Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grodecki, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
    InP nanowires for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Dumiszewska, E.
    Grodecki, K.
    Krajewska, A.
    Jóźwik, I.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192364.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    epitaksja
    nanodruty
    InP
    ogniwa słoneczne
    epitaxy
    nanowiwires
    solar cell
    Opis:
    W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.
    In this work the production methods of InP nanowires on InP (100) and (111)B substrates and GaAs nanowires on (100) and (100) substrates are presented. The nanowires were grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Gold nanoparticles having a diameter of around 30 nm were used as a growth catalyst. All growth processes were carried out in the Department of Epitaxy and Characterization of ITME.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 4-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    CVD Growth of Graphene Stacks on 4H-SiC (0001) Surface - X-ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study
    Autorzy:
    Tokarczyk, M.
    Kowalski, G.
    Grodecki, K.
    Urban, J.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399073.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    61.72.Dd
    63.22.Rc
    Opis:
    Features associated with short and prolonged growth time in the chemical vapor deposition process of growth of graphene stacks on SiC (0001) substrate are reported. In particular general bimodal (as far as $d_{002}$ interlayer spacing is concerned) distribution of graphene species across the surface of the samples is observed. It consists of thin few layer graphene coverage of most of the sample surface accompanied by thick graphite-like island distribution. It points to the two independent channels of graphene stacks growth with two characteristic growth rates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 768-771
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
    Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
    Autorzy:
    Pasternak, I.
    Grodecki, K.
    Piątkowska, A.
    Ciuk, T.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    graphene on copper foils
    PVD copper films
    grain boundaries
    Raman spectroscopy
    grafen na folii miedzianej
    warstwy PVD miedzi
    granice ziaren
    spektroskopia ramanowska
    Opis:
    Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
    Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Drabińska, A.
    Bożek, R.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Strupiński, W.
    Borysiuk, J.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Tr
    78.40.Ri
    78.30.Na
    63.20.dd
    63.20.kd
    Opis:
    Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies