Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gałązka, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Magnetic Properties of (Zn,Mn)Te Semimagnetic Alloy Co-Doped with Chromium
    Autorzy:
    Avdonin, A.
    Van Khoi, Le
    Knoff, W.
    Gałązka, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791420.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    75.50.Pp
    75.60.Ej
    Opis:
    Results of simultaneous doping of ZnTe with manganese and chromium are presented. An increase of magnetization of ferromagnetic Cr-related clusters with manganese concentration is observed. Phosphorus doping prevents the formation of ferromagnetic clusters.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 974-975
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetoresistance and Electroluminescence near the Curie-Weiss Temperature in the $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ Light Emitting Devices
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Avdonin, A.
    Szymczak, R.
    Gałązka, R.
    Potemski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791358.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.70.Gm
    71.70.Ej
    75.50.Pp
    78.20.Ls
    78.60.Fi
    Opis:
    The light emitting devices based on the $p-Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ bicrystals have been fabricated. The $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ devices produce red and green emission originating from the internal d-shell transitions in the $Mn^{2+}$ ions and the donor-acceptor pairs recombination, respectively. A critical behavior of the magnetic field dependence of the green emission intensity and a positive magnetoresistance near the Curie-Weiss temperature in the $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ devices was observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 941-943
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Bound Exciton Luminescence in Phosphorus Doped Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Crystals
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Gałązka, R. R.
    Witkowska, B.
    The Khoi, Nguyen
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991563.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    78.47.+p
    Opis:
    Measurement of photoluminescence as a function of temperature and of magnetic field in p-type phosphorus doped Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te is reported. From the conduction band-acceptor level transition, the ionization energy of P-acceptors is obtained to be 54ą1 meV. The photoluminescence spectrum in the band edge region exhibits three maxima connected with the recombination of excitons bound to neutral acceptors (A$\text{}^{0}$, X), excitons bound to neutral donors (D$\text{}^{0}$,X), and free excitons (X) at energies E$\text{}_{(A^{0},X)}$=1.606, E$\text{}_{(D^{0},X)}$=1.610, and E$\text{}_{X}$=1.614 eV, respectively. At T=1.4 K a strong increase in PL intensity of (A$\text{}^{0}$, X) line 8-fold as a function of magnetic field is found and shown to originate from the magnetic field-induced lowering of the acceptor binding energy and increase in the hole effective volume.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 392-396
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Preparation and Optical Properties of Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$O$\text{}_{y}$ Highly Mismatched Alloy
    Autorzy:
    Avdonin, A.
    Van Khoi, Le.
    Pacuski, W.
    Domukhovski, V.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047712.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.66.Dk
    61.72.Vv
    78.55.-m
    Opis:
    The Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$O$\text{}_{y}$ alloy was prepared using a rapid crystallization technique. X-ray diffraction measurements were used to estimate the oxygen doping level. It is demonstrated that the oxygen solubility in Zn$\text{}_{1-x}$ Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$O$\text{}_{y}$ alloys greatly depends on the manganese concentration. No oxygen related effects were observed in the manganese free samples. The highest value of the oxygen molar fraction (y) achieved in the present study was 0.0023 in a sample having manganese fraction (x) of 0.056. The decrease in the alloy band gap was observed with increasing oxygen content. The oxygen-related trap level in Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$O$\text{}_{y}$ was found to be strongly shifted with respect to that in ZnTe$\text{}_{1-y}$O$\text{}_{y}$. The shift is assigned to a creation of complex (Mn$\text{}_{x}$O) traps.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 407-414
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Self-Induced Persistent Photoconductivity in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Dobrowolski, W.
    Zakrzewski, A.
    Dobaczewski, L.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952039.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    78.20.Ls
    72.80.Ga
    Opis:
    At temperatures lower than 200 K the photomemory effect has been observed in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions. The persistent photoconductivity can be achieved either by illumination from an external light source or by a self-absorption of the electroluminescence radiation when a voltage of about 10 V for a few seconds is applied to the diode. Current-voltage characteristics are of the form I~ V$\text{}^{m}$. The capacitance and electroluminescence measurements show that the photomemory effect in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$ Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions can be caused by the bistable nature of the In dopant in the Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate. In the high resistivity interface layer and the substrate material indium forms centers similar to DX-like centers in Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Te and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 883-886
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Electrical Properties of Phosphorus Doped Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Crystals
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Jaroszyński, J.
    Witkowska, B.
    Mycielski, A.
    Gałązka, R. R.
    Cisowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968127.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.30.+h
    71.55.Jv
    72.80.Ga
    Opis:
    The high pressure Bridgman technique was used to grow Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te:P crystals. Under the N$\text{}_{2}$ pressure of 30 atm., we obtained the p$\text{}^{+}$-Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te single crystals 8-10 mm in diameter, with free-carrier densities as high as p ≈ 8×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$ and the room temperature conductivity σ(RT) ≈ 30 Ω$\text{}^{-1}$cm$\text{}^{-1}$. Magnetoresistance measurements were carried out down to 1.3 K and up to 6 T. In Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te:P a strong increase in the acceptor binding energy as well as an immense (ρ(0,1.3K)/ρ(6T,1.3K) > 10$\text{}^{3}$) negative magnetoresistance are observed, by contrast, not seen in diamagnetic ZnTe:P. It is shown that these effects come from the formation of bound magnetic polarons and their destruction by an external magnetic field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 833-836
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies