Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sitnikova, A. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
CdSe Layers of Below Critical Thickness in ZnSe Matrix: Intrinsic Morphology and Defect Formation
Autorzy:
Sedova, I.
Shubina, T.
Sorokin, S.
Sitnikova, A.
Toropov, A.
Ivanov, S.
Willander, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992185.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
Opis:
Three main stages of the intrinsic morphology transformation of MBE grown CdSe fractional monolayers in ZnSe with increase in their nominal thickness w in the 0.1-3.0 monolayer range were found using both structural and optical characterization techniques. Emergence of the extended (15-30 nm) CdSe-enriched quantum-dot-like pseudomorphic islands at w>0.7 monolayer with the density increasing up to 2.5×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$ at w=2.8 monolayer is clearly displayed in the optical properties of CdSe fractional monolayer nanostructures. The below critical thickness CdSe fractional monolayers having extremely high quantum efficiency can be very perspective as an active region of ZnSe-based blue-green lasers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 519-525
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and Optical Properties of Alternately-Strained $ZnS_{x}Se_{1-x}$/CdSe Superlattices with Effective Band-Gap 2.5-2.6 eV
Autorzy:
Evropeytsev, E.
Sorokin, S.
Gronin, S.
Sedova, I.
Klimko, G.
Sitnikova, A.
Baidakova, M.
Ivanov, S.
Toropov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376074.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Pt
81.07.-b
78.55.-m
Opis:
We report on design and fabrication of alternately-strained $ZnS_xSe_{1-x}$/CdSe short period superlattices with the effective band-gap 2.52, 2.58, and 2.61 eV and the total thickness ≈300 nm. Transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence measurements reveal negligibly small density of misfit dislocations in the superlattices. The investigation of carrier transport along the superlattice growth axis, performed by the photoluminescence measurements of a superlattice with one enlarged quantum well, confirms efficient Bloch-type transport at temperatures above ≈ 100 K. Such superlattices look promising for the applications as a material for the wide band-gap photoactive region of a multi-junction solar cell comprising both III-V and II-VI materials.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1156-1158
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Structural Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by MBE in the Vicinity of As-Rich-GaAs/ZnSe Heterovalent Interface
Autorzy:
Klimko, G.
Evropeytsev, E.
Sitnikova, A.
Gronin, S.
Sedova, I.
Sorokin, S.
Ivanov, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376199.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
68.65.-k
81.15.Hi
Opis:
The studies of structural and optical properties of molecular beam epitaxy grown pseudomorphic hybrid structures with AlGaAs/GaAs quantum well placed closely to the GaAs/ZnSe heterointerface are presented. The interfaces were formed in different ways (Zn or Se initial GaAs surface exposure, different growth temperature and ZnSe growth mode) on As-rich c(4×4) and (2×4) GaAs surfaces. It has been demonstrated that the photoluminescence intensity from the near-heterointerface GaAs QW is influenced most significantly by the procedure of ZnSe growth initiation. The bright photoluminescence (77 K) from the near-interface GaAs quantum well is observed if the Se-decoration procedure is used during the GaAs/ZnSe heterointerface formation on (2×4)As GaAs surface. It reduces noticeably if the GaAs reconstruction changes to c(4×4)As and disappears completely when Zn pre-exposure of GaAs surface is used. These effects are discussed in terms of different ratio of Ga-Se and As-Zn bonds at the GaAs/ZnSe heterointerface resulting in different band offsets and/or uncompensated built-in electric fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1184-1186
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies