Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Stawarz-Graczyk, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
Autorzy:
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
szumy RTS
dioda Schottky'ego
RTS noise
Schottky diodes
Opis:
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów
Autorzy:
Cichosz, J.
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268771.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
diody SiC
pomiary
charakterystyka stałoprądowa
SiC power diode
measurement
DC characteristic
Opis:
The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.
W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2012, 31; 41-44
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies