Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "68.55.J-" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    MBE Growth and Characterization of Cubic MnTe(111) on BaF$\text{}_{2}$ Substrates
    Autorzy:
    Janik, E.
    Wojtowicz, T.
    Dynowska, E.
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Karczewski, G.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934056.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    68.55.Bd
    68.55.Jk
    Opis:
    We report on growth by molecular beam epitaxy of cubic MnTe(111) layers on BaF$\text{}_{2}$ (111) substrates. Layers as thick as 0.2-1.0 μm were grown. Basic characterization by X-ray diffraction shows that the cubic crystal structure is deformed to orthorhombic symmetry.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 982-984
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cubic MnTe - Growth by Molecular Beam Epitaxy and Basic Structural Characterization
    Autorzy:
    Zakrzewski, A.
    Janik, E.
    Dynowska, E.
    Leszczyński, M.
    Kutrowski, M.
    Wojtowicz, T.
    Karczewski, G.
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873112.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    68.55.Bd
    68.55.Jk
    Opis:
    We report on growth by molecular beam epitaxy of thick layers of MnTe with zinc blende structure. Films as thick as 5.6 µm were obtained. Characterization by X-ray diffraction proved their good structural quality. We determined the lattice constant and its temperature dependence. Broad luminescence due to internal Mn$\text{}^{2+}$- transitions was observed. It showed an unexpected temperature dependence.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 433-436
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Strain Relaxation of ZnTe/CdTe and CdTe/ZnTe heterostructures: In Situ Study
    Autorzy:
    Riesz, F.
    Kret, S.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952073.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.14.Hg
    68.55.Bd
    68.65.+g
    Opis:
    The strain relaxation kinetics of ZnTe/CdTe and CdTe/ZnTe heterostructures grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy are studied by in situ reflection high-energy electron diffraction. The observed critical layer thickness is 5 monolayers for ZnTe/CdTe and less than 1 monolayer for CdTe/ZnTe. The relaxation is anisotropic. Dislocation core parameters and relaxation rate constants were determined using a kinetic model and assuming strain-dependent activation energy of dislocation movement.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 911-914
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Epitaxial Growths of II-VI Compounds on (110) Substrates
    Autorzy:
    Cywiński, G.
    Wojtowicz, T.
    Kopalko, K.
    Karczewski, G.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969044.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.-a
    Opis:
    We studied epitaxial growth conditions of II-VI semiconductors on (110) substrates, which is indispensable for fabrication of T-shaped quantum wire structures. We experimented with different types of (110)-oriented substrates and monitored the surface quality of deposited layers in situ by reflection high energy electron diffraction and ex situ by photoluminescence. The aim of this work is to find optimum growth conditions of II-VI compounds on a cleaved edge of a superlattice as required by the overgrowth method.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 281-284
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Electron Traps in CdTe:In Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Żakrzewski, A. K.
    Dobaczewski, L.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934051.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    73.61.Ga
    Opis:
    N-type indium doped CdTe grown on n$\text{}^{+}$-GaAs by molecular beam epitaxy has been studied by the standard deep level transient spectroscopy and the isothermal Laplace-transform deep level transient spectroscopy. It was found that the Cd/Te flux ratio strongly influences the deep level transient spectroscopy results. The unusual temperature dependence of the electron emission rate in films grown at nearly stoichiometric conditions may point out that the observed defect is resonant with the conduction band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 961-964
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Indium Doping of CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Karczewski, G.
    Zakrzewski, A.
    Kutrowski, M.
    Jaroszyński, J.
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Janik, E.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Barcz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1932089.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    73.61.Ga
    Opis:
    We report on n-type indium doping of CdTe films grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates. By adjusting the flux of In atoms we can precisely control the carrier concentration over three orders of magnitude - from 8 × 10$\text{}^{14}$ up to 1.3 × 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. In agreement with earlier reports we confirmed that Cd overpressure plays an important role in the doping process. The doping appears to be most effective for Cd/Te pressure ratio of 1.5. For this value of Cd/Te pressure ratio essentially 100% efficiency of doping is achieved at low In concentrations (< 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$). At higher In concentrations acceptor impurities compensate shallow donors limiting the concentration of free carriers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 241-244
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Properties of ZnMnTe Nanowires
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Janik, E.
    Presz, A.
    Szuszkiewicz, W.
    Morhange, J. F.
    Dłużewski, P.
    Kret, S.
    Kirmse, H.
    Neumann, W.
    Dynowska, E.
    Domagała, J. Z.
    Caliebe, W.
    Aleszkiewicz, M.
    Pacuski, W.
    Golnik, A.
    Kossacki, P.
    Baczewski, L. T.
    Petroutchik, A.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047697.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.Df
    68.65.La
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.15.Hi
    Opis:
    Catalytically enhanced growth of ZnMnTe diluted magnetic semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy is reported. The growth is based on the vapor-liquid-solid mechanism and was performed on (001) and (011)-oriented GaAs substrates from elemental sources. X-ray diffractometry, scanning and transmission electron microscopy, atomic force microscopy, photoluminescence spectroscopy, and Raman scattering were performed to determine the structure of nanowires, their chemical composition, and morphology. These studies revealed that the obtained ZnMnTe nanowires possess zinc-blende structure, have an average diameter of about 30 nm, typical length between 1 and 2μm and that Mn$\text{}^{2+}$ ions were incorporated into substitutional sites of the ZnTe crystal lattice.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 351-356
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies