Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dambrine, G." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:
Goffioul, M.
Dambrine, G.
Vanhoenacker, D.
Raskin, J.P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309323.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
microwave devices
SOI MOSFET
Opis:
The high frequency performances including microwave noise parameters for sub-quarter micron fully- (FD and partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) n-MOSFETs are described and compared. Direct extraction techniques based on the physical meaning of each small-signal and noise model element are used to extract the microwave characteristics of various FD and PD SOI n-MOSFETs with different channel lenghts and widths. TiSi2 silicidation process has been demonstrated very efficient to reduce the sheet and contact resistances of gate, source and drain transistor regions. 0.25 žm FD SOI n-MOSFETs with a total gate width of 100 žm present a state-of-the-art minimum noise figure of 0.8 dB and high associated gain of 13 dB at 6 GHz for V(ds) = 0.75 V and P(dc) < 3 mW. A maximum extrapolated oscillation frequency of about 70 GHz has been obtained at V(ds) = 1 V and J(ds) = 100 mA/mm. This new generation of MOSFETs presents very good analogical and digital high speed performances with a low power consumption which make them extremely attractive for high frequency portable applications such as the wireless communications.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 72-80
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of a boundary perforation on the Dirichlet energy
Autorzy:
Dambrine, M.
Vial, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/970142.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
Tematy:
pochodna kształtu
pochodna topologiczna
singular shape perturbation
shape derivatives
topological derivatives
multi-scale asymptotic expansion
Opis:
We consider some singular perturbations of the boundary of a smooth domain. Such domain variations are not differentiable within the classical theory of shape calculus. We mimic the topological asymptotic and we derive an asymptotic expansion of the shape function in terms of a size parameter. The two-dimensional case of the Dirichlet energy is treated in detail. We give a full theoretical proof as well as a numerical confirmation of the results.
Źródło:
Control and Cybernetics; 2005, 34, 1; 117-136
0324-8569
Pojawia się w:
Control and Cybernetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies