Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Płaczek, E." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    On the Frequency Domain Relaxation Processes in Gallium Doped CdTe and $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te$
    Autorzy:
    Trzmiel, J.
    Płaczek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791364.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Gs
    61.72.jj
    77.22.-d
    Opis:
    The dielectric response of gallium doped $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te$ and CdTe alloys possessing DX centers was studied by impedance spectroscopy. Complex modulus and impedance spectroscopic plots were analyzed. Near ideal Debye response of CdTe:Ga was observed, whereas for $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te:Ga$ samples non-Debye behavior was stated. Different relaxation responses may be related to various local atomic configurations in the vicinity of the DX centers in the studied materials.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 956-958
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791359.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    85.30.De
    84.37.+q
    Opis:
    Deep electron states in gallium doped CdTe have been studied by deep-level transient spectroscopy method. The Schottky Au-CdTe diodes were processed to perform the investigations. Rectifying properties of diodes have been examined by the room temperature current-voltage and capacitance-voltage measurements. Deep-level transient spectroscopy measurements performed in the range of temperatures 77-350 K yield the presence of three electron traps. The thermal activation energies and apparent capture cross-sections have been determined from related Arrhenius plots. The dominant trap of activation energy $E_2$ = 0.33 eV and capture cross-section σ_2 = 3 × $10^{-15} cm^2$ has been assigned to the gallium related DX center present in the CdTe material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 944-946
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole Traps in ZnTe with CdTe Quantum Dots
    Autorzy:
    Zielony, E.
    Płaczek-Popko, E.
    Gumienny, Z.
    Trzmiel, J.
    Karczewski, G.
    Guziewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791335.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    73.21.La
    73.20.Hb
    Opis:
    In this study the capacitance-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy measurements have been performed on ZnTe (p-type)-Ti/Al Schottky diodes containing a layer of CdTe self-assembled quantum dots and on the reference diodes without dots for comparison. Both kinds of investigated samples were grown by molecular beam epitaxy technique. The dots were formed during the Stransky-Krastanov growth mode. Comparison of the C-V and deep level transient spectroscopy results obtained for both samples allows us to conclude that the 0.26 eV trap observed exclusively for the QD sample can be assigned to some defects in a wetting layer or CdTe/ZnTe interface.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 885-887
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capacitance-Voltage Studies of Ti/p-ZnTe Schottky Barrier Structures Containing CdTe Quantum Dots
    Autorzy:
    Placzek-Popko, E.
    Szatkowski, J.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Dobaczewski, L.
    Karczewski, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048047.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    73.21.La
    73.20.Hb
    Opis:
    In this paper the electronic states of self-organized CdTe quantum dots embedded in ZnTe matrix are studied by means of capacitance-voltage (C-V) characteristics within the temperature range of 180-300 K. A reference diode of the same layer structure but without quantum dots is studied also for comparison. The C-V characteristics measured for the reference diode exhibit bulk behaviour in contrast to the quantum dots sample for which a characteristic step corresponding to discharging of quantum dots is clearly visible within broad range of temperatures. A quasistatic model based on the self-consistent solution of the Poisson equations is used to simulate the capacitance. By comparison the calculated C-V curve with experimental curve the apparent thermal activation energy for hole emission from the quantum dots to the ZnTe matrix is found to be equal to (0.12 ± 0.03) eV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 621-623
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Placzek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    71.55.Eq
    73.40.Kp
    Opis:
    p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
    Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
    Autorzy:
    Pietruszka, R.
    Łuka, G.
    Witkowski, B. S.
    Kopalko, K.
    Zielony, E.
    Biegański, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    fotowoltaika
    tlenek cynku
    metoda osadzania warstw atomowych
    photovoltaic
    zinc oxide
    Opis:
    Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
    We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels Induced by CdTe/ZnTe Quantum Dots
    Autorzy:
    Zielony, E.
    Placzek-Popko, E.
    Roznicka, A.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Dyba, P.
    Pacuski, W.
    Kruse, C.
    Hommel, D.
    Guziewicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048061.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    73.21.La
    73.20.Hb
    Opis:
    The electrical properties of the CdTe/ZnTe quantum dot system have been analyzed to identify deep-level defects related with the presence of quantum dots. The capacitance-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy measurements were used to investigate the samples. A reference ZnTe sample (without dots) was also studied for comparison. Both samples were grown by molecular beam epitaxy technique on the n-type GaAs substrate. The quantum dots were formed by a Zn-induced reorganization of a thin CdTe layer. The presence of quantum dot formation was confirmed by micro-photoluminescence measurements. The deep level transient spectra for both samples are complex. In order to characterize individual contributions to the deep level transient spectra the latter have been simulated by separated Gaussian components [1]. The results of the deep level transient spectroscopy measurements yield the conclusion that the same defects are present in both materials but there is an increased concentration of the defects in the quantum dot structures. No deep level associated directly with the quantum dot confinement has been identified.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 630-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
    Autorzy:
    Gwóźdź, K.
    Płaczek-Popko, E.
    Gumienny, Z.
    Zielony, E.
    Pietruszka, R.
    Witkowski, B. S.
    Wachnicki, Ł.
    Gierałtowska, S.
    Godlewski, M.
    Chang, L. B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201432.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    solar cells
    ZnO
    Si
    heterojunction
    nanorods
    nanoparticles
    ogniwa słoneczne
    nanopręty
    nanocząstki
    Opis:
    Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 529-533
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies