$\text{}^{8}$ satellites, which are used to check the layer quality. As a result, the valence band offsets of CdSe/ZnSe and ZnSe/CdSe were obtained. The values are ΔE$\text{}_{v}$(ZnSe/CdSe) = -(0.13 ± 0.07) eV and ΔE$\text{}_{v}$(CdSe/ZnSe) = -(0.13 ± 0.07) eV, which confirm the commutativity rule.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1113-1117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja