Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "small-signal models" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Łukasik, L.
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309325.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI MOSFET
small-signal models
non-quasi-static analysis
admittances
Opis:
A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 67-71
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies