Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Yang, J. B." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Nondestructive Evaluation of Rubber Composites Using Terahertz Time Domain Spectroscopy
    Niedestrukcyjna metoda oceny kompozytów kauczukowych przy użyciu spektroskopii z wykorzystaniem technologii wykrywania terahercowego
    Autorzy:
    Xu, F.
    Duan Mu, Q. D.
    Li, L. J.
    Yang, D.
    Xia, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/232361.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    terahertz imaging
    rubber composites
    nondestructive testing
    defects
    wykrywanie terahercowe
    materiały gumowe
    badania nieniszczące
    defect gumy
    Opis:
    In recent years, with the progress of science, more and more detection methods are being used in various fields. However, the nondestructive testing of nonmetallic materials still needs further study. In this paper, an analysis of the time domain characteristics of rubber materials using terahertz detection technology was carried out, obtaining different defect rubber material spectral characteristics as well as imaging results and data. The results show that the THz spectrum imaging technique can detect the thickness of rubber material in the 0.1 ~ 4.0 terahertz band, and the image is clear and the resolution high. Meanwhile the time domain waveform obtained is sensitive to the debonding defects of the sample rubber, is suitable for judging the overall performance of the rubber inner defect detection, and can provide the scientific basis for rubber material performance.
    W artykule przedstawiono analizę charakterystyk materiałów gumowych z wykorzystaniem technologii wykrywania terahercowego, uzyskując różne charakterystyki spektralne defektów gumy, a także wyniki i dane obrazowe. Wyniki pokazały, że technika obrazowania widma THz może wykrywać grubość materiału gumowego w paśmie 0,1 ~ 4,0 terahercowym, a obraz jest wyraźny i ma wysoka rozdzielczość. W międzyczasie otrzymany przebieg domeny czasu jest wrażliwy na defekty badanej gumy, jest odpowiedni do oceny ogólnej wydajności wykrywania wewnętrznego defektu gumy i może zapewnić podstawy dla oceny właściwości materiału gumowego.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2018, 1 (127); 67-72
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure of Nitrogen Doped Czochralski Silicon Annealed under Enhanced Pressure
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Londos, C.
    Andrianakis, A.
    Bak-Misiuk, J.
    Yang, D.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1539028.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.72.-y
    61.72.Ff
    61.72.uf
    62.50.-p
    Opis:
    Defect structure of Czochralski grown silicon (Cz-Si) with nitrogen admixture, c_{N} ≤ 5 × $10^{14} cm^{-3}$ (Cz-Si:N), annealed for up to 10 h at 1270-1400 K under hydrostatic Ar pressure ≤ 1.1 GPa, was investigated by synchrotron diffraction topography (HASYLAB, Germany), X-ray reciprocal space mapping, and infrared spectroscopy. Extended defects were not detected in Cz-Si:N processed at up to 1270 K. Such defects were created, however, in Cz-Si:N pre-annealed at 923 K and next processed at 1270 K or in as-grown Cz-Si:N processed at 1400 K. Investigation of temperature-pressure effects in nitrogen-doped silicon contributes to the understanding of defect formation in Cz-Si:N.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 344-347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Misiuk, A.
    Prujszczyk, M.
    Wierzchowski, W.
    Surma, B.
    Bąk-Misiuk, J.
    Romanowski, P.
    Shalimov, A.
    Capan, I.
    Yang, D.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.c-
    61.72.-y
    61.82.-d
    Opis:
    Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies