Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dyczewski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Opracowanie technologii otrzymywania toluenodiizocyjanianu w procesie fosgenowania toluenodiaminy w fazie gazowej
    Development of technology for preparation of toluene diisocyanate in the process of gas-phase phosgenation of toluenediamine
    Autorzy:
    Szarlik, S.
    Bałdyga, J.
    Molga, E.
    Jasińska, M.
    Lewandowska, M.
    Dyczewski, M.
    Lewandowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/945853.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
    Tematy:
    toluenodiamina
    toluenodiizocyjanian
    fosgen
    fosgenowanie TDA w fazie gazowej
    toluenediamine
    toluene diisocyanate
    phosgene
    gas-phase TDA phosgenation
    Opis:
    Przedstawiono działania prowadzone wspólnie przez Instytut Chemii Przemysłowej (IChP), Wydział Inżynierii Chemicznej i Procesowej Politechniki Warszawskiej oraz Zakłady Chemiczne ZACHEM S.A. w Bydgoszczy mające na celu opracowanie nowej technologii produkcji toluenodiizocyjanianu (TDI) metodą fosgenowania toluenodiaminy (TDA) w fazie gazowej. Na podstawie studiów literaturowych (głównie patentów), wykonanych badań laboratoryjnych (odparowanie TDA do strumienia azotu) oraz obliczeń projektowych opracowano założenia do projektu badawczej instalacji pilotowej. Badania przeprowadzone na instalacji pilotowej zakończyły się powodzeniem i opracowaniem projektu procesowego instalacji przemysłowej o zdolności 30 000 t TDI/rok.
    The activities undertaken in cooperation by Industrial Chemistry Research Institute (ICRI) and Faculty of Chemical and Process Engineering of the Warsaw University of Technology and Chemical Plant ZACHEM S.A. in Bydgoszcz in order to develop a new technology for production of toluene diisocyanate (TDI) were presented. On the basis of literature studies (mainly patents), performed laboratory tests of toluenediamine (TDA) evaporation under a stream of nitrogen and design calculations the guidelines for the project of research pilot plant were proposed. Pilot plant tests were successful and resulted in the development of process design of an industrial plant with a capacity of 30 000 tons TDI/year.
    Źródło:
    Polimery; 2016, 61, 10; 719-727
    0032-2725
    Pojawia się w:
    Polimery
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors
    Autorzy:
    Kaczmarski, J.
    Taube, A.
    Dynowska, E.
    Dyczewski, J.
    Ekielski, M.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399114.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Gc
    81.15.Cd
    85.30.Tv
    72.80.Ng
    73.61.Jc
    Opis:
    In-Ga-Zn-O thin films were fabricated by means of reactive RF magnetron sputtering. Mechanism of free electrons generation via oxygen vacancies formation is proposed to determine the relationship between oxygen content in the deposition atmosphere and the transport properties of IGZO thin films. The depletion-mode a-IGZO thin film transistor with field-effect mobility of $12 cm^2/(Vs)$ has been demonstrated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 855-857
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Pągowska, K.
    Kozubal, M.
    Guziewicz, E.
    Borysiewicz, M.
    Dyczewski, J.
    Jakieła, R.
    Ratajczak, J.
    Snigurenko, D.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.35.Dv
    Opis:
    In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies