Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sobolewski, A. I." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Easy Vortex Motion in an Artificial Channel of $YBa_2Cu_3O_{7-δ}$ Superconducting Films
    Autorzy:
    Jukna, A.
    Barboy, I.
    Jung, G.
    Abrutis, A.
    Li, X.
    Wang, D.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813381.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.25.Sv
    74.25.Qt
    74.78.Bz
    Opis:
    Quasi-Josephson effect produced by a coherent vortex motion in the horizontal part of the laser-performedΠ-shaped channel of a $YBa_2Cu_3O_{7-δ}$ superconducting bridge was investigated by means of electric transport measurements. We observed that in our structures, in a limited range of temperatures and bias currents, the vortices were confined in the channel only and moved coherently with the velocity of $3×10^4$ m/s. The corresponding current-voltage characteristics of the bridge exhibited Josephson-like voltage steps with the amplitude dependent on temperature, but independent of the bias current.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 959-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamics of Hotspot Formation in Nanostructured Superconducting Stripes Excited with Single Photons
    Autorzy:
    Jukna, A.
    Kitaygorsky, J.
    Pan, D.
    Cross, A.
    Perlman, A.
    Komissarov, I.
    Sobolewski, R.
    Okunev, O.
    Smirnov, K.
    Korneev, A.
    Chulkova, G.
    Milostnaya, I.
    Voronov, B.
    Gol'tsman, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813380.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.25.Fy
    74.25.Sv
    74.45.+c
    Opis:
    Dynamics of a resistive hotspot formation by near-infrared-wavelength single photons in nanowire-type superconducting NbN stripes was investigated. Numerical simulations of ultrafast thermalization of photon-excited nonequilibrium quasiparticles, their multiplication and out-diffusion from a site of the photon absorption demonstrate that 1.55 μm wavelength photons create in an ultrathin, two-dimensional superconducting film a resistive hotspot with the diameter which depends on the photon energy, and the nanowire temperature and biasing conditions. Our hotspot model indicates that under the subcritical current bias of the 2D stripe, the electric field penetrates the superconductor at the hotspot boundary, leading to suppression of the stripe superconducting properties and accelerated development of a voltage transient across the stripe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 955-958
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices
    Autorzy:
    Marso, M.
    Mikulics, M.
    Adam, R.
    Wu, S. Wu.
    Zheng, X.
    Camara, I.
    Siebe, F.
    Förster, A.
    Güsten, R.
    Kordoš, P.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041640.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    72.40.+w
    78.30.Fs
    85.60.-q
    85.60.Gz
    Opis:
    We report on the fabrication and high-frequency performance of our photodetectors and photomixers based on freestanding low-temperature-grown GaAs. The MBE-grown low-temperature GaAs layers are lifted from the native GaAs substrate and transferred on top of variety of host substrates. The freestanding devices exhibit breakdown electrical fields above 200 kV/cm and dark currents below 3×10$\text{}^{-7}$ A at 100 V bias. Device photoresponse shows 0.55 ps wide electrical transients with voltage amplitudes up to 1.3 V, measured using an electro-optical sampling technique with 100 fs wide laser pulses. Photomixing experiments at 460 GHz yield a 9 times higher output power for the freestanding device on Si/SiO$\text{}_{2}$ host substrate compared to the native substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 109-117
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies