Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Surma, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Optyczne własności nanokompozytów otrzymywanych metodą mikrowyciągania na bazie szkła NBP i domieszkowanych nanocząstkami Ag i jonami Er3+
Optical features of nanocomposites obtained by micro-pulling method based on NBP glass containing Er3+ and silver nanoparticles
Autorzy:
Surma, B.
Gajc, M.
Pawlak, D. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192287.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
nanokompozyty
plazmonika
emisja
absorpcja
nanocomposites
plasmonic
emission
absorption
Opis:
Opracowano technologię otrzymywania włókien szklanych z Na5B2P3O13 (NBP) oraz włókien NBP domieszkowanych nanocząstkami srebra i jonami Er3+ (NBP_Er3_nAg) przy użyciu metody mikrowyciągania. Metoda ta jest interesująca ze względu na możliwość uzyskania trwałych nanokompozytowych struktur 3D. Zbadano własności optyczne otrzymanych struktur. W czystym NBP obserwowano przesunięcie krawędzi absorpcji w kierunku długofalowym (do ~ 250 nm), który wiązany jest ze wzrostem zasadowości optycznej szkła wskutek zmiany wzajemnego stosunku niemostkowanych do zmostkowanych jonów tlenu. W strukturach NBP_Er3_nAg wzbudzanych linią 325 nm lasera He-Cd obserwowano transfer energii z widma emisyjnego szkła NBP do jonów Er3+ i nanocząstek srebra. Stwierdzono około dwukrotny wzrost emisji dla przejść 4I13/2-4I15/2 w obecności nanocząstek Ag w wyniku transferu energii z nAg do jonów Er3+ . Po raz pierwszy zaobserwowano również w 300K emisję przy 615 nm pochodzącą od przejść 4G11/2-4I11/2 . Ponad pięciokrotne wzmocnienie występuje w obecności silnego piku związanego z LSPR wskutek transferu energii z nanocząstek nAg na poziom 4G11/2 jonu erbu. Przy wzbudzaniu rezonansowym dla przejść 4I15/2-4F7/2 linią 488 nm emisja przy 1532 nm pochodzi głównie od wzbudzenia poziomu 4I13/2 w wyniku relaksacji wielofononowej z poziomu 4F7/2 , a obserwowane gaszenie emisji przy 1532 nm wynika z transferu energii z jonów Er3+ do grupy hydroksylowej OH, transferu pomiędzy jonami erbu oraz transferu do nanocząstek srebra.
A new technology of the manufacturing of Na5B2P3O13 (NBP) glass fibers doped with erbium ions and silver nanoparticles (nAg) was elaborated by using micro-pulling method (μ - PD). The method is interesting as it allows to obtain the solid and stable 3D nanocomposite structures. The optical features of these structures were studied. A “red shift” of the absorption band gap observed for pure NBP fibers was related to the change in the optical basicity of the glass due to the change in the relation between bridging and non-bridging oxygen. In the plasmonic composite doped with nAg and Er3+ (NBP:Er3:nAg) excited with 325 nm line of He-Cd laser a radiative energy transfer was observed from matrix emission to Er3+ and nAg. Twofold increase of the emission for 4I13/2-4I15/2 transition was stated in presence of nAg. For the first time the emission at 615 nm for 4G11/2 -4I11/2 transitions was observed and more than fivefold increase in the intensity of this line occurred in the presence of the strong local surface plasmon resonance (LSPR) due to energy transfer from nAg. During excitation with 488 nm line the intensity of the emission at 1536 nm (4I13/2-4I15/2 transitions) was mainly controlled by the energy transport from Er3+ ions to hydrocarboxyl group OH as well as energy migration between erbium ions.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 34-49
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure of Nitrogen Doped Czochralski Silicon Annealed under Enhanced Pressure
Autorzy:
Misiuk, A.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Londos, C.
Andrianakis, A.
Bak-Misiuk, J.
Yang, D.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1539028.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
61.72.-y
61.72.Ff
61.72.uf
62.50.-p
Opis:
Defect structure of Czochralski grown silicon (Cz-Si) with nitrogen admixture, c_{N} ≤ 5 × $10^{14} cm^{-3}$ (Cz-Si:N), annealed for up to 10 h at 1270-1400 K under hydrostatic Ar pressure ≤ 1.1 GPa, was investigated by synchrotron diffraction topography (HASYLAB, Germany), X-ray reciprocal space mapping, and infrared spectroscopy. Extended defects were not detected in Cz-Si:N processed at up to 1270 K. Such defects were created, however, in Cz-Si:N pre-annealed at 923 K and next processed at 1270 K or in as-grown Cz-Si:N processed at 1400 K. Investigation of temperature-pressure effects in nitrogen-doped silicon contributes to the understanding of defect formation in Cz-Si:N.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 344-347
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
Autorzy:
Wieteska, K.
Misiuk, A.
Prujszczyk, M.
Wierzchowski, W.
Surma, B.
Bąk-Misiuk, J.
Romanowski, P.
Shalimov, A.
Capan, I.
Yang, D.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.c-
61.72.-y
61.82.-d
Opis:
Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Mn-Related Defect Band in InP
Autorzy:
Macieja, B.
Korona, K. P.
Piersa, M.
Witowski, A. M.
Wasik, D.
Wysmołek, A.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Surma, B.
Palczewska, M.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036033.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.20.Ee
72.20.Jv
Opis:
Electron paramagnetic resonance, optical absorption, luminescence and electrical studies of InP highly doped with Mn were performed. Electron paramagnetic resonance revealed presence of manganese in Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) configuration. In optical absorption, systematic reduction of InP band gap was observed with increase in Mn content. This was correlated with increase in photoionization-type absorption band starting at 0.2 eV. Time-resolved photoluminescence measurements showed decrease in photoexcited carrier lifetime and shortening of donor-acceptor pair recombination time with increase in Mn content. Moreover, photoluminescence band was shifted to lower energies, similarly to optical band gap. In electrical transport two mechanisms of conductivity were observed. Valence band transport dominated at higher temperatures, above 160 K, and activation energy of free-hole concentration was determined as about 0.20 eV. At lower temperatures hopping conductivity, clearly related to Mn defect band, was present. All these results were consistent with assumption of creation of Mn-related defect-band at 0.2 eV above InP valence band. It was found that Mn centers responsible for this band were in configurations of either d$\text{}^{5}$ or d$\text{}^{5}$ plus a hole localized about 7Å around corresponding Mn core.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 637-642
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies