Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zhou, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-15 z 15
    Tytuł:
    On Müntz rational approximation in multivariables
    Autorzy:
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/967055.pdf
    Data publikacji:
    1995
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
    Opis:
    The present paper shows that for any $s$ sequences of real numbers, each with infinitely many distinct elements, ${λ_{n}^{j}}$, j=1,...,s, the rational combinations of $x_{1}^{λ_{m_1}^1} x_{2}^{λ_{m_2}^2}...x_{s}^{λ_{m_s}^s}$ are always dense in $C_{I^s}$.
    Źródło:
    Colloquium Mathematicum; 1995, 68, 1; 39-47
    0010-1354
    Pojawia się w:
    Colloquium Mathematicum
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On approximation by Lagrange interpolating polynomials for a subset of the space of continuous functions
    Autorzy:
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/965997.pdf
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
    Opis:
    We construct a $C^k$ piecewise differentiable function that is not $C^k$ piecewise analytic and satisfies a Jackson type estimate for approximation by Lagrange interpolating polynomials associated with the extremal points of the Chebyshev polynomials.
    Źródło:
    Colloquium Mathematicum; 1998, 75, 1; 1-5
    0010-1354
    Pojawia się w:
    Colloquium Mathematicum
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Some Remarks on Rational Müntz Approximation on [0,∞)
    Autorzy:
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/966081.pdf
    Data publikacji:
    1998
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
    Opis:
    The following result is proved in the present paper: Let ${λ_{n}}$ be an increasing sequence of distinct real numbers which approaches a finite limit λ as n goes to infinity and for which $$ \limsup_{n\to\infty}(λ-λ_{n})\root{3}οf{n}=\infty. $$ Then the rational combinations of ${x^{λ_{n}}}$ form a dense set in $C_{[0,∞]}$. One could note that the method used in this paper is probably more interesting than the result itself.
    Źródło:
    Colloquium Mathematicum; 1998, 77, 2; 233-243
    0010-1354
    Pojawia się w:
    Colloquium Mathematicum
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The divergence phenomena of interpolation type operators in $L^p$ space
    Autorzy:
    Xie, T.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1396174.pdf
    Data publikacji:
    1992
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
    Tematy:
    real distinct nodes
    $L^p$ space
    divergence phenomenon
    approximation
    interpolation type operator
    Źródło:
    Colloquium Mathematicum; 1992, 63, 2; 323-328
    0010-1354
    Pojawia się w:
    Colloquium Mathematicum
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A 2D system approach to the design of a robust modified repetitive-control system with a dynamic output-feedback controller
    Autorzy:
    Zhou, L.
    She, J.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/330403.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Uniwersytet Zielonogórski. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    repetitive control
    dynamic output feedback
    two dimensional system
    singular value decomposition
    linear matrix inequality
    sterowanie powtarzalne
    sprzężenie zwrotne dynamiczne
    system dwuwymiarowy
    liniowa nierówność macierzowa
    Opis:
    This paper is concerned with the problem of designing a robust modified repetitive-control system with a dynamic output feedback controller for a class of strictly proper plants. Employing the continuous lifting technique, a continuous-discrete two-dimensional (2D) model is built that accurately describes the features of repetitive control. The 2D control input contains the direct sum of the effects of control and learning, which allows us to adjust control and learning preferentially. The singular-value decomposition of the output matrix and Lyapunov stability theory are used to derive an asymptotic stability condition based on a Linear Matrix Inequality (LMI). Two tuning parameters in the LMI manipulate the preferential adjustment of control and learning. A numerical example illustrates the tuning procedure and demonstrates the effectiveness of the method.
    Źródło:
    International Journal of Applied Mathematics and Computer Science; 2014, 24, 2; 325-334
    1641-876X
    2083-8492
    Pojawia się w:
    International Journal of Applied Mathematics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A new assessment method of mechanism reliability based on chance measure under fuzzy and random uncertainties
    Nowa metoda oceny niezawodności mechanizmów oparta na pomiarze szansy wystąpienia zdarzenia w warunkach niepewności rozmytej i losowej
    Autorzy:
    Zhang, L.
    Zhang, J.
    Zhai, H.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/301493.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    chance measure
    reliability assessment
    uncertainty quantification
    mechanism reliability
    miara szansy
    ocena niezawodności
    kwantyfikacja niepewności
    niezawodność mechanizmu
    Opis:
    The traditional reliability analysis methods based on probability theory and fuzzy set theory have been widely used in engineering practice. However, these methods are unable directly measure the uncertainty of mechanism reliability with uncertain variables, i.e., subjective random and fuzzy variables. In order to address this problem, a new quantification method for the mechanism reliability based on chance theory is presented to simultaneously satisfy the duality of randomness and the subadditivity of fuzziness in the reliability problem. Considering the fact that systems usually have multilevel performance and the components have multimode failures, this paper proposes a chance theory based multi-state performance reliability model. In the proposed method, the chance measure is adopted instead of probability and possibility measures to quantify the mechanism reliability for the subjective probability or fuzzy variables. The hybrid variables are utilized to represent the random and fuzzy parameters, based on which solutions are derived to analyze the chance theory based mechanism reliability with chance distributions. Since the input parameters of the model contain fuzziness and randomness simultaneously, an algorithm based on chance measure is designed. The experimental results on the case application demonstrate the validity of the proposed method.
    Tradycyjne metody analizy niezawodności oparte na teorii prawdopodobieństwa i teorii zbiorów rozmytych znajdują szerokie zastosowanie w praktyce inżynierskiej. Jednak metod tych nie można stosować do bezpośredniego pomiaru niepewności niezawodności przy niepewnych zmiennych, tj. subiektywnych zmiennych losowych i rozmytych. Aby zaradzić temu problemowi, przedstawiono nową metodę kwantyfikacji niezawodności opartą na teorii szansy, która jednocześnie spełnia aksjomaty dwoistości losowości oraz subaddytywności związanej z rozmytością w problemach niezawodności. Biorąc pod uwagę fakt, że systemy zazwyczaj charakteryzują się wielopoziomową strukturą, a uszkodzenia elementów składowych mają charakter wieloprzyczynowy, w niniejszym artykule zaproponowano model niezawodności eksploatacji systemu wielostanowego oparty na teorii szansy. W proponowanej metodzie, zamiast miar prawdopodobieństwa i możliwości, do kwantyfikacji niezawodności, w przypadku gdy dane są subiektywne zmienne losowe lub zmienne rozmyte, przyjęto miarę szansy wystąpienia zdarzenia. Do reprezentacji parametrów losowych i rozmytych wykorzystano zmienne hybrydowe, które stanowią podstawę dla wyprowadzenia rozwiązań w celu analizy niezawodności mechanizmu opartej na teorii szansy z rozkładem szans. Ponieważ parametry wejściowe modelu noszą jednocześnie znamiona rozmytości i losowości, opracowano algorytm oparty na mierze szansy. Wyniki eksperymentalne otrzymane na podstawie studium przypadku dowodzą poprawności proponowanej metody.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2018, 20, 2; 219-228
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Quartz enhanced photoacoustic spectroscopy based on an external cavity quantum cascade laser
    Autorzy:
    Xu, L.
    Zhou, S.
    He, T.
    Li, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173669.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    external cavity quantum cascade laser
    ECQCL
    quartz enhanced photoacoustic spectroscopy
    QEPAS
    volatile organic compound
    VOC
    ethanol
    Opis:
    Mid-infrared laser spectroscopy is a powerful analytical tool for trace gases detection. In this study, a spectroscopic system based on an external cavity quantum cascade laser (ECQCL) and quartz enhanced photoacoustic spectroscopy (QEPAS) was developed for volatile organic compounds (VOCs) measurements. Primary laboratory test on ethanol spectroscopy was investigated and compared with traditional direct absorption spectroscopy (DAS). Experimental results show that the proposed QEPAS is more sensitive than the conventional DAS method. In addition, the significant linear dependence of photoacoustic signal on sample pressures and laser operating parameters was observed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2018, 48, 4; 687-695
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Antibacterial Activities of Ag/$Nano-TiO_2$ Modified Silicone Elastomer
    Autorzy:
    Wang, L.
    Sun, T.
    Zhou, S.
    Shao, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1215694.pdf
    Data publikacji:
    2014-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.67.Bf
    Opis:
    We studied the ability of Ag/$nano-TiO_2$ to inhibit Staphylococcus aureus growth on silicone elastomer material. Ag/$nano-TiO_2$ silicone elastomer was prepared with different concentrations of 0%, 2%, 4%, 6%, 8%, 10%. The antibacterial efficacy of Ag/$nano-TiO_2$ silicone elastomer was determined by the inhibition zone method and the impregnated culture method. The antibacterial timeliness of Ag/$nano-TiO_2$ silicone elastomer was tested by direct contact method. The samples were kept through thermal aging process in an accelerated aging chamber. The effect of concentrations of Ag/$nano-TiO_2$ was insignificant (P < 0.05). There was significant difference between the Ag/$nano-TiO_2$ silicone elastomer and the blank silicone elastomer (P < 0.5). There was also significant difference among specimen groups whose aging periods were 50°C, 100°C, 150°C, 200°C for 87 h (P < 0.5). The silicone elastomer with different concentrations of Ag/$nano-TiO_2$ effectively inhibits Staphylococcus aureus growth.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 2; 248-250
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ Alloy on Silicon by Ge-Ion-Implantation and Short-Time-Annealing
    Autorzy:
    Gao, K.
    Prucnal, S.
    Mücklich, A.
    Skorupa, W.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400450.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    78.55.Ap
    68.37.Lp
    Opis:
    In our contribution we present the fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ alloy by ion-implantation and millisecond flash lamp annealing. The 100 keV Ge ions at the fluence of $10 \times 10^{16}, 5 \times 10^{16}$, and $3 \times 10^{16} cm^{-2}$ were implanted into monocrystalline (100)-oriented Si wafers covered by 50 nm thermal oxide. In the consequence, the 50 nm amorphous Ge rich Si layers were obtained. The recrystallization of the implanted layers and the $Si_{1-x}Ge_x$ alloying were accomplished by flash lamp annealing with the pulse duration of 20 ms. Flash lamp treatment at high energy densities leads to local melting of the Ge-rich silicon layer. Then the recrystallization takes place due to the millisecond range liquid phase epitaxy. Formation of the high quality monocrystalline $Si_{1-x}Ge_x$ layer was confirmed by the μ-Raman spectroscopy, the Rutherford backscattering channeling and cross-sectional transmission electron microscopy investigation. The μ-Raman spectra reveal three phonon modes located at around 293, 404, and $432 cm^{-1}$ corresponding to the Ge-Ge, Si-Ge and Si-Si in the $Si_{1-x}Ge_x$ alloy vibrational modes, respectively. Due to much higher carrier mobility in the $Si_{1-x}Ge_x$ layers than in silicon such system can be used for the fabrication of advanced microelectronic devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 858-861
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reconstruction algorithm for obtaining the bending deformation of the base of heavy-duty machine tool using inverse Finite Element Method
    Autorzy:
    Liu, M.
    Zhang, X.
    Song, H.
    Wang, J.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221566.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    inverse Finite Element Method
    bending deformation
    heavy-duty machine tool
    reconstruction algorithm
    statically indeterminate structure
    Opis:
    The field of mechanical manufacturing is becoming more and more demanding on machining accuracy. It is essential to monitor and compensate the deformation of structural parts of a heavy-duty machine tool. The deformation of the base of a heavy-duty machine tool is an important factor that affects machining accuracy. The base is statically indeterminate and complex in load. It is difficult to reconstruct deformation by traditional methods. A reconstruction algorithm for determining bending deformation of the base of a heavy-duty machine tool using inverse Finite Element Method (iFEM) is presented. The base is equivalent to a multi-span beam which is divided into beam elements with support points as nodes. The deflection polynomial order of each element is analysed. According to the boundary conditions, the deformation compatibility conditions and the strain data measured by Fiber Bragg Grating (FBG), the deflection polynomial coefficients of a beam element are determined. Using the coordinate transformation, the deflection equation of the base is obtained. Both numerical verification and experiment were carried out. The deflection obtained by the reconstruction algorithm using iFEM and the actual deflection measured by laser displacement sensors were compared. The accuracy of the reconstruction algorithm is verified.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2018, 25, 4; 727-741
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modification Mechanism and Growth Process of Al3(Sc, Zr) Particles in As-cast Al-Si-Mg-Cu-Zr-Sc Alloy
    Autorzy:
    Li, Y.
    Du, X.
    Fu, J.
    Zhang, Y.
    Zhang, Z.
    Zhou, S.
    Wu, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/382672.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    solidification process
    Al3(Sc, Zr)
    three-dimensional morphology
    eutectic growth
    krzepnięcie stopu
    morfologia trójwymiarowa
    wzrost eutektyczny
    Opis:
    In this study, the modification mechanism and growth process of Al3(Sc, Zr) particles in as-cast Al-Si-Mg-Cu based alloy with addition of Sc and Zr were systematically investigated. It was found that 0.57 wt-%Sc addition caused a significant refinement in the average grain size of the investigated alloy, which brought about a remarkable transformation in as-cast microstructure, from thick dendritic shape to fine equiaxed structure. A large amount of primary Al3(Sc, Zr) particles with the dimension of around 5-6 μm were also observed within the equiaxed grain. Due to the identical orientation and similar crystal structure between primary Al3(Sc, Zr) particles and α-Al matrix, the primary particles always served as heterogeneous nucleus for the α-Al matrix. In addition, these cusped cubic primary Al3(Sc, Zr) particles showed triangle, star, rhomboid morphologies are generated from sectioning the particle in (111), (100) and (110) planes, respectively. Particularly, the typical eutectic structure which contained odd number-layer (Al3(Sc, Zr)+α-Al+ ... +Al3(Sc, Zr)) was observed within the investigated particles.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2018, 18, 2; 51-56
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    III-V Quantum Dots in Dielectrics Made by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
    Autorzy:
    Prucnal, S.
    Turek, M.
    Gao, K.
    Zhou, S.
    Pyszniak, K.
    Droździel, A.
    Żuk, J.
    Skorupa, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400484.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.67.Hc
    81.05.Ea
    81.07.Ta
    81.15.Lm
    Opis:
    Different semiconductor nanocrystals synthesized in dielectrics on silicon are very interesting for applications in non-volatile memories and photovoltaics. In this paper we present an overview of microstructural and opto-electronic properties of different III-V quantum dots embedded in $SiO_2$ and $Si_3N_4$ made by sequential ion implantation and millisecond range flash lamp annealing. It is shown that within 20 ms post-implantation annealing high quality crystalline III-V quantum dots can be formed in different matrices. Formation of crystalline III-V quantum dots was confirmed by cross-section transmission electron microscopy, photoluminescence and μ-Raman spectroscopy. Flash lamp annealing is essentially a single-flash-single-wafer technique whose main attributes are the ease and control of processing over large wafer batches.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 935-938
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charge Carrier Dynamics in $Ga_{1-x}Mn_{x}As$ Studied by Resistance Noise Spectroscopy
    Autorzy:
    Lonsky, M.
    Teschabai-Oglu, J.
    Pierz, K.
    Sievers, S.
    Schumacher, H.
    Yuan, Y.
    Böttger, R.
    Zhou, S.
    Müller, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1397018.pdf
    Data publikacji:
    2018-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    73.50.Td
    73.50.-h
    73.61.-r
    64.60.ah
    61.72.-y
    Opis:
    We report on electronic transport measurements of the magnetic semiconductor Ga_{1-x}Mn_{x}As, whereby the defect landscape in various metallic thin films (x=6%) was tuned by He-ion irradiation. Changes in the distribution of activation energies, which strongly determine the low-frequency 1/f-type resistance noise characteristics, were observed after irradiation and can be explained by deep-level traps residing in the As sublattice. Various other kinds of crystalline defects such as, for instance, Mn interstitials, which possibly form nanoscale magnetic clusters with a fluctuating spin orientation, also contribute to the 1/f noise and can give rise to random telegraph signals, which were observed in films with x=7%. In addition, we neither find evidence for a magnetic polaron percolation nor any features in the noise near the Curie temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 3; 520-522
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Flash Lamp Annealing on the Optical Properties of CIGS Layer
    Autorzy:
    Prucnal, S.
    Jiao, F.
    Reichel, D.
    Zhao, K.
    Cornelius, S.
    Turek, M.
    Pyszniak, K.
    Drozdziel, A.
    Skorupa, W.
    Helm, M.
    Zhou, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1199248.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    88.40.jn
    61.72.Cc
    78.55.Hx
    Opis:
    Copper indium gallium diselenide (CIGS) becomes more significant for solar cell applications as an alternative to silicon. The quality of the layer has a critical impact on the final efficiency of the solar cell. An influence of the post-deposition millisecond range flash lamp annealing on the optical and microstructural properties of the CIGS films was investigated. Based on the Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that flash lamp annealing reduces the defect concentration and leads to an increase of the photoluminescence intensity by a factor of six compared to the nonannealed sample. Moreover, after flash lamp annealing the degradation of the photoluminescence is significantly suppressed and the absolute absorption in the wavelength range of 200-1200 nm increases by 25%.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1404-1407
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-15 z 15

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies