Different semiconductor nanocrystals synthesized in dielectrics on silicon are very interesting for applications in non-volatile memories and photovoltaics. In this paper we present an overview of microstructural and opto-electronic properties of different III-V quantum dots embedded in $SiO_2$ and $Si_3N_4$ made by sequential ion implantation and millisecond range flash lamp annealing. It is shown that within 20 ms post-implantation annealing high quality crystalline III-V quantum dots can be formed in different matrices. Formation of crystalline III-V quantum dots was confirmed by cross-section transmission electron microscopy, photoluminescence and μ-Raman spectroscopy. Flash lamp annealing is essentially a single-flash-single-wafer technique whose main attributes are the ease and control of processing over large wafer batches.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00